民國112年 地方五等 電子工程 電子學大意

第8題

有一N 通道空乏型MOSFET,其臨限電壓VT=-2 V,汲極電壓VD=2 V,源極電壓VS=-1 V,則下列閘極電壓何者可使此MOSFET 工作在飽和區?

題目

有一N 通道空乏型MOSFET,其臨限電壓VT=-2 V,汲極電壓VD=2 V,源極電壓VS=-1 V,則下列閘極電壓何者可使此MOSFET 工作在飽和區? A. VG=-5 V B. VG=-2 V C. VG=5 V D. VG=2 V

官方答案

  • 答案:B. VG=-2 V

解析

N 通道空乏型 MOSFET 的 VGS=VG-VS=VG+1,VDS=VD-VS=3 V。飽和區條件為 VGS>VT(導通)且 VGS-VT≤VDS(夾止)。A:VG=-5 V,VGS=-4 V<VT=-2 V,元件截止。B:VG=-2 V,VGS=-1 V,VGS-VT=1 V≤3 V,符合飽和。C:VG=5 V,VGS=6 V,VGS-VT=8 V>3 V,落入三極(歐姆)區。D:VG=2 V,VGS=3 V,VGS-VT=5 V>3 V,同樣為歐姆區。故選 B。

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官方資料

答案以考選部公告之測驗式試題標準答案 PDF 為準。