關於SRAM 與DRAM 的敘述，下列何者錯誤？SRAM

題目

關於SRAM 與DRAM 的敘述，下列何者錯誤？SRAM A. 的結構較複雜，因此需要有再充電（Refresh）的動作保持所儲存的資料內容 B. DRAM 單位面積內的儲存容量較多 C. SRAM 適合做為暫存器和快取記憶體使用 D. DRAM 採用電容儲存資料

官方答案

• 答案：A. 的結構較複雜，因此需要有再充電（Refresh）的動作保持所儲存的資料內容

解析

SRAM 每個位元由多個電晶體組成正反器（flip-flop）電路，結構確實較複雜、單位面積容量較小，但正因為以正反器持續維持狀態，只要電力供應正常就不需要再充電（refresh）。相反地，DRAM 以電容儲存電荷代表位元，電容會漏電，必須週期性刷新才能保住資料，所以「需要 refresh」的是 DRAM 而非 SRAM。B 敘述正確，DRAM 單元只需一個電晶體加一個電容，單位面積容量較大；C 正確，SRAM 速度快，用作暫存器與快取記憶體；D 正確，DRAM 靠電容儲存資料。故錯誤者為 A。

AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。

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