複合樹脂填補時，使用酸蝕技術（acid etching technique）處理牙釉質（enamel），下列敘述何者錯誤？

題目

複合樹脂填補時，使用酸蝕技術（acid etching technique）處理牙釉質（enamel），下列敘述何者錯誤？ A. 牙釉稜柱（enamel prism）中心及周邊部位均會被酸蝕溶解 B. 牙釉質酸蝕後塗布樹脂黏著劑，所形成之樹脂突（resin tag）厚度為 10-20 micron C. 牙釉質酸蝕後塗布樹脂黏著劑，所形成之微樹脂突（micro-resin tag）位於牙釉稜柱中心（prism core） D. 牙釉質經酸蝕後，表面自由能（surface free energy）會增加

官方答案

• 答案：B. 牙釉質酸蝕後塗布樹脂黏著劑，所形成之樹脂突（resin tag）厚度為 10-20 micron

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