民國100年 第3梯次 11500 儀表電子甲級 學科考古題與答案

第1題

當C P U 進入h o l d 狀態時,下列敘述何者是錯誤的? 1. C P U 內部暫存器的內容保持暫停前的值 2. C P U 的位址與資料匯流排為浮接( f l o a t i n g ) 狀態 3. 此時可做磁碟機資料的存取 4. C P U 將不再執行程式中的後續指令。

答案：(4) C P U 將不再執行程式中的後續指令

第2題

將一個2 W 400 Ω 的電阻與一個1 W 100 Ω 的電阻串聯,外加電壓於此串聯的電阻,試問當電 壓超過多少伏特時,此串聯電阻就有燒毀的可能? 1. 40 2. 30 3. 20 4. 10 。

答案：(1) 40

解析：串聯電路電流相同。各電阻最大容許電流：400Ω/2W者 I1=√(P/R)=√(2/400)=0.0707A；100Ω/1W者 I2=√(1/100)=0.1A。受較小者限制，串聯最大安全電流 I=0.0707A。總電阻 R=400+100=500Ω，對應最大電壓 V=I×R=0.0707×500≈35.4V。故外加電壓超過約35.4V（選項中以40V最符合，超過40V必定燒毀）時，400Ω電阻功率超過2W而可能燒毀。答(1)。

第3題

如下圖電路所示,則E 之電壓值應為多少? 1. 87 V 2. 77 V 3. 67 V 4. 57 V 。

答案：(2) 77 V

第4題

數位示波器之輸入信號經一12 位元( b i t ) 的類比對數位轉換器時,則其解析度可達到? 1. 0 . 025 % 2. 0 . 05 % 3. 0 . 1 % 4. 1 % 。

答案：(1) 0 . 025 %

解析：n位元ADC之解析度（分辨率）定義為一個階梯對應之相對精度，公式為 1/2ⁿ×100%。本題 n=12，解析度=1/2¹²=1/4096≈0.000244=0.0244%，約為0.025%。若以LSB佔滿量程之百分比表示亦同。故12位元ADC解析度可達約0.025%，選(1)。選項(2)0.05%約為11位元、(3)0.1%約為10位元、(4)1%僅約7位元，均不符。

第5題

假設指令P U S H X 的動作是將暫存器X 的內容放入堆疊( s t a c k ) ,指令P O P X 的動作是從堆 疊取出一筆資料放入暫存器X 中。若暫存器的內容分別為:A = 18、B = 19、C = 20、D = 21 時, 則依序執行下列程式後,暫存器A 的內容將為何? 1. 18 2. 19 3. 20 4. 21 。

答案：(2) 19

第6題

安裝電晶體、橋式整流子、1 W 以上電阻等元件時,其與電路板間之距離應為下列何者? 1. 緊貼電路板 2. 1 m m ~2 m m 3. 3 m m ~5 m m 4. 10 m m 以上。

答案：(3) 3 m m ~5 m m

解析：電晶體、橋式整流子及1W以上電阻屬功率較大或易發熱元件。組裝時若緊貼電路板，散熱不良且高熱易使基板碳化、銲點劣化。一般規範將此類元件與電路板間保留約3mm～5mm間距，以利空氣流通散熱並避免相互熱影響。距離過小(1)(2)散熱不足，過大(4)則易造成引線應力與焊點疲勞。故標準間距為3mm～5mm，選(3)。

第7題

如下圖電路所示,假設理想運算放大器( O P a m p ) 工作於線性區,若V i = 150 m V ,試求輸出電 壓V o 值? 1. – 4 . 60 V 2. – 5 . 60 V 3. – 6 . 60 V 4. – 7 . 60 V 。

答案：(3) – 6 . 60 V

第8題

下列何者不是串列傳輸界面R S - 485 之特點? 1. 傳輸距離可達1 . 2 公里 2. 傳輸速度可達100 k b p s 3. 以B U S 線方式傳輸,兩側尾端須加終端電阻 4. 祇能連接1 個驅動器及32 個接收器。

答案：(4) 祇能連接1 個驅動器及32 個接收器

解析：RS-485為差分平衡式串列介面，特點包括：傳輸距離最遠約1200m（1.2公里，低速時）(1)正確；匯流排（BUS）拓撲兩端須加終端電阻以消除反射(3)正確；可達數Mbps，100kbps在其能力內(2)正確。錯誤的是(4)：RS-485為多點（multi-drop）標準，允許多個驅動器共存於同一匯流排（最多32個單位負載，可為驅動器或接收器混合），並非「祇能1個驅動器及32個接收器」。故選(4)。

第9題

C M O S I C 在下列哪一個電源電壓工作時,傳遞延遲時間最短? 1. 5 V 2. 8 V 3. 12 V 4. 15 V 。

答案：(4) 15 V

解析：CMOS IC的傳遞延遲時間（propagation delay）與供應電壓V_DD密切相關。V_DD越高，MOSFET的驅動電流越大、充放電速度越快，閘極與輸出的延遲時間越短；反之低電壓時延遲較長。在所列5V、8V、12V、15V中，15V提供最大驅動能力，故傳遞延遲時間最短。選(4)。提高電壓可提速但亦增功耗與雜訊敏感度。

第10題

若微處理機的控制單元是以微程式( m i c r o - p r o g r a m m i n g ) 規劃,則下列敘述何者為不正確? 1. 指令解碼器乃是將指令解碼後產生循序微指令( m i c r o - i n s t r u c t i o n ) 2. 微碼( m i c r o - c o d e ) 控制用於指示微處理機內各部門的動作 3. 微指令之內含設定了數組所需的微動作 4. 使用微程式規劃之控制單元,其指令執行速度較快。

答案：(4) 使用微程式規劃之控制單元,其指令執行速度較快

解析：以微程式規劃的控制單元，會把每道機器指令拆成多個微指令，再依序從控制記憶體（微程式記憶體）中取出並執行；因此每一道指令都要花上好幾個時脈週期，速度比採用硬體佈線邏輯的控制單元慢，所以選項4所說的「速度較快」並不正確。微碼的內容就是在定義各個微動作，例如暫存器載入、ALU 運算選擇、匯流排傳送等；指令解碼後會產生微程式的起始位址，再由微定序器逐一把微指令取出。故本題應選4。

第11題

設計鋪銅的印刷電路板時,銲點到防銲層及銲點到鋪銅之間的距離關係為何? 1. 到防銲層及到鋪銅的距離須相等 2. 到防銲層距離須大於到鋪銅的距離 3. 到防銲層距離須小於到鋪銅的距離 4. 距離大小無關。

答案：(3) 到防銲層距離須小於到鋪銅的距離

解析：防銲層（solder mask）開窗只是為了讓銲墊露出，通常只比銲墊單邊大 0.05～0.1 mm；而鋪銅與銲墊之間必須留出足夠間隙，以避免短路、漏電，也方便焊接與散熱，一般取 0.2～0.5 mm。因此銲點到防銲層邊緣的距離，會小於銲點到鋪銅的距離，兩者並不相等，也不是任意的距離。故本題應選3。

第12題

下列何者不是數位訊號處理器( D S P ) 的優點? 1. 可進行複雜的數學運算 2. 具有強大的I / O 能力 3. 內含數位濾波器 4. 適用影像及聲音處理。

答案：(2) 具有強大的I / O 能力

解析：DSP 的核心優勢在於內建硬體乘法器、管線化架構與單週期乘加（MAC）指令，並具備特殊定址模式，因此能快速完成濾波、卷積、FFT 等複雜數學運算；它內含數位濾波器演算法與週邊，特別適合影像與語音處理。至於 I/O 能力，DSP 通常只提供基本串列埠與並列埠，需要外接週邊晶片擴充，並非其強項，所以「具有強大的 I/O 能力」不能算優點。故本題應選2。

第13題

儀表常用的介面G P I B 是指下列那一種規範? 1. I E E E 1394 2. I E E E 1284 3. I E E E 802 4. I E E E 488 。

答案：(4) I E E E 488

解析：GPIB 是 General Purpose Interface Bus 的縮寫，由 HP 公司發展，後來標準化為 IEEE 488 匯流排，常用於儀器與電腦之間的控制與資料擷取（俗稱 HP-IB）。IEEE 1394 是 FireWire 高速序列匯流排；IEEE 1284 是並列埠（印表機埠）規範；IEEE 802 則是區域網路與無線網路的系列標準。故本題應選4。

第14題

使用波形分析儀( w a v e a n a l y z e r ) 量測一放大器的輸出,測得基本波電壓為2 V 、二次諧波電 壓為0 . 08 V 、三次諧波電壓為0 . 06 V ,則該放大器的總諧波失真率為何? 1. 0 . 03 2. 0 . 04 3. 0 . 05 4. 0 . 07 。

答案：(3) 0 . 05

解析：總諧波失真率 THD 的定義為各次諧波電壓有效值的均方根，除以基本波電壓：THD＝√(V2²＋V3²＋…)／V1。代入 V1＝2 V、V2＝0.08 V、V3＝0.06 V，得 √(0.08²＋0.06²)＝√(0.0064＋0.0036)＝√0.01＝0.1 V，再除以 2 V，得到 THD＝0.05，也就是 5%。故本題應選3。

第15題

所有組合邏輯電路可用下列何種邏輯閘來完成? 1. A N D 2. O R 3. N O T 4. N A N D 。

答案：(4) N A N D

解析：NAND 閘屬於「萬用閘」（universal gate），只要用 NAND 閘就能組合出 NOT、AND、OR、NOR、XOR 等所有基本邏輯功能，因此任何組合邏輯電路都可以只用 NAND 閘來實現。反觀 AND、OR、NOT 各自只能提供單一功能，其中 NOT 只有一個輸入，AND 與 OR 也無法單獨產生反相，都必須互相搭配才能構成完整電路。故本題應選4。

第16題

組合語言中,D A A 為B C D 碼調整的指令。在加法指令執行後,A C C = 0 A 1 H 、C Y = 0 、A C = 1 ,則此時執行D A A 指令後,A C C 的值為何? 1. 07 H 2. 17 H 3. 27 H 4. 37 H 。

答案：(1) 07 H

解析：DAA（Decimal Adjust after Addition）會依累加器的內容與旗標修正結果：若低位元大於 9，或 AC＝1，則低位元加 6；若高位元大於 9，或 CY＝1，則高位元加 6。本題 ACC＝0A1H，低位元 1 且 AC＝1，故加 06H；高位元 A 大於 9，故再加 60H。合計 0A1H＋66H＝107H，因此 ACC＝07H、CY＝1。故本題應選1。

第17題

如下圖電路所示,A 為理想運算放大器,R = 5 k Ω ,R = 10 k Ω ,Z D 1 及Z D 2 分別為5 . 1 V 及 8 . 2 V 的稽納二極體( Z e n e r d i o d e ) ,其順向導通之壓降約為0 . 7 V ,如果V = 0 V ,V 分別為 -6 V、+ 5 V 的直流電壓時,則相對應的V 最接近下列何者? 1. +5 . 8 V、-8 . 9 V 2. – 5 . 8 V 、 +8 . 9 V 3. +8 . 9 V 、-5 . 8 V 4. +15 V 、-15 V 。

答案：(1) +5 . 8 V、-8 . 9 V

第18題

下列何者不是串列通訊中所造成的錯誤? 1. o v e r r u n e r r o r 2. p a r i t y e r r o r 3. o v e r f l o w e r r o r 4. f r a m i n g e r r o r 。

答案：(3) o v e r f l o w e r r o r

解析：串列通訊常見的錯誤型態有三種：overrun error（接收暫存器尚未被讀走，新資料又到達而溢失）、parity error（同位元檢查不符）、framing error（起始位元或停止位元的框格式不正確）；此外還有雜訊造成的錯誤。選項中的 overflow error 並非串列通訊的標準錯誤名稱，容易與 overrun 混淆。故本題應選3。

第19題

在裝配外殼過程中,為保護面板避免損傷,遇有螺母時應使用下列何種工具? 1. 尖嘴鉗 2. 活動扳手 3. 鋼絲鉗 4. 套筒起子。

答案：(4) 套筒起子

解析：裝配外殼、鎖付面板螺母時，若用尖嘴鉗、鋼絲鉗夾持易留下咬痕，活動扳手施力面積小也易刮傷面板。應使用套筒起子（又稱螺帽起子、nut driver），其套筒完整包覆螺母六面，施力均勻且不直接接觸面板表面，可避免面板刮傷與螺母損傷，並確保鎖付力矩適當。故答案選 4。此屬裝配作業之基本防護觀念，亦適用於各類面板緊固件之裝配。

第20題

如下圖電路所示,若三只電晶體的特性完全相同,且其β >>1 ,V 亦等於0 . 7 V ,R = 20 Ω ,則正常工作下I = ? 1. 14 . 6 m A 2. 21 . 7 m A 3. 25 . 7 m A 4. 30 . 6 m A 。

答案：(3) 25 . 7 m A

第21題

傳統示波器中下列何者與水平鋸齒波的產生無關? 1. S L O P E 2. T R I G L E V E L 3. T R I G S O U R C E 4. F O C U S 。

答案：(4) F O C U S

解析：傳統示波器的水平鋸齒波由掃描（時基）電路產生，觸發電路決定掃描何時啟動。SLOPE（觸發斜率）設定在信號上升或下降緣觸發；TRIG LEVEL（觸發準位）設定觸發發生的電壓位準；TRIG SOURCE（觸發源）選擇內部、外部或電源作為觸發信號，三者都與鋸齒波的啟動與同步有關。FOCUS（聚焦）則是調整陰極射線管用靜電透鏡使電子束聚焦、讓畫面清晰，與波形產生完全無關。故選 4。其他選項 1、2、3 皆屬觸發控制，參與掃描動作，非本題所求。

第22題

電氣產品使用印刷電路板,無法減少下列何者? 1. 材料費 2. 勞務費 3. 維修時間 4. 管銷成本。

答案：(4) 管銷成本

第23題

R L 並聯電路的Q 值隨電阻值之增加而做下列何種變化? 1. 變大 2. 變小 3. 不變 4. 不一定。

答案：(1) 變大

解析：並聯 RL 電路之品質因數 Q = R／(ωL)，其中 R 為並聯電阻、L 為電感、ω = 2πf。由公式可知，當頻率與電感固定時，Q 值與電阻 R 成正比，故 R 增大則 Q 變大。此結果與串聯 RL（Q = ωL/R，R 增 Q 變小）相反，解題時須注意電路組態差異。本題為並聯，電阻上升使能量耗散相對減少、選擇性提升，因此選 1（變大）。

第24題

下列那一條信號線不是I E E E - 488 的交握控制信號線? 1. A T N 2. D A V 3. N R F D 4. N D A C 。

答案：(1) A T N

解析：IEEE-488（GPIB）匯流排的握手控制線（handshake）共三條：DAV（Data Valid，資料有效）、NRFD（Not Ready For Data，尚未準備好收資料）、NDAC（Not Data Accepted，尚未接收資料），三者以問答方式確保資料正確傳送。ATN（Attention，注意）屬介面管理線，由控者用來宣告匯流排上傳送的是指令或資料，並非握手線。故選 1。其餘 2、3、4 皆為握手線，不符合「不是握手線」之提問。

第25題

欲使一個N 通道增強型金氧半場效電晶體( M O S F E T ) 工作在飽和區,其偏壓條件為: 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 1

第26題

為了製造價廉物美的音頻振盪器,其內部電路以下列那一個振盪電路比較合適? 1. 哈特萊 2. 考畢茲 3. 維恩電橋 4. 惠斯頓電橋。

答案：(3) 維恩電橋

解析：音頻振盪器（約 20 Hz～20 kHz）宜用 RC 振盪電路。維恩電橋（Wien bridge）為 RC 橋式振盪器，頻率由 R、C 決定，諧波失真低、振幅穩定、電路簡單且成本低，最適合廉價音頻應用。哈特萊與考畢茲均屬 LC 振盪器，適用射頻（MHz 級）而不利音頻；惠斯頓電橋是直流電阻測量電橋，非振盪電路。故選 3。維恩電橋在音頻段頻率穩定且易調，為業界標準方案。

第27題

如下圖所示,化簡該卡諾圖並以和之積( P O S ) 的形式表示,則下列那一個是答案? 1. ( + ) ( A + B ) 2. ( B + C ) ( + ) 3. ( + C ) ( + B ) 4. ( B + ) ( A + ) 。

答案：(2) ( B + C ) ( + )

第28題

如下圖電路所示,V 為多少? 1. 14 V 2. 7 V 3. 1 . 4 V 4. 0 . 7 V 。

答案：(2) 7 V

第29題

若ㄧ微電腦系統具有24 條位址線,則此電腦最大具有多少b y t e 的記憶容量? 1. 16 M 2. 8 M 3. 4 M 4. 2 M 。

答案：(1) 16 M

解析：微電腦每條位址線可表達 0 或 1 兩種狀態，n 條位址線可定址 2^n 個位置；本題 n = 24，故最大記憶容量 = 2^24 byte = 16,777,216 byte ≈ 16 M byte（1 M = 2^20 = 1,048,576）。因此選 1（16 M）。若誤算成 2^23 會得 8 M、2^22 得 4 M，均為干擾項；24 條線即 2 的 24 次方，直接對應 16 M。

第30題

如下圖電路所示,當開關打開( O F F ) 時V = 24 V ,開關接通時( O N ) 流過3 A 電流,a 、c 短路 時其短路電流I 為多少? 1. 4 . 8 A 2. 6 A 3. 8 A 4. 12 A 。

答案：(3) 8 A

第31題

一個0 . 6 H 的電感器加上60 V 之電壓,其d i / d t 值為下列何者? 1. 0 . 01 A / s 2. 1 A / s 3. 10 A / s 4. 100 A / s 。

答案：(4) 100 A / s

解析：電感元件兩端電壓與電流變化率關係式為 v = L·(di/dt)。已知 L = 0.6 H、v = 60 V，代入得 di/dt = v／L = 60／0.6 = 100 A/s。故選 4。此式說明電感電流不能瞬變，其上升斜率由外加電壓與電感值決定；若誤用 60×0.6 會得 36，或漏算小數點易生錯誤，應以除法求變化率方為正確。

第32題

使用準確度為± ( 0 . 2 % 讀數十2 數位) 的交流數位電壓表,量測一未知電壓,電壓表的讀數為100 . 0 m V 時,則此量測值的誤差範圍為何? 1. ± 0 . 2 m V 2. ± 0 . 4 m V 3. ± 2 m V 4. ± 4 m V 。

答案：(2) ± 0 . 4 m V

解析：數位電壓表準確度標示 ±(0.2% 讀值 + 2 數位)。讀值 100.0 mV：讀值誤差 = 0.2% × 100.0 = 0.2 mV。該檔解析度為 0.1 mV（小數一位），2 數位即 2 × 0.1 = 0.2 mV。總誤差 = 0.2 + 0.2 = ±0.4 mV。故選 2。若只算讀值項會誤選 1，忽略數位項則不足；數位式儀表須同時計入讀值百分比與最低位字數兩部分。

第33題

有一指針式直流電壓表其精確度標示為5 % 且電表靈敏度為2 k Ω / V,若以其10 V 檔位量測下 圖20 k Ω 兩端電壓時,下列讀值何者為其可能值? 1. 5 . 6 V 2. 6 . 6 V 3. 9 . 3 V 4. 10 . 2 V 。

答案：(1) 5 . 6 V

第34題

用一低頻方波來檢測放大電路之相位及頻率特性,其輸出方波若變為中央水平部份下凹,左 右兩角同高,則表示該放大電路之低頻響應為何? 1. 增強 2. 衰減 3. 相位後移 4. 相位前移。

答案：(2) 衰減

解析：低頻方波測試用來檢查放大器的低頻響應。方波可視為基本波加上許多諧波；若低頻響應不足，耦合電容在低頻的電抗變大，低頻成分增益下降，方波頂部就會往中央下凹（傾斜下垂），而左右兩角仍同高。這代表低頻段被衰減，並非相位移動。相位失真會讓波形前後緣傾斜不對稱，不會出現中央對稱下凹。因此答案為低頻響應衰減。

第35題

設計鋪銅的印刷電路板時,須在板框四週保留少許無銅箔的空間,其目的為何? 1. 減少雜訊干擾 2. 配合插件加工 3. 過錫爐時有防銲作用 4. 裁切電路板時不會產生銅渣。

答案：(4) 裁切電路板時不會產生銅渣

解析：鋪銅板在板框四周保留無銅箔的禁制區，主要留給銑刀或 V-cut 的裁切路徑。若銅箔延伸到板邊，裁切時銅箔被刀具拉扯會產生毛邊、銅渣與裂銅，可能造成層間短路或板邊導體裸露氧化。保留無銅邊緣可使刀具只切到基材（FR-4）與玻璃纖維，切口平整、不產生銅渣。此設計與雜訊屏蔽、插件定位或防銲作用無直接關係。

第36題

使用圈數比為1 : 100 的比流器( C . T ) 量測,電流表的讀數為3 A ,則待測電流為何? 1. 0 . 03 A 2. 3 A 3. 100 A 4. 300 A 。

答案：(4) 300 A

解析：比流器（C.T）一次側串接於待測電路，二次側接電流表。圈數比 1:100 表示一次側 1 圈對二次側 100 圈，電流與圈數成反比，即 I1/I2 = N2/N1 = 100/1。電流表讀數為二次側電流 3 A，故待測一次側電流 I1 = 3 A × 100 = 300 A。0.03 A 是把比值乘反，3 A 是未乘圈數比，100 A 不符合 I1 = I2 × 100 的換算關係。

第37題

如下圖所示,已知所有的反及閘均使用開路集極的I C 來設計,其中電源電壓V c c 的變化範 圍在4 . 5 V 至5 . 5 V 之間,又V 與V 分別為0 . 5 V 與2 . 5 V ,I 與I 分別為8 m A 與100 μ A,I 與I 分別為– 0 . 5 m A 與50 μ A,請問使用下列多少歐姆的電阻可以使電路的邏輯正 常運作? 1. 5000 歐姆 2. 3000 歐姆 3. 500 歐姆 4.

答案

• 2

第38題

某濾波器的轉移函數 ,則此濾波器為何? 1. 帶拒濾波器 2. 高通濾波器 3. 低通濾波器 4. 帶通濾波器。

答案：(2) 高通濾波器

第39題

下列何種檔案結構儲存時,磁碟片的空間利用率最低? 1. 索引檔 2. 隨機檔 3. 循序檔 4. 索引循序檔。

答案：(2) 隨機檔

解析：隨機檔（又稱直接檔）以記錄編號直接計算位址，每筆記錄長度必須固定，欄位不足時要補空白或補零，因此短資料也會佔用相同空間，磁碟空間利用率最低。循序檔依序緊密排列記錄；索引檔與索引循序檔雖額外多了索引區，但資料本身仍可變長並緊密存放，利用率相對較高。故選隨機檔。

第40題

下列何者不是陶瓷電容器的種類之一? 1. 低電介質常數型 2. 中電介質常數型 3. 高電介質常數型 4. 半導體型。

答案：(2) 中電介質常數型

解析：陶瓷電容器依介電材料介電常數的高低，一般分為低介電常數型（如 NP0，供溫度補償用）、高介電常數型（鈦酸鋇系，容量大但穩定性較差）與半導體型（邊界層陶瓷，體積小、容量大）三類，並沒有「中介電常數型」這個分類。因此「中電介質常數型」不屬於陶瓷電容器的種類。

第41題

如下圖電路所示,其輸出端為" 1 " 的情況有幾種組合? 1. 1 2. 3 3. 4 4. 6 。

答案：(3) 4

第42題

如下圖電路所示,若測得V = 2 V、V = 1 . 6 V、V = 10 V,則下列何者為可能的故障原因? 1. R 短路 2. R 開路 3. 電晶體B - C 接面短路 4. R 短路。

答案：(2) R 開路

第43題

若一C P U 具有16 M b y t e s 記憶體,且指令集具有256 個指令,則使用累積器配合記憶體直 接定址的指令需有幾個位元組? 1. 7 個 2. 6 個 3. 5 個 4. 4 個。

答案：(4) 4 個

解析：記憶體容量 16 Mbytes = 16 × 2^20 = 2^24 bytes，位址匯流排需 24 條線，位址欄位佔 24 bits，即 3 bytes。指令集有 256 個指令 = 2^8，操作碼需 8 bits，即 1 byte。累積器配合記憶體直接定址的指令格式為 1 byte 操作碼加上 3 bytes 位址，合計 4 bytes。

第44題

關於電腦中堆疊的敘述,下列何者錯誤? 1. 副程式的呼叫需使用堆疊 2. 堆疊的操作須使用R O M 3. 中斷的要求需使用堆疊 4. 堆疊可由高位址往低位址存資料,亦可由低位址往高位址存資料。

答案：(2) 堆疊的操作須使用R O M

解析：堆疊是後進先出（LIFO）的資料結構，必須存放在可讀寫的 RAM 中，不能使用唯讀的 ROM，故「堆疊的操作須使用 ROM」是錯誤敘述。副程式呼叫時要把返回位址推入堆疊；中斷發生時也要保存返回位址與旗標，因此兩者都需要堆疊。堆疊指標可設計成由高位址往低位址遞減，或由低位址往高位址遞增，兩種方式皆可。

第45題

每單位的固定成本會隨著產量的增加而作何種變化? 1. 減少 2. 固定不變 3. 增加 4. 不一定。

答案：(1) 減少

解析：固定成本總額在相關範圍內不因產量變動而改變，但「每單位固定成本」＝總固定成本÷產量。當產量增加，分母變大、商值變小，故每單位固定成本隨產量增加而減少。例如總固定成本10,000元，產量100件時每件100元；產量增至200件時每件降為50元。此即規模經濟中固定成本分攤的概念。選項2固定不變是指「總」固定成本而非每單位；選項3增加與公式結果相反；選項4不一定也不正確，因總固定成本既定時每單位必遞減。故選1。

第46題

下列那一種方法不是消除鍵盤上多重按鍵的技術? 1. 2 - k e y l o c k o u t 2. 2 - k e y r o l l o v e r 3. n - k e y l o c k o u t 4. n - k e y r o l l o v e r 。

答案：(3) n - k e y l o c k o u t

解析：鍵盤處理多重按鍵的標準技術有：2-key lockout（二鍵鎖定，按超過兩鍵時全部忽略）、2-key rollover（二鍵輪詢，可同時辨識兩鍵）、n-key rollover（全鍵無衝突 NKRO，可辨識任意多鍵）。「n-key lockout」並非業界或教科書中的標準多重按鍵處理技術，因一旦可處理 n 鍵（全部按鍵）便無須鎖定，此名詞並不存在。題目問「不是」該技術者即為 n-key lockout。rollover 與 lockout 皆用於解決鬼鍵（ghosting）或多鍵衝突，唯 n-key lockout 不屬此類。故選3。

第47題

設有四個輸入變數的布林函數式f ( A , B , C , D ) ,若要使用多工器來實現此函數時,則選用下列 何者為最佳? 1. 4 對一 2. 8 對一 3. 16 對一 4. 32 對一。

答案：(2) 8 對一

解析：以多工器實現 n 個輸入變數的組合函數，一般取 n−1 個變數作選擇線，剩餘 1 個變數視真值表接至資料輸入端。本題 f(A,B,C,D) 有 4 個變數，取 A、B、C 作為 8 對 1 多工器的 3 條選擇線（2^3＝8），D 接成各資料端的 0、1、D 或 D' 即可完成，最精簡。若用 4 對 1，選擇線僅 2 條，剩餘 2 變數須外加閘門；用 16 對 1 雖可對應 4 條選擇線但直接映射並非最經濟。故在「最佳」（最精簡有效）考量下選 8 對 1。選2。

第48題

若欲傳遞2 k H z 的正弦波信號,則其取樣頻率最低需為多少? 1. 1 k H z 2. 2 k H z 3. 4 k H z 4. 8 k H z。

答案：(3) 4 k H z

解析：依奈奎斯特—香農取樣定理（Nyquist-Shannon sampling theorem），為能無失真重建類比信號，取樣頻率 f_s 必須大於或等於信號最高頻率 f_max 的兩倍，即 f_s ≥ 2·f_max。本題正弦波頻率 f_max ＝ 2 kHz，故最低取樣頻率 f_s(min) ＝ 2 × 2 kHz ＝ 4 kHz。若取樣頻率低於 4 kHz（如 1 kHz、2 kHz）將發生混疊（aliasing），無法正確還原原信號。選項1、2皆低於需求；選項4雖可行但非題目所問的「最低」。故選3。

第49題

通常手工具作業時,工具頭(刀鋒、切刃等)之運動方向不得朝向下列何種方向? 1. 身體內側 2. 身體左側 3. 身體右側 4. 身體外側。

答案：(1) 身體內側

解析：手工具作業安全基本原則：刀鋒、切刃等工具頭的運動方向不得朝向身體，尤其不得朝向身體內側（胸腹方向），以免施力失控時直接傷及自身。正確施力應使工具頭朝身體外側或側方、遠離人員的方向。職業安全衛生相關規範與職業訓練教材均強調，操作時身體應退於工具運動路徑之外。選項2、3（左、右側）仍屬身體範圍；選項4身體外側為相對安全方向，非禁止。最明確禁止且最危險者為朝向身體內側。故選1。

第50題

電壓表靈敏度為10 k Ω / V ,精確度為1 %置於滿刻度電壓10 V 測量範圍,測量如下圖所示電 路中之R 1 兩端電壓,則電表的讀數應為何? 1. 0 . 33 V 2. 3 . 3 V 3. 0 . 55 V 4. 5 . 5 V 。

答案：(2) 3 . 3 V

第51題

若要將一週期為T 的三角波變為方波,則除了『使用R C 串聯電路』且『信號由電阻兩端輸 出』這兩個條件之外,R C 值採用下列何者為宜? 1. R C ≦0 . 5 T 2. R C ≦0 . 05 T 3. R C >0 . 5 T 4. R C >5 T 。

答案：(2) R C ≦0 . 05 T

解析：將三角波轉為方波可利用 RC 微分電路：RC 串聯、由電阻兩端輸出，輸出電壓 v_o ≈ RC·(dv_in/dt)。三角波每半週為直線，其微分為常數，故輸出近似方波。要使微分成立，時間常數 τ ＝ RC 必須遠小於信號週期 T（常取 RC ≤ 0.05T，即 T/20 或更小），否則波形失真。選項1（≤0.5T）太大、微分不良；選項3、4（>0.5T、>5T）屬積分條件，輸出趨近原波形而非方波。故宜選 RC ≦ 0.05T，即選2。

第52題

在雙載體接面電晶體( B J T ) 電路中,何者是因歐萊效應( E u r l y e f f e c t ) 所發生的? 1. 穿透崩潰 2. 累增崩潰 3. 射極寬度變大 4. I 產生了飽和。

答案：(1) 穿透崩潰

第53題

一放大器輸入端的信號電壓為10 m V,雜訊電壓為0 . 1 m V,測得其輸出端的信號電壓為1 V , 雜訊電壓為20 m V ,則該放大器的雜訊指數為何? 1. 6 d B 2. 34 d B 3. 40 d B 4. 46 d B 。

答案：(1) 6 d B

解析：雜訊指數 NF = (SNR)_in / (SNR)_out，SNR須以功率比計算。輸入、輸出阻抗相同時 P∝V²：輸入 SNR = (10mV/0.1mV)² = 100² = 10⁴；輸出 SNR = (1V/20mV)² = (1000/20)² = 50² = 2500。NF(線性)=10⁴/2500=4。NF(dB)=10·log₁₀(4)=10×0.602=6.02dB≈6dB。若直接用電壓比代入會得2(3dB)，但雜訊指數定義採功率比，故為6dB。選項1正確，其餘選項(34、40、46dB)數值不符。

第54題

新竹科學園區集合了半導體的上中下游產業,是為了降低成本。請選擇下列節省最多費用的 項目為何? 1. 材料費用 2. 勞務費用 3. 製造費用 4. 管銷費用。

答案：(4) 管銷費用

解析：新竹科學園區將半導體上、中、下游產業聚集（產業群聚），主要透過縮短供應鏈距離，降低運輸、通訊、倉儲與協調等交易成本。這類費用多歸屬於管銷費用（銷管費用，含運費、交際、行政管理）。材料費受市價主導；勞務費、製造費可因分工提升效率，但群聚最直接且最大幅節省的是因地理鄰近而減少的管銷相關支出。故相較其他項目，節省最多者為管銷費用。選4。

第55題

下列何者不是針對吸入性化學藥物的急救方法? 1. 立即用大量水沖洗 2. 將患者搬運至空氣新鮮處 3. 倘停止呼吸,需立即施行人工呼吸 4. 使患者保持溫暖及寧靜。

答案：(1) 立即用大量水沖洗

解析：題目問「不是」吸入性化學藥物急救方法。吸入中毒的處理原則是儘速讓患者脫離暴露源：將患者搬運至空氣新鮮處（選項2）、若停止呼吸立即施行人工呼吸（選項3）、使患者保持溫暖與寧靜以避免耗氧與休克（選項4），三者皆正確。選項1「立即用大量水沖洗」屬於皮膚接觸或眼睛濺入化學物時的處置（如強酸強鹼灼傷），並不能解決已吸入氣道的毒物，故為本題答案。急救時應先辨別暴露途徑（吸入、食入、皮膚接觸），對應不同處置，切勿混淆。

第56題

傳統示波器所使用的C R T 影像管採用的偏向方法為下列何者? 1. 電場偏向 2. 磁場偏向 3. 重力場偏向 4. 離心力偏向。

答案：(1) 電場偏向

解析：傳統示波器（CRT示波器）的電子束偏向採用「電場偏向（靜電偏向）」，由水平與垂直偏向板施加電壓形成電場，使電子束依信號偏轉，其優點是慣性小、高頻響應佳。相對地，電視機、電腦顯示器與雷達螢幕的CRT因螢幕大、需大偏轉角度，才使用「磁場偏向（電磁偏向）」線圈。重力場偏向與離心力偏向並非示波器影像管所用技術，故選項2、3、4皆錯，本題選1。

第57題

下列何者為一般矽單向開關( S U S ) 的轉態電壓? 1. ± 8 V 2. 8 V 3. 20 V 4. ± 20 V 。

答案：(2) 8 V

解析：矽單向開關（SUS, Silicon Unilateral Switch）是一種單向觸發元件，其轉態（崩潰、breakover）電壓典型值約為8V，僅單一極性導通。若為雙向的矽雙向開關（SBS, Silicon Bilateral Switch），其轉態電壓才為±8V。題目明確為單向（SUS），故應選單向的8V（選項2），而非±8V（選項1、4）或20V（選項3）。SUS常作為閘流體或電源電路的觸發元件。

第58題

量測調頻接收機的靈敏度,最適當的量測儀表為下列何者? 1. 標準信號產生器 2. 調頻立體信號產生器 3. 掃描信號產生器 4. 指標信號產生器。

答案：(1) 標準信號產生器

解析：量測調頻接收機靈敏度(如30dB靜音靈敏度或S/N靈敏度)，需由信號產生器送出特定頻率(如98MHz)、含1kHz調變音、75kHz偏移(75µs預強調)的FM射頻測試信號，逐步提高準位至輸出達規格S/N。此測試使用「標準信號產生器」，因其可輸出校準、穩定之FM調變RF信號。掃描信號產生器用於頻率響應掃描；指標信號產生器用於頻譜標記；FM立體信號產生器主要測立體解碼電路，非基本靈敏度量測所需。故最適當為選項1。

第59題

下列何組16 進制資料用來作R A M 的測試最好? 1. 5 A 、A 5 2. 55 、A A 3. 0 F 、F 0 4. 00 、F F 。

答案：(2) 55 、A A

解析：RAM測試最常用「棋盤式（checkerboard）」圖樣，即以16進制55（二進制01010101）與AA（10101010）交替寫入。此兩組資料每一位元皆互補，可最有效偵測相鄰位元黏著（stuck-at）、短路及耦合雜訊。雖然00與FF（全0、全1）亦可用於邊界測試，但55/AA因位元交替最嚴苛，被視為最佳基本測試組合。故選項2正確，選項1（5A/A5）、3（0F/F0）圖樣變化不如55/AA完整。

第60題

下列那一種編碼其相鄰數碼均僅有一個位元不同? 1. 格雷碼 2. 超三碼 3. E B C D I C 碼 4. 循環多餘偵錯碼。

答案：(1) 格雷碼

解析：格雷碼（Gray code）的特性是任兩個相鄰數碼（含最大值循環回到最小值）之間，僅有一個位元發生變化，可避免數位電路在計數切換時產生瞬間錯誤（毛刺），常見於旋轉編碼器與非同步計數。超三碼（Excess-3）是BCD加3的表示法；EBCDIC為IBM字元碼；循環多餘偵錯碼（CRC）用於錯誤偵測，皆不具備「相鄰僅一位元不同」的編碼特性。故選1。

第61題

下列有關歐姆表敘述何者是正確的? 1. 歐姆表刻度是線性的 2. 待測電阻愈大時,歐姆表的內阻要愈小 3. 半刻度值為歐姆表的內阻 4. 欲測電阻時無需做零位調整。

答案：(3) 半刻度值為歐姆表的內阻

解析：串聯式歐姆表的刻度為非線性（對數型、右密左疏），故選項1錯。當待測電阻等於歐姆表內阻（含電池內阻、表頭與串聯電阻）時，電流為滿刻度的二分之一，指針恰指在中間，因此「半刻度值即為歐姆表內阻」是正確觀念（選項3）。待測電阻愈大時指針偏轉愈小，與內阻大小無此簡單關係，選項2錯；測量前必須短接兩棒做歐姆調零（zero adjust）以補償電池電壓變化，選項4錯。故選3。

第62題

若銲錫的編號為R H 60 — 1 . 0 則下列對此銲錫之敘述何者為錯誤? 1. 銲錫的含錫量為60 % 2. 銲錫內加有松香 3. 銲錫的外徑尺寸為1 . 0 m m 4. 銲錫熔點溫度約為120 °C。

答案：(4) 銲錫熔點溫度約為120 °C

解析：銲錫編號RH60-1.0中：R代表松香（Rosin）、H為助焊劑型態，60表示含錫量約60%（其餘多為鉛），1.0表示線徑（外徑）為1.0mm，故選項1、2、3皆正確。60/40錫鉛銲料為共晶合金，熔點約183°C；即使非共晶 also 遠高於120°C。因此「熔點約120°C」明顯錯誤，為本題答案（選項4）。選購與使用銲錫時，編號的數字代表成分與線徑，熔點須查合金相圖。

第63題

設計印刷電路板時,銲點的直徑為60 m i l,且兩者相隔100 m i l ,若要在中間穿過兩條寬11 m i l 的銅箔線,則彼此間的距離為多少? 1. 3 m i l 2. 6 m i l 3. 16 m i l 4. 26 m i l 。

答案：(2) 6 m i l

解析：兩銲點中心距100mil，直徑各60mil，故半徑30mil。兩銲點邊緣間距＝100−30−30＝40mil。中間穿過兩條寬11mil銅箔線，兩線總寬＝22mil，剩餘間隙＝40−22＝18mil。將此18mil平均分為三個等距間隔（第一線前、兩線之間、第二線後）：18÷3＝6mil。故兩條銅箔線彼此間的距離為6mil（選項2）。此計算為PCB佈線間距的基本幾何分配，確保線與線、線與銲點皆保持6mil安全間距。

第64題

有關光二極体( P h o t o D i o d e ) 的敘述,下列何者錯誤? 1. 開路時經光照射兩端將產生電壓 2. 應用時是接受光線的照射,而非產生光線 3. 使用時是加上逆向偏壓 4. 照度愈強其導通電流愈大。

答案：(1) 開路時經光照射兩端將產生電壓

第65題

布林代數式化簡方法中,下列那一種較適用於電腦程式處理? 1. 代數定律 2. 卡諾圖法 3. 科林頓法 4. 列表法。

答案：(4) 列表法

解析：列表法（Quine-McCluskey 法）把最小項以二進位列表，依固定規則逐次合併、刪除多餘項，步驟明確可條列化，最適合寫成電腦程式處理。卡諾圖化簡需靠人眼辨識相鄰方格與圖形，變數多時不適用；代數定律化簡則依賴經驗與技巧，沒有固定演算法，難以程式化。

第66題

在一定電流下,溫度每升高1 °C時,矽電晶體的 變化約為下列何者? 1. -2 m V 2. -4 m V 3. +2 m V 4. +4 m V 。

答案：(1) -2 m V

解析：在一定集極電流下，矽電晶體的基射極壓降 VBE 具有負溫度係數，約為 -2 mV/°C。原因是 IC 與 IS 成正比，而 IS 隨溫度上升呈指數增加，因此要維持同一電流，所需的 VBE 反而下降。實務上此特性常用於溫度補償與 VBE 溫度感測。

第67題

下列I C 包裝,何者並非表面黏著元件( S M D ) 型式? 1. P L C C 2. B G A 3. Q F P 4. P G A 。

答案：(4) P G A

解析：PGA（Pin Grid Array，針腳陣列）底面為插入式針腳，必須插入插座或穿孔焊接，屬於穿孔式（THT）封裝，不是表面黏著。PLCC、QFP、BGA 都是直接平貼在電路板表面焊接的 SMD 型式，其中 BGA 以球狀錫球陣列接腳，適合高腳數元件。

第68題

如下圖電路所示,其計數模數為何? 1. 5 2. 6 3. 7 4. 8 。

答案：(2) 6

第69題

如下圖電路所示,其輸出電壓V =? 1. 8 V 2. 10 V 3. 12 V 4. 14 V 。

答案：(2) 10 V

第70題

砷化鎵( G a A s ) 元件與相對應的矽元件相比較,下列敘述何者為錯誤? 1. 砷化鎵元件有較高的輸出電流 2. 砷化鎵元件有較高的g 3. 砷化鎵元件有較高的操作速度 4. 砷化鎵元件有較高的 電洞漂移移動率( m o b i l i t y ) 。

答案：(4) 砷化鎵元件有較高的 電洞漂移移動率( m o b i l i t y )

解析：砷化鎵的電子移動率約為矽的數倍，因此操作速度較高、互導 gm 較大；但電洞移動率比矽低，並非較高，故第4項敘述錯誤。砷化鎵屬化合物半導體，能隙較大、耐高溫與高頻特性佳，常用於高頻與高速元件；其缺點是電洞傳導差，較不利於需要良好 P 型通道的元件。

第71題

在一定電流下,溫度每升高1 °C時,矽二極體兩端壓降的變化約為下列何者? 1. +2 m V 2. +4 m V 3. -2 m V 4. -4 m V 。

答案：(3) -2 m V

解析：在一定電流下，矽二極體的順向壓降約為 -2 mV/°C，溫度升高時壓降下降。原因同樣是逆向飽和電流隨溫度呈指數上升，同一電流下所需順向電壓變小。此負溫度係數是判斷二極體溫度補償與熱跑脫的重要依據，與電晶體 VBE 的溫度係數一致。

第72題

具有閘極端點的光S C R ,下列敘述何者錯誤? 1. 可用電脈衝觸發 2. 可用光來觸發 3. 閘極與陰極間加上愈低的電阻值,則其對光的靈敏度愈高 4. 用光及電脈衝皆可觸發。

答案：(3) 閘極與陰極間加上愈低的電阻值,則其對光的靈敏度愈高

解析：閘極與陰極間電阻愈低，會把光產生的載子電流經電阻旁路（分流）掉，閘極更不易累積到觸發電壓，對光的靈敏度反而下降，故第3項錯誤。光 SCR 可由光照射或閘極電脈衝兩種方式觸發，兩者皆能使元件由截止轉為導通，因此可用電脈衝觸發、也可用光觸發。

第73題

壓電型超音波感測器,其工作頻率約在下列何種範圍? 1. 10 k H z 2. 40 k H z 3. 200 k H z 4. 400 k H z 。

答案：(2) 40 k H z

解析：壓電型超音波感測器（如空氣中測距用的發射與接收對）常見工作頻率約為 40 kHz，此頻率在空氣中衰減與指向性之間取得平衡。10 kHz 波長太長、解析度差；200 kHz 與 400 kHz 在空氣中衰減過大，傳輸距離短，多用於水中或特殊檢測場合。

第74題

設 、 分別為低通濾波A 及高通濾波器B 之截止頻率,將A 與B 串聯,則下列敘述何者正 確? 1. 若 > ,且A 在前B 在後,可成帶通濾波 2. 若 > ,且B 在前A 在後,可成帶通濾波 3. 若 > ,則不論誰前誰後,可成帶通濾波 4. 若 > ,則不論誰前誰後,可成帶拒濾波。

答案：(3) 若 > ,則不論誰前誰後,可成帶通濾波

第75題

下列何者並非為預防游離輻射危害之原則? 1. 時間 2. 距離 3. 屏蔽 4. 速度。

答案：(4) 速度

解析：游離輻射防護的三原則為時間、距離與屏蔽：縮短曝露時間以降低累積劑量；加大與射源的距離，因劑量率與距離平方成反比；在射源與人員之間加裝鉛板、混凝土等屏蔽以衰減輻射。速度與人員所受劑量無關，並非防護原則，故選4。

第76題

矽控整流器( S C R ) 的閘極觸發脈波寬度若小於下列何者時,將無法觸發矽控整流器進入導通 狀態? 1. 1 m s 2. 100 μ s 3. 10 μ s 4. 1 μ s 。

答案：(4) 1 μ s

第77題

C P U 執行指令的速度為100 M I P S ,則此C P U 平均執行一個指令的時間需多少? 1. 1 μ s 2. 100 n s 3. 10 n s 4. 1 n s 。

答案：(3) 10 n s

解析：MIPS 代表每秒百萬個指令，100 MIPS 即每秒可執行 100×10^6 個指令，所以指令週期 T＝1／f＝1／（100×10^6）秒＝10^-8 秒。將秒換算成奈秒，10^-8 秒＝10 ns。1 μs 等於 1000 ns，執行速度僅 1 MIPS；100 ns 則相當於 10 MIPS，皆與題意不符，故選 10 ns。

第78題

下列何者,不是電壓隨耦器之優點? 1. R i 很高、R o 很低 2. 可減低前級之負載 3. 可增加後級之信號源內阻 4. 電流增益大於1 。

答案：(3) 可增加後級之信號源內阻

解析：電壓隨耦器是將運算放大器接成電壓增益約等於 1 的緩衝級，其輸入阻抗極高、輸出阻抗極低，因此可作為阻抗匹配的緩衝器：對前級而言幾乎不取電流，減輕前級負載；對後級而言，等於把訊號源內阻降到很低再驅動負載，並提供遠大於 1 的電流增益。選項 3 說「可增加後級之信號源內阻」正好與隨耦器的功能相反，隨耦器是降低後級所看到的訊號源內阻，故不是它的優點。

第79題

下列那一個不是惠斯頓電橋量測誤差的原因? 1. 零值檢知器的靈敏度不夠 2. 電橋外部的引線電阻過大 3. 流經電阻器的電流所引起的熱效應 4. 電源電力不足。

答案：(4) 電源電力不足

解析：惠斯頓電橋採用零位（平衡）量測法，平衡條件為對角橋臂電阻乘積相等，即 R1×R4 = R2×R3，此條件與電源電壓大小無關；電源電壓不足只會使檢流計偏轉量變小，不會讓電橋在錯誤的電阻值上達成平衡，故不是量測誤差的原因。反之，零值檢知器靈敏度不足會使操作者誤判平衡點、外部引線電阻過大會併入橋臂電阻、電流通過電阻產生的熱效應會使阻值隨溫度漂移，三者都會造成實際量測偏差。

第80題

如下圖電路所示要產生振盪時,R 的最大值不應超過下列何者? 1. 3 k Ω 2. 20 k Ω 3. 50 k Ω 4. 100 k Ω 。

答案：(1) 3 k Ω