關於電子質量阻擋本領的敘述，下列何者錯誤？

題目

關於電子質量阻擋本領的敘述，下列何者錯誤？ A. 在低能量時，電子的碰撞質量阻擋本領大於輻射質量阻擋本領 B. 電子在高原子序物質中之輻射質量阻擋本領大於電子在低原子序物質中之輻射質量阻擋本領 C. 0.1 MeV電子的碰撞質量阻擋本領大於1 MeV電子的碰撞質量阻擋本領 D. 電子在高原子序物質中之碰撞質量阻擋本領大於電子在低原子序物質中之碰撞質量阻擋本領

官方答案

• 答案：D. 電子在高原子序物質中之碰撞質量阻擋本領大於電子在低原子序物質中之碰撞質量阻擋本領

解析

電子碰撞質量阻擋本領（S_col/ρ）在相對論極限下趨近常數，主要依賴電子密度（Z/A），對原子序 Z 依賴極弱（僅透過平均激發電離能 I 產生微小 ln 項差異）。因此「電子在高 Z 物質中碰撞質量阻擋本領大於低 Z 物質」錯誤，兩者數值極接近，臨床視為相等。 選項 A 正確：低能電子以碰撞損失為主，輻射損失可忽略。 選項 B 正確：輻射阻擋本領 ∝ Z，高 Z 明顯較大。 選項 C 正確：碰撞阻擋本領隨能量降低而增加（~1/β² 趨勢），0.1 MeV 遠大於 1 MeV。

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官方資料

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