民國114年 普通考試 化學工程 工業化學概要
第2題
請回答下列有關電子材料工業的問題。（每小題3 分，共12 分） 「電漿蝕刻（plasma etching）」是屬於「濕蝕刻（wet etching）」還是屬
題目
請回答下列有關電子材料工業的問題。（每小題3 分，共12 分） 「電漿蝕刻（plasma etching）」是屬於「濕蝕刻（wet etching）」還是屬
參考解答（AI 生成，非官方）
- 一、電漿蝕刻（plasma etching）屬於乾蝕刻（dry etching）。其原理是在真空腔體中通入含氟或含氯氣體，以射頻電場游離氣體，產生電子、離子、自由基與激態分子；自由基與被蝕刻材料發生化學反應，離子則以動能撞擊表面，生成揮發性產物並由真空泵抽除，全程不以液態蝕刻液浸泡晶圓。
- 二、選擇性：一般而言，濕蝕刻對不同材料具有較高的選擇性。因濕蝕刻主要靠特定化學反應速率差異，可選用只溶解某種材料而不侵蝕遮罩或底層的蝕刻液；乾蝕刻若含物理濺射成分，離子轟擊對材料較不具化學選擇性，雖可藉氣體配方與製程參數調整，但通常選擇性較濕蝕刻低。
- 三、濕蝕刻的等向性：濕蝕刻通常屬於等向性（isotropic）蝕刻，蝕刻液會向各方向均勻侵蝕，除縱向深度外亦產生側向蝕刻（under-cut），使線寬失真；但單晶矽以 KOH、TMAH 等進行晶向選擇性蝕刻時，會因不同晶面原子密度與反應速率不同而呈現非等向性，這是重要例外。
- 四、乾蝕刻的等向性：乾蝕刻一般歸類為非等向性（anisotropic）蝕刻，尤其反應性離子蝕刻（reactive ion etching, RIE）藉垂直電場加速離子，使縱向蝕刻速率遠大於側向，可形成接近垂直的側壁；若以自由基為主的電漿蝕刻，化學反應仍可能造成等向性蝕刻，故須依氣體、壓力與偏壓判定。
AI 依官方試題文字產生的參考解答，非考選部公告答案，內容僅供備考參考。