民國109年 第1梯次 電力電子甲級 學科
第70題
下列哪些選項符合碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)特性?
題目
下列哪些選項符合碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)特性?
- (1) 製程簡單,價格便宜
- (2) 低切換損失
- (3) 切換速度快
- (4) 耐高溫
官方答案
(2) 低切換損失、(3) 切換速度快、(4) 耐高溫
解析
SiC MOSFET 是寬能隙（約3 eV）元件，臨界崩潰電場高、導通電阻低，切換速度快且切換損失小，並可在高接面溫度下工作，耐高溫能力優於矽元件。不過，SiC 基板與製程成本高、驅動與封裝難度也較大，並非製程簡單、價格便宜。故符合特性者為2、3、4。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。