民國99年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第27題
有關快閃記憶體( F l a s h M e m o r y ) 之敘述,下列何者為錯誤?
題目
有關快閃記憶體( F l a s h M e m o r y ) 之敘述,下列何者為錯誤?
- (1) 可電抹除
- (2) 可寫入
- (3) 為揮發性記憶體
- (4) 位元成本低於E E P R O M
官方答案
(3) 為揮發性記憶體
解析
快閃記憶體（Flash Memory）屬於非揮發性記憶體，電源移除後資料仍可保留，所以「為揮發性記憶體」的敘述錯誤。它可電抹除（以區塊為單位）且可重複寫入，儲存單元只需一個浮閘電晶體，密度高、結構簡單，因此位元成本低於EEPROM。典型的揮發性記憶體是DRAM與SRAM，一旦斷電資料即消失，須持續供電或週期性刷新，與快閃記憶體特性不同。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。