民國99年 第3梯次 11600 電力電子甲級 學科考古題與答案

第1題

目前使用於中大型工具機之饋送( F e e d ) 馬達以何種馬達較多? 1. 變頻馬達 2. 直流整流子式伺服馬達 3. 步進馬達 4. 渦流( E C ) 馬達。

答案：(1) 變頻馬達

第2題

下圖所示為一同位元產生器,若 = 0,則輸出P 是屬於 1. 奇同位 2. 偶同位 3. 零同位 4. 複同位。

答案：(1) 奇同位

第3題

下圖所示之電路,V R 1 為線性可變電阻,則其與R 1 之合成輸出R T 為下列何種特性? 1. A 曲線 2. B 曲線 3. C 曲線 4. 視R 1 之性質而定。

答案：(3) C 曲線

第4題

對有飛輪二極體之電感性負載而言,下圖中兩種負載電壓波形之電磁雜訊何種較小? 1. A 小 2. B 小 3. A 和B 一樣大 4. 皆無。

答案：(1) A 小

第5題

下列何者不是截止( T u r n O f f ) S C R 之方法? 1. 令陽極電流為零 2. 令陽極與陰極短路 3. 令閘極開路 4. 令陽極電流降至保持電流以下。

答案：(3) 令閘極開路

解析：SCR 一旦觸發導通，閘極便失去控制能力，因此把閘極開路並不能使已導通的 SCR 截止，這正是閘極喪失控制作用的緣故。要使 SCR 截止，必須讓陽極電流降到保持電流（IH）以下，或使陽極與陰極短路、陽極電流歸零，或施加反向陽極電壓，使內部的再生導通條件被破壞，讓元件自然回復阻斷狀態。選項 1、2、4 都屬於使陽極電流中斷或反向的換流（commutation）方式，確實可以關斷 SCR。

第6題

下圖所示之電路,當開關S 1 閉合( O N ) 時,R L 1 將如何? 1. 立刻激磁 2. 延遲激磁 3. 無反應 4. 間歇激磁。

答案：(2) 延遲激磁

第7題

三相變流器之直流供應電壓為300 V,若以六步方波方式操作則其輸出線電壓基本波之有效值 為多少伏特? 1. 123 V 2. 150 V 3. 234 V 4. 300 V 。

答案：(3) 234 V

解析：六步方波三相變流器的線電壓為120°寬的脈波，其基本波有效值公式為V_LL1(rms)=√6/π×Vdc。代入Vdc=300 V，得0.7797×300≒233.9 V，約234 V。選項300 V是直流鏈電壓，不是基本波有效值；123 V與150 V則明顯偏低。此題只取基本波，不含諧波。

第8題

下列太陽能電池中,何者之轉換效率為最高? 1. 單晶矽 2. 多晶矽 3. 砷化鎵 4. 硫化鎘。

答案：(3) 砷化鎵

解析：砷化鎵（GaAs）屬於 III-V 族化合物半導體，其能隙約 1.42 eV，接近太陽光譜的最佳匹配值，且光吸收係數大、可直接製成薄膜，因此單接面與多接面（串疊）電池的實驗室效率可達 30% 以上，是所列材料中轉換效率最高的。單晶矽商業模組效率約 20～25%，多晶矽略低，約 17～20%；硫化鎘（CdS）多作為異質接面電池的窗口層或薄膜電池材料，其效率明顯低於前述三者。

第9題

下圖所示電路中,電流為連續i ,若正負半波對稱觸發且( T 、T ) 及( T 、T ) 成對導通,則i 波 形為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 1

第10題

下列有關散熱片散熱能力之敘述何者為錯誤? 1. 散熱片之鰭片形狀設計及材料之選擇 2. 與散熱片重量有關,而與散熱片之表面積無關 3. 功率元件在散熱片上的相關位置 4. 功率元件與散熱片接觸面積之大小。

答案：(2) 與散熱片重量有關,而與散熱片之表面積無關

解析：散熱片的散熱能力主要由熱阻決定，而熱阻與散熱片總表面積（含鰭片數量與形狀）、材質的熱傳導係數、空氣流動情形及鰭片設計有關；重量本身不是決定散熱能力的參數，重量大不代表表面積大。因此「與重量有關、與表面積無關」的說法正好相反，是錯誤的敘述。選項 1 的鰭片形狀與材料選擇、選項 3 的功率元件安裝位置（影響熱擴散與溫度分布）、選項 4 的接觸面積（影響接觸熱阻）都會實際影響散熱效果。

第11題

如圖所示電路中,若12 Ω 電阻兩端的電壓 為7 伏特,則電流源I 為: 1. 6 2. 4 3. 2 4. 5 安培。

答案：(3) 2

第12題

如下圖所示之三相橋式全波整流器電路,若輸入電壓為三相線電壓V = 480 V r m s 、60 H z 、 二極體均為理想、R = 10 Ω 、L = 10 m H 。試求輸出負載之平均電壓V ( a v g ) = ? 1. 612 V 2. 624 V 3. 635 V 4. 648 V 。

答案：(4) 648 V

第13題

十進位數( - 34 ) 以二的補數表示時,下列何者正確? 1. 10100010 2. 10101110 3. 11011101 4. 11011110 。

答案：(4) 11011110

解析：以 8 位元二補數表示 -34：先取 +34 的二進位 0010 0010，位元全部反相得 1101 1101，再加 1 得 1101 1110，即十六進位 DE，也就是選項 4 的 1101 1110。驗算：1101 1110 的最高位為 1，代表負數，其值為 -(0010 0001+1) = -(0010 0010) = -34，正確。選項 3 的 1101 1101 只是反相結果、尚未加 1，實際代表 -35；選項 1、2 的二進位值分別為 -94、-82，都不是 -34。

第14題

下述電子零件之特性何者有誤? 1. 繞線式電阻器,常見於大功率電阻器,可用於電源之電路, 具電感性 2. 碳膜電阻器體積小、雜音低,常見於儀器用精密電阻器中 3. 鉭質電容器單位體積之容量最高,比鋁電解質電容器較穩定 4. 陶質電容器、積層電容器可用於直流電源之高頻旁路。

答案：(2) 碳膜電阻器體積小、雜音低,常見於儀器用精密電阻器中

解析：碳膜電阻器以碳質薄膜製成，成本低、體積小，但雜音（noise）較大、溫度係數與容差較差（常見 ±5% 以上），並不適合做精密電阻；精密儀器通常採用金屬膜或精密繞線電阻。因此選項 2 稱碳膜電阻「雜音低、常見於精密電阻器」並不正確。選項 1 所述繞線電阻因線圈結構而具電感性，常用於大功率與電源電路，正確；選項 3 的鉭質電容單位體積容量大、穩定性優於鋁電解電容，正確；選項 4 的陶質與積層電容高頻特性佳，適合直流電源的高頻旁路。

第15題

下列十六進位數值何者不屬於偶同位( E v e n P a r i t y ) ? 1. 3 F 2. E 7 3. 41 4. 67 。

答案：(4) 67

解析：偶同位（Even Parity）要求整個位元組（含同位位元）中「1」的個數為偶數，也就是資料本身 1 的個數必須為偶數，同位位元才能補成偶數。逐一檢視：3F = 0011 1111 共有 6 個 1，為偶數；E7 = 1110 0111 共有 6 個 1，為偶數；41 = 0100 0001 共有 2 個 1，為偶數；67 = 0110 0111 共有 5 個 1，為奇數，不符合偶同位。因此答案為 4。

第16題

下列元件中,何者的安全動作範圍( S O A ) 最狹小? 1. I P M 2. P O W E R B J T 3. I G B T 4. P O W E R M O S F E T 。

答案：(2) P O W E R B J T

解析：安全動作範圍（SOA）指元件同時承受電壓與電流而不損壞的界限。功率 BJT 除了額定電流、電壓與功率限制外，還有二次擊穿（secondary breakdown）限制，在較高電壓時容許電流迅速下降，因此 SOA 最為狹小，使用時須加充分的降額與保護。功率 MOSFET 因具正溫度係數，無二次擊穿問題，SOA 較寬；IGBT 與 IPM（智慧功率模組）雖有寄生閘流體閉鎖等限制，但 SOA 仍優於 BJT，且 IPM 內建過電流、過熱保護，容許操作範圍相對較大。

第17題

調整下圖所示電路之中弦波電流源頻率ω ,使得 與 同相位,求此頻率ω 為何? 1. 100 2. 144 3. 200 4.

答案

• 3

第18題

下圖所示之電路,若R O M 2 的位址為04 H 至07 H ,R O M 1 的位址為08 H 至0 B H ,則P A L 的輸出函數F 1 ,F 2 分別為: 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 4

第19題

保險絲盒及動力開關盒之內面一般以何種顏色作警告: 1. 黃 2. 紅 3. 綠 4. 白。

答案：(2) 紅

解析：工業安全配色中，紅色代表危險、禁止與消防設備，因此保險絲盒及動力開關盒的內面通常漆成紅色，提醒人員盒內帶有帶電部位或高能量，開啟前必須先斷電。黃色雖也用於警告，但多作為「注意」標誌的底色或標示機械危險；綠色代表安全狀態、急救或避難方向；白色則常作指示標示或文字底色。三者都不是配電箱內面的警告色，故選紅色。

第20題

在測試線性放大器之頻率響應時,對頻率產生器之輸入波形控制應選用 1. 正弦波 2. 方波 3. 三角波 4. 脈波。

答案：(1) 正弦波

解析：頻率響應是量測放大器在不同頻率下的增益（dB）與相位差，必須使用單一頻率的正弦波，逐點改變頻率來掃描。正弦波是唯一不產生諧波失真的波形，通過線性網路後仍為同頻正弦波，只是振幅與相位改變，因此可直接讀出該頻率的增益與相位移。方波、三角波與脈波都含豐富諧波，會同時激勵多個頻率成分，輸出波形混雜，難以判讀單一頻率的響應，故不適用於此項測試。

第21題

有一J F E T 之輸出特性曲線通過原點,若工作區在原點附近時,則此J F E T 亦可作為 1. 整流用 2. 穩壓器用 3. 壓電變阻器( V o l t a g e R e s i s t o r ) 用 4. 保護用。

答案：(3) 壓電變阻器( V o l t a g e R e s i s t o r ) 用

解析：JFET工作在VDS很小、工作點靠近原點的区域時，輸出特性近似通過原點的一條直線，其斜率（即通道電阻）由閘源電壓VGS控制；VGS越負，空乏區越寬，通道電阻越大。因此此區可視為電壓控制的可變電阻（Voltage Variable Resistor），常用於電子衰減器、AGC自動增益控制與可變濾波器。整流需單向導電特性，穩壓需穩定參考電壓，保護需箝位或崩潰特性，均非原點附近線性電阻區的功能。

第22題

如下圖所示,其電感L 及電容C 的功能敘述何者正確? 1. 作為變頻器使用 2. 作為整流器用 3. 作為低通濾波器用 4. 作為電流調節器用。

答案：(3) 作為低通濾波器用

第23題

下圖電路中,若開關S W 在t = 0 時閉合,經多少秒後流過電感之電流i 等於零? 1. 0 . 01 秒 2. 0 . 1 秒 3. 1 秒 4. 2 秒。

答案：(2) 0 . 1 秒

第24題

下圖所示之電晶體交換電路中的電容器C ,其目的為 1. 減少交換時間 2. 增加交換時間 3. 耦合輸入訊號 4. 反交連電容器。

答案：(1) 減少交換時間

第25題

變壓器初級與次級之匝數比為10 : 1,若初級線圈自感量為10 m H,則次級線圈自感量為多少? 1. 0 . 01 m H 2. 0 . 1 m H 3. 1 m H 4.

答案

• 2

解析：電感量與線圈匝數的平方成正比，即 L ∝ N²。設初級匝數N1、次級N2，N1：N2 = 10：1，則 L2 = L1 × (N2/N1)² = 10 mH × (1/10)² = 10 mH × 0.01 = 0.1 mH。因此次級自感量為0.1 mH。若誤以為電感與匝數一次方成正比，會算出1 mH；若把比值方向弄反，則會得到100 mH，兩者都不正確。

第26題

下列之布林代數運算何者錯誤? 1. ( + B ) A = B 2. A + = 1 3. A = 0 4. A + = A + 。

答案：(1) ( + B ) A = B

解析：以布林代數分配律展開第1式左邊：(A + B)A = A·A + AB = A + AB，再由吸收律 A + AB = A，結果為A而不是B，故此式錯誤。其餘三式均為基本定律：A + Ā = 1為互補律，A·Ā = 0為互補律的另一形式，A + ĀB = A + B可用A + ĀB = (A + Ā)(A + B) = A + B化簡證明。因此錯誤的運算式為第1式。

第27題

有關快閃記憶體( F l a s h M e m o r y ) 之敘述,下列何者為錯誤? 1. 可電抹除 2. 可寫入 3. 為揮發性記憶體 4. 位元成本低於E E P R O M 。

答案：(3) 為揮發性記憶體

解析：快閃記憶體（Flash Memory）屬於非揮發性記憶體，電源移除後資料仍可保留，所以「為揮發性記憶體」的敘述錯誤。它可電抹除（以區塊為單位）且可重複寫入，儲存單元只需一個浮閘電晶體，密度高、結構簡單，因此位元成本低於EEPROM。典型的揮發性記憶體是DRAM與SRAM，一旦斷電資料即消失，須持續供電或週期性刷新，與快閃記憶體特性不同。

第28題

下圖電路中,電晶體Q 之耐壓,至少需要多少伏特? 1. 30 V 2. 60 V 3. 90 V 4. 120 V 。

答案：(2) 60 V

第29題

下圖所示之電路,Va b 應為多少伏特? 1. 4 . 5 V 2. 5 V 3. 5 . 5 V 4. 8 V 。

答案：(1) 4 . 5 V

第30題

繪圖時尺寸全部的容許變動量,亦為尺寸極限間之差異稱為 1. 公差 2. 誤差 3. 變動量 4. 餘裕度。

答案：(2) 誤差

第31題

一數位電壓表的測量範圍為0 - 9999,其滿載電壓為9 . 999 V,若以伏特( V ) 表示,則此電壓表 之解析度( R e s o l u t i o n ) 為何? 1. 0 . 1 V 2. 0 . 01 V 3. 0 . 001 V 4. 0 . 0001 V 。

答案：(3) 0 . 001 V

解析：解析度是數位電壓表最低有效位（1個計數）所代表的電壓值，計算式為：解析度 = 滿載電壓 ÷ 最大顯示格數。代入得 9.999 V ÷ 9999 = 0.001 V，即1 mV。也就是說顯示值每跳動1個字，代表輸入電壓變化1 mV。0.1 V、0.01 V都太粗略，0.0001 V則超出此表四位半顯示的能力，故選0.001 V。

第32題

三相感應電動機,當端電壓固定時,將一次繞組△接線改接為Y 接線,其最大轉矩變為原來 的幾倍? 1. 1 / 倍 2. 1 / 3 倍 3. 倍 4. 3 倍。

答案：(2) 1 / 3 倍

解析：△接線時，每相繞組承受線電壓V；改接成Y後，每相電壓降為V/√3。感應電動機的最大轉矩與相電壓平方成正比，即T∝V²，因此轉矩比為(1/√3)²=1/3，最大轉矩變成原來的1/3倍。選項1的1/√3只是電壓比，並非轉矩比；電壓雖降為0.577倍，轉矩還要再平方，因此不能只取電壓的比例。

第33題

一個128 K B y t e 的記憶體,若採用8 條資料線,則位址線至少應有多少條? 1. 16 條 2. 17 條 3. 18 條 4. 19 條。

答案：(2) 17 條

解析：記憶體容量=2^(位址線數)×資料線寬。128 KByte=128×1024=131072位元組，因資料線8條每次存取1位元組(8位元)，需定址131072個位置。2^17=131072，故至少需17條位址線；16條僅能定址65536位元組不足。答案17條。

第34題

下列何種功率開關元件的驅動電路設計較為困難? 1. M C T 2. I G B T 3. B J T 4. M O S F E T 。

答案：(3) B J T

解析：BJT是電流驅動元件，基極必須持續注入相當大的電流才能維持飽和，且少數載子儲存效應會造成開關延遲，驅動電路須提供精確的基極電流波形與負偏壓，設計最為複雜。MOSFET與IGBT屬電壓驅動，輸入阻抗高、閘極電流極小；MCT也是MOS閘控元件，驅動容易。因此以BJT的驅動電路設計最困難。

第35題

以100 M S a / s 取樣率之儲存示波器量測100 K H z 之波形,則每一週期抽樣數為: 1. 10 2. 100 3. 1000 4. 10000 。

答案：(3) 1000

解析：取樣率100 MSa/s代表每秒取樣1億次，取樣間隔為10 ns。100 kHz波形的週期T=1/100k=10 μs。每一週期的取樣點數＝取樣率÷訊號頻率＝(100×10⁶)÷(100×10³)＝1000點，因此選1000。週期10 μs內每隔10 ns取一點，正好可得1000點。

第36題

會造成心臟停跳死亡之人體電流值的最小值為: 1. 100 m A 2. 200 m A 3. 500 m A 4. 800 m A 。

答案：(1) 100 m A

解析：人體通過電流與生理反應的關係：約1 mA為感知電流，10～16 mA為無法擺脫電流，20～30 mA會造成呼吸困難與肌肉強直收縮；當電流達到約100 mA（0.1 A）時，就可能引發心室顫動而致死，因此一般以100 mA視為造成心臟停跳死亡的最小電流值。200 mA、500 mA、800 mA雖同樣足以致死，但數值皆高於此門檻，並非「最小值」。

第37題

一個80 W 的電晶體( 在25 °C下的額定值),其衰減因素為0 . 5 W / °C,則在溫度為125 °C時的最 大功率消耗值為多少? 1. 30 W 2. 40 W 3. 50 W 4. 60 W 。

答案：(1) 30 W

解析：功率電晶體的額定值會隨接面溫度上升而線性下降，降額公式為P(max)=P(25°C)－(T－25)×降額係數。代入P=80－(125－25)×0.5=80－50=30 W。也就是每升高1°C，容許功率減少0.5 W，溫升100°C共減少50 W，故125°C時最大功率消耗僅剩30 W。

第38題

下列敘述何者錯誤? 1. R O M 為揮發性元件 2. 最小記憶單元為位元( B i t ) 3. 程式執行時須先存入主記憶體中 4. R O M 只能讀出資料而不能寫入資料。

答案：(1) R O M 為揮發性元件

解析：ROM為唯讀記憶體，電源移除後資料仍保留，屬非揮發性元件；RAM才是揮發性元件，停電即失去內容，故敘述1錯誤。記憶體最小單位為位元(Bit)，一個位元組含8個位元；程式執行前須先載入主記憶體；ROM一般僅供讀出，須特殊設備才能寫入。本題問錯誤者，故答案為1。

第39題

如下圖所示,此功率轉換器為 1. f u l l - b r i d g e c o n v e r t e r 2. h a l f - b r i d g e c o n v e r t e r 3. f l y b a c k c o n v e r t e r 4. p u s h - p u l l c o n v e r t e r 。

答案：(1) f u l l - b r i d g e c o n v e r t e r

第40題

下圖所示之符號,為何種元件之圖示符號? 1. B J T 2. G T O 3. F E T 4. I G B T 。

答案：(3) F E T

第41題

設計超低電壓輸出之切換式電源供應器時,其輸出端最好使用下列何種二極體? 1. 快速回復 ( F a s t R e c o v e r y ) 二極體 2. 一般二極體 3. 肖特基( S c h o t t k y ) 二極體 4. 齊納( Z e n e r ) 二極體。

答案：(3) 肖特基( S c h o t t k y ) 二極體

解析：超低電壓輸出時，輸出二極體的順向壓降佔輸出電壓比例很大，必須選用壓降低的元件。肖特基二極體是金屬與半導體接面，順向壓降約0.3～0.5 V，低於一般矽二極體的0.7 V以上，且恢復速度快、切換損失小，可提高效率。快速回復二極體雖切換快，但順向壓降仍高；齊納二極體用於穩壓，不適合當整流輸出。

第42題

某一切換式電源輸出電流10 A ,設計一100 μ H 之儲能電感器於電路中,則此儲能電感器所 需之儲能量為多少焦耳? 1. 1 m J 2. 5 m J 3. 10 m J 4. 50 m J 。

答案：(3) 10 m J

第43題

如下圖所示,二極體為理想特性;若開關 在時間t = 0 時導通,且電容 端電壓的初值為零, 則電流 的時間響應為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 3

第44題

下列對I n t e l M C S - 96 族系晶片中之週邊轉移伺服器( P e r i p h e r a l T r a n s a c t i o n S e r v e r , P T S ) 的敘述,何者錯誤? 1. P T S 為一種類似D M A 的控制器 2. P T S 與C P U 為並行處理 3. P T S 可做輪詢式( P o l l i n g ) I / O 傳輸 4. P T S 可做單一與區塊傳輸。

答案：(3) P T S 可做輪詢式( P o l l i n g ) I / O 傳輸

解析：PTS是MCS-96系列中類似DMA的周邊伺服器，由硬體要求或中斷觸發，可在CPU執行指令的同時並行完成資料搬移，支援單一傳輸與區塊傳輸，用以分擔CPU的I/O負擔。它採中斷或硬體要求方式服務，並非以程式反覆查詢旗標的輪詢式I/O，故敘述3錯誤。輪詢須由CPU持續讀取狀態，正與PTS減輕CPU負擔的目的相反。

第45題

I E E E - 488 之資料線有幾條? 1. 1 條 2. 2 條 3. 4 條 4. 8 條。

答案：(4) 8 條

解析：IEEE-488（GPIB）匯流排的資料匯流排由 DIO1～DIO8 共 8 條雙向資料線組成，採位元並列方式傳送一個位元組。除此之外還有 DA V、NRFD、NDAC 等交握線，以及 ATN、IFC、SRQ、REN、EOI 等控制線，並不含在資料線之列。因此資料線為 8 條，不是 1、2 或 4 條。

第46題

一直流降壓式轉換器之電路如下圖所示,設電路由理想元件組成,並操作於穩定狀態。若開 關切換頻率為100 k H z ,V = 10 V ,V = 8 V ,R =40 Ω ,L = 100 μ H ,設Δ V 為V 之峰對峰 值漣波若Δ V / V 恰為1 %,則電容為若干n F ? 1. 20 2. 25 3. 30 4. 35 n F 。

答案：(2) 25

第47題

微處理器使用中斷I / O 時,其硬體介面電路必須要能 1. 產生T I M E O U T 信號 2. 接收中斷信號 3. 產生中斷信號 4. 作輸出/輸入的連繫交握( H a n d s h a k i n g ) 控制。

答案：(3) 產生中斷信號

解析：中斷式 I/O 是由周邊介面主動向 CPU 提出中斷請求，CPU 在每道指令結束時檢查中斷腳位，若成立則保存現場並跳至中斷服務程式。因此介面電路必須具備「產生中斷信號」的能力，並可被致能或遮罩。TIMEOUT 是等待逾時保護，屬另一種機制；交握控制主要用於非同步資料傳輸，並非中斷 I/O 的必要條件。

第48題

下列哪一元件是電壓型觸發者? 1. B J T 2. I G B T 3. S C R 4. G T O 。

答案：(2) I G B T

解析：IGBT 的閘極是絕緣閘（MOS 結構），輸入阻抗極高，只要在閘極與射極間加電壓即可導通，屬電壓型觸發。BJT 需持續供給基極電流才能維持導通，屬電流型驅動；SCR 與 GTO 則是閘極注入電流脈波觸發，同樣屬電流觸發元件。故選 IGBT。

第49題

在單晶片微控制器內部通常不包含下列何者? 1. 串列I / O 埠 2. 計時器 3. 並列I / O 埠 4. C R T 控制器。

答案：(4) C R T 控制器

解析：單晶片微控制器把 CPU 核心、ROM／Flash、RAM、計時器（Timer/Counter）、並列 I/O 埠、串列 I/O 埠（UART／SPI／I2C）、中斷控制器與 A/D 轉換器等整合在同一晶片內。CRT 控制器負責產生水平、垂直掃描時序以驅動映像管顯示，耗用資源大且屬外部周邊，通常不會內建於一般微控制器中。

第50題

三用電表之靈敏度定義為 1. 歐姆/ 伏特 2. 伏特/ 歐姆 3. 滿刻度電流值 4. 滿刻度電壓值。

答案：(1) 歐姆/ 伏特

解析：三用電表的靈敏度以「歐姆／伏特」表示，數值等於電表滿刻度電流的倒數。例如滿刻度電流 50 µA 時，靈敏度為 1／(50×10⁻⁶)＝20000 Ω/V。數值越大，表示電表內阻越高、對受測電路造成的負載效應越小，測量越接近真實值。伏特／歐姆為電導概念，並非靈敏度定義；滿刻度電流或電壓只是換算依據，不是靈敏度本身的單位。

第51題

下圖所示之電路,當開關S 1 閉合( O N ) 時R L 1 將如何? 1. 立刻激磁 2. 延遲激磁 3. 立刻去磁 4. 延遲去磁。

答案：(1) 立刻激磁

第52題

下圖所示之T 型對稱式電阻衰減器,若以d B 表示其衰減量α ,則下列何者為錯誤? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 4

第53題

一直流升降壓式轉換器之電路如下圖所示,設電路由理想元件組成,並操作於穩定狀態。開 關切換頻率為100 k H z ,V = 20 V ,V = - 30 V ,R = 10 Ω ,則使 為連續之最小電感為若干μ H ? 1. 2 2. 4 3. 6 4. 8 μ H 。

答案：(4) 8 μ H

第54題

電氣火災不能使用何種滅火器滅火? 1. 鹵化烷滅火器 2. 乾粉滅火器 3. 二氧化碳火器 4. 泡沫滅火器。

答案：(4) 泡沫滅火器

解析：泡沫滅火器噴出的泡沫含水且會導電，用於帶電電氣設備可能造成觸電，也可能使設備短路損壞，故電氣火災不可使用泡沫滅火器。鹵化烷（潔淨藥劑）、乾粉、二氧化碳均不導電，二氧化碳還不留殘渣，適合電氣火災。正確程序是先切斷電源，再依設備特性選用不導電滅火劑滅火。

第55題

下圖所示電路中,i 電流為連續,若正負半波對稱觸發且( T 、T ) 及( T 、T ) 成對導通,則i 波 形為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 4

第56題

如下圖所示之單相全波半控整流器電路,若輸入電壓為V s ( t ) = 200 s i n ( 377 t ) V 、二極體及閘 流體均為理想、R = 10 Ω 、L = 10 m H 、觸發角α = 45 ° 且電感之電流為連續。試求負載兩端的 平均電壓為幾伏特? 1. 79 V 2. 89 V 3. 99 V 4.

答案

• 4

第57題

下列對C P U 之R E A D Y 控制接腳的敘述,何者錯誤? 1. R E A D Y 為外界通知C P U 已備妥的信號 2. 當外界未備妥時,C P U 會插入等待週期 3. 等待週期可以有無限多個 4. C P U 進入等待週期即表示電腦已當機。

答案：(4) C P U 進入等待週期即表示電腦已當機

解析：READY 是外界（記憶體或周邊）回報「已備妥」的握手信號。當外界尚未備妥時，CPU 會在匯流排週期中插入等待週期（Wait State），把時序展延；等待週期可依需要連續插入多個，次數並無上限。CPU 進入等待週期只是暫時延後存取，屬於正常的時序控制行為，並不代表電腦當機，故第 4 項敘述錯誤。

第58題

下圖所示之電路,當開關S 1 切斷( O F F ) 時,R L 1 將如何? 1. 立刻去磁 2. 延遲去磁 3. 無反應 4. 間歇去磁。

答案：(2) 延遲去磁

第59題

3 V 齊納( Z e n e r ) 二極體,若加上順向偏壓時,以三用電表量測,其表上讀數約為 1. 0 . 3 V 2. 0 . 6 V 3. 3 V 4. 6 V 。

答案：(2) 0 . 6 V

解析：齊納二極體的 3 V 是逆向崩潰（稽納）電壓，只有在逆向偏壓且電壓超過 3 V 時才會出現穩壓作用。順向偏壓時，它等同一般矽質 PN 接面二極體，導通壓降約 0.6～0.7 V，故三用電表讀數約 0.6 V。0.3 V 較接近鍺質二極體；3 V 與 6 V 都不會在順向偏壓下出現。

第60題

某G T O 工作於40 A 負載電流下,若截止增益為8 ,則截止所需閘極負電流為多少安培? 1. 2 A 2. 3 A 3. 5 A 4. 10 A 。

答案：(3) 5 A

解析：截止增益（turn-off gain）定義為陽極電流IA與所需閘極負電流峰值IGQ之比，即增益＝IA/IG。已知IA＝40 A、增益＝8，故IG＝40÷8＝5 A，閘極需抽出5 A反向電流才能使GTO由導通轉為截止。若代入2 A、3 A、10 A，分別得到增益20、約13.3、4，皆與題設的8不符。

第61題

當微分器的輸入為三角波信號時,輸出為 1. 直流位準 2. 反轉三角波 3. 方波 4. 三角波的第一階諧波。

答案：(3) 方波

解析：微分器的輸出電壓與輸入信號的變化率成正比，即 vo＝－RC·(dvi/dt)。三角波在上升段斜率為固定正值、下降段斜率為固定負值，經微分後成為正、負交替的固定準位，波形即為方波。直流位準是積分器對常數輸入的結果；反轉三角波只是相位顛倒；第一階諧波為正弦波，均與微分結果不符。

第62題

虛擬指令( P s e u d o I n s t r u c t i o n ) 係指 1. 巨指令 2. 指示組譯器如何組譯的指令 3. C P U 的組合語言指令 4. 微指令。

答案：(2) 指示組譯器如何組譯的指令

解析：虛擬指令（Pseudo Instruction）是寫給組譯器看的指示，例如設定資料段、定義常數或指定位址，組譯器據此產生目的碼，CPU 並不直接執行它。組合語言指令才對應 CPU 的運算與控制；巨指令是原始程式的展開巨集；微指令則是 CPU 內部的控制信號單位。因此本題應選 2。

第63題

下圖所示之電路,其中主控S C R 之導通延遲時間為何? 1. 以S C R 1 為準 2. 以S C R 2 為準 3. S C R 1 + S C R 2 4. S C R 1 - S C R 2 。

答案：(3) S C R 1 + S C R 2

第64題

功率元件之冷卻效果以使用熱管為最佳外,依其效率之順序為 1. 水冷→氣冷→自由空冷 2. 氣冷→水冷→自由空冷 3. 自由空冷→水冷→氣冷 4. 自由空冷→氣冷→水冷。

答案：(1) 水冷→氣冷→自由空冷

解析：冷卻效率取決於散熱能力：水冷利用水的高比熱與高導熱係數，效果最好；氣冷以風扇強制對流，優於自然對流；自由空冷僅靠空氣自然對流，效率最差。因此依效率由高至低為水冷→氣冷→自由空冷，選 1。熱管雖最佳，但本題問的是其餘方式的順序。

第65題

以V V V F 變頻器控制三相感應馬達,低速時須對定子電壓進行補償,其原因為 1. 轉子阻抗太高 2. 定子電壓降太大 3. 轉矩為負值 4. 轉子鐵損太大。

答案：(2) 定子電壓降太大

解析：VVVF 在低頻時，定子電阻與漏電抗造成的電壓降相對端電壓占比變大，使磁通與轉矩下降；若不補償，V/f 關係無法維持。故低速時需提高定子電壓，以補償定子電壓降，答案為 2。轉子阻抗、負轉矩或轉子鐵損並非此項補償的主要理由。

第66題

下列有關G T O 元件的敘述何者為錯誤? 1. 可在閘極端加入負電流脈波截止,其導通不需輔助換流電路 2. G T O 具有閘流體高電壓阻斷能力 3. 截止所需之閘極電流值較觸發所需之閘極電流值高 4. G T O 切換頻率比同額定容量功率電晶體高。

答案：(4) G T O 切換頻率比同額定容量功率電晶體高

解析：GTO 為閘流體的一種，可在閘極端加入負電流脈波強迫截止，因此導通時不需輔助換流電路，且具有閘流體高電壓阻斷能力。其截止所需閘極電流值通常較觸發電流值高。受限於關斷增益與切換損耗，GTO 的切換頻率低於同額定容量功率電晶體，故選 4。

第67題

在檢修電路中,若發現濾波電容器有發熱現象,則表示該電容器 1. 電容量不足 2. 耐壓不足 3. 漏電流過大 4. 耐電流不足。

答案：(3) 漏電流過大

解析：濾波電容器發熱通常表示介質漏電流過大，漏電流在等效電阻上形成 I²R 損耗而升溫；也可能是等效串聯電阻變大。電容量不足主要使漣波電壓增大，耐壓不足則可能造成絕緣擊穿。就檢修判斷而言，發熱對應漏電流過大，因此選 3。

第68題

儀表響應於待測信號之最低變化量,稱為該儀表之 1. 精密度 2. 準確度 3. 靈敏度 4. 解析度。

答案：(4) 解析度

解析：儀表能響應待測信號最低變化量稱為解析度(亦稱分解度)，即最小可辨識的輸入變化量。靈敏度是輸出變化量與輸入變化量之比(增益)；準確度為測量值與真值接近程度；精密度為重複測量的一致性。題目強調「最低變化量」，故為解析度。

第69題

S P W M 的基極( 或閘極) 觸發脈波是由以下那兩種波形比較產生? 1. 正弦波和方波 2. 方波和三角波 3. 三角波和正弦波 4. 指數波和正弦波。

答案：(3) 三角波和正弦波

解析：SPWM 以正弦波作為參考波（調變波），三角波作為載波，兩者送入比較器；當正弦波瞬时值高於三角波時輸出脈波，藉由改變正弦波振幅與頻率來調變脈波寬度，形成等效正弦電壓。因此是由三角波與正弦波比較產生，選 3。

第70題

下列敘述何者錯誤? 1. 不可任意加裝分叉插座使用 2. 110 伏特電壓較不會有感電危險 3. 避雷器之接地電阻應保持在10 歐姆以下 4. 無熔絲開關之跳脫電流,應不小於該電路之負載電流。

答案：(2) 110 伏特電壓較不會有感電危險

解析：110 V雖較220 V低，但人體電阻在潮濕或出汗時可能降至數百歐姆，通過電流仍可達數十毫安以上，足以造成肌肉痙攣甚至心室顫動，故「較不會有感電危險」的敘述錯誤，任何低壓電仍須防護。其餘三項正確：分叉插座易過載，不可任意加裝；避雷器接地電阻一般要求10 Ω以下，以迅速洩放雷擊電流；無熔絲開關的跳脫電流不得小於該電路負載電流。

第71題

下列各項敘述何者錯誤? 1. 開關應裝置於乾燥地點 2. 保險絲常熔斷不可以銅線取代 3. 安裝接地線是防止雷擊的最佳方法 4. 拔卸電氣插頭時,應自插頭處拔卸。

答案：(3) 安裝接地線是防止雷擊的最佳方法

解析：接地線主要將故障或漏電流導入大地，降低觸電與設備損害風險，並非防止雷擊的最佳方法；防雷通常需避雷針、避雷器、引下線與接地系統整體配合。其餘三項屬正確的用電安全習慣，故錯誤者為 3。

第72題

某功率電晶體附有散熱片,其θ =3 . 4 °C/ W,電晶體接合面最高溫度T ( m a x ) =100 °C;θ =0 . 5 °C/ W;θ =0 . 6 °C/ W,若周圍溫度為25 °C,則該晶體所能承受的最大功率散逸為多少? 1. 14 . 4 W 2. 16 . 6 W 3. 28 . 8 W 4.

答案

• 2

解析：熱阻串聯公式：θ_total=θ_jc+θ_cs+θ_sa=0.6+0.5+3.4=4.5°C/W。最大散逸功率 P=(T_jmax−T_a)/θ_total=(100−25)/4.5=75/4.5≒16.7 W，故選 2（16.6 W）。散熱設計須將接面到環境的熱阻全部相加，若只取部分熱阻會得到偏大的功率。

第73題

一元件兩端之電壓為週期性信號, 週期為2 秒,其值為 ,則此電壓之有 效值為 1. 5 伏 2. 伏 3. 伏 4. 0 伏。

答案：(3) 伏

第74題

單相交流電壓調整器供應電阻性負載,其三次諧波於α 幾度時最大? 1. 30 ° 2. 60 ° 3. 90 ° 4. 120 ° 。

答案：(3) 90 °

第75題

下圖所示電路中開關接通後,i 最大值為 1. 0 . 2 A 2. 0 . 5 A 3. 1 A 4. 2 A 。

答案：(3) 1 A

第76題

下圖所示電路之輸出Y 為1 時,輸入A 、B 、C 的組合有幾種? 1. 3 2. 4 3. 5 4. 6 。

答案：(1) 3

第77題

要作為可讀寫的記憶體,又想在無電源供應時能繼續保存資料內容,此時應採用下列何者記 憶體元件? 1. S R A M 2. D R A M 3. E P R O M 4. E E P R O M 。

答案：(4) E E P R O M

解析：EEPROM 可用電氣訊號逐位元組抹除與寫入，斷電後資料仍靠浮閘（floating gate）保存，屬非揮發性記憶體，正好符合「可讀寫、停電仍保存」的需求。SRAM 與 DRAM 都屬揮發性記憶體，一旦斷電資料即消失；EPROM 雖為非揮發性，但寫入需較高電壓，抹除必須用紫外線整顆進行，無法隨時改寫，故不適用。

第78題

由前視圖投影所得之輔視圖可顯示其物體之 1. 深度 2. 長度 3. 寬度 4. 高度。

答案：(1) 深度

解析：在三投影面系統中，前視圖表示物體的長度與高度，俯視圖表示長度與深度。由前視圖引出的輔視圖，其輔助投影面與直立（前）投影面互相垂直，投影線沿垂直於前視圖面的方向投射，該方向即為深度方向，因此此輔視圖可量得物體離開前投影面的距離，也就是深度，同時能顯示傾斜面的真實形狀。

第79題

工具機主軸切削時,不太會要求主軸馬達之何種特性? 1. 高轉速 2. 低速時具有大扭力 3. 轉速響應快 4. 運轉脈動低。

答案：(3) 轉速響應快

第80題

如下圖所示,二極體為理想特性,若開關 在時間t = 0 時導通,且電容的端電壓初值為 , 則電流 的響應為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 3