民國100年 第3梯次 儀表電子甲級 學科
第66題
在一定電流下,溫度每升高1 °C時,矽電晶體的 變化約為下列何者?
題目
在一定電流下,溫度每升高1 °C時,矽電晶體的 變化約為下列何者?
- (1) -2 m V
- (2) -4 m V
- (3) +2 m V
- (4) +4 m V
官方答案
(1) -2 m V
解析
在一定集極電流下，矽電晶體的基射極壓降 VBE 具有負溫度係數，約為 -2 mV/°C。原因是 IC 與 IS 成正比，而 IS 隨溫度上升呈指數增加，因此要維持同一電流，所需的 VBE 反而下降。實務上此特性常用於溫度補償與 VBE 溫度感測。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。