一MOSFET 操作於飽和區，於VDS=3 V 時ID=5 mA，且於VDS=5 V 時ID=5.5 mA，通道電阻為何？

題目

一MOSFET 操作於飽和區，於VDS=3 V 時ID=5 mA，且於VDS=5 V 時ID=5.5 mA，通道電阻為何？ A. 0.04 kΩ B. 0.4 kΩ C. 4 kΩ D. 40 kΩ

官方答案

• 答案：C. 4 kΩ

解析

MOSFET 在飽和區若考慮通道長度調變（爾利效應），ID 會隨 VDS 略為上升，其增量比 ΔID/ΔVDS 即輸出電導，倒數就是通道（輸出）電阻 ro。由題給數據：ΔVDS＝5－3＝2 V，ΔID＝5.5－5＝0.5 mA，故 ro＝ΔVDS/ΔID＝2 V÷0.5 mA＝4 kΩ。A、B 是把 mA 與 V 的單位關係算錯，D 則放大了十倍，均不符。答案為 C。

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官方資料

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