有關空乏型MOSFET 之操作特性，下列敘述何者錯誤？

題目

有關空乏型MOSFET 之操作特性，下列敘述何者錯誤？ A. 空乏型MOSFET 所加的VGS 可為正值或負值 B. 對於n 通道的空乏型FET，若增加正值VGS 會使ID 變小 C. 空乏型MOSFET 所加的VGS = 0，ID 可以不為零 D. 欲使n 通道的空乏型MOSFET 的ID = 0，則所加的VGS 需為負值

官方答案

• 答案：B. 對於n 通道的空乏型FET，若增加正值VGS 會使ID 變小

解析

n 通道空乏型 MOSFET 在製造時通道已存在，VGS＝0 時即有 IDSS 流通，因此 C 正確；要使 ID 降到零，必須加負的 VGS（即 VGS(off)＜0）將通道夾止，D 正確。閘極電壓可正可負，正 VGS 為增強（空乏型工作於增強模式），負 VGS 為空乏，A 正確。B 的敘述顛倒：增加正值 VGS 會吸引更多電子、拓寬通道，使 ID 變大而非變小，故 B 錯誤。

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官方資料

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