民國92年 第3梯次 11700 數位電子乙級 學科考古題與答案

第1題

如下圖在電路中代表 1. 解多工器 2. 多工器 3. 跳線 4. 解碼器。

答案：(2) 多工器

第2題

如下圖所示之符號,其為下列何者之電路圖符號? 1. 空乏型N 通道M O S F E T 2. 增強型N 通道M O S F E T 3. 空乏型P 通道M O S F E T 4. 增強型P 通道M O S F E T 。

答案：(1) 空乏型N 通道M O S F E T

第3題

霍爾晶片可檢知 1. 照度 2. 溫度 3. 濕度 4. 磁場的大小。

答案：(4) 磁場的大小

解析：霍爾元件依據霍爾效應工作：電流通過半導體薄片時，若外加磁場使載子受洛倫茲力偏轉，薄片兩側便會累積電荷而產生霍爾電壓，其大小與磁通密度成正比，因此可檢知磁場的大小與方向，常用於無刷馬達換相、轉速與位置感測、非接觸式電流感測。照度一般以光敏電阻或光二極體檢知；溫度以熱敏電阻、熱電偶或RTD檢知；濕度則以濕敏電容或濕敏電阻檢知，皆非霍爾晶片的功能。

第4題

J 型( I C 型) 熱電耦其正線為何種金屬 1. 銅 2. 鋁 3. 鎳 4. 鐵。 92 數位電子乙6 - 2 ( 序1 - 5 )

答案：(4) 鐵。 92 數位電子乙6 - 2 ( 序1 - 5 )

解析：J型熱電偶的正極（正線）為鐵（Iron），負極（負線）為康銅（Constantan）。測溫時兩端接點產生與溫差相關的熱電動勢，接線極性必須正確，否則讀值會反向。銅常用於T型熱電偶的正極，鎳與鉻鎳合金則見於K、E等型式；鋁並非J型的電極材料。因此選4。

第5題

示波器上之正弦波之峰對峰值為6 . 4 c m ,若此時之垂直靈敏度選擇在2 V / c m ,則待測波形 之電壓V r m s 等於 1. 3 V 2. 4 . 5 V 3. 6 . 4 V 4. 7 . 5 V 。

答案：(2) 4 . 5 V

解析：峰對峰值Vpp=垂直距離×靈敏度=6.4cm×2V/cm=12.8V。正弦波有效值Vrms=Vp/√2=(Vpp/2)/√2=Vpp/(2√2)=12.8/2.828≈4.525V，約4.5V。故待測波形電壓有效值為4.5V。

第6題

下列有關I E E E - 488 匯流排之敘述,何者不正確 1. 使用非同步傳送 2. 可有發言者( t a l k e r ) 3. 可有收聽者( L i s t e n e r ) 4. 使用同步傳送。

答案：(4) 使用同步傳送

解析：IEEE-488 匯流排採 8 位元並列傳輸，並以 DAV、NRFD、NDAC 三條控制線進行非同步握手（三線握手），因此資料傳送速率由握手決定，並非同步時脈傳送。系統中可有一個發言者（talker）與多個收聽者（listener），同一時刻通常只有一個發言者。故「使用同步傳送」的敘述不正確。

第7題

三位半電表之解析度為 1. 0 . 1 % 2. 0 . 05 % 3. 0 . 01 % 4. 0 . 005 % 。

答案：(2) 0 . 05 %

解析：三位半（3 1/2 位）電表的最大顯示值通常為 1999，等於約 2000 個計數。解析度是最小計數變化量與滿刻度之比，即 1/2000＝0.0005＝0.05%。因此答案為 0.05%。0.1% 約對應 1000 個計數，0.01% 與 0.005% 則需要更高位數的顯示，並非三位半電表的規格。

第8題

使用滅火器應站在何處? 1. 上風 2. 下風 3. 側風 4. 逆風。

答案：(1) 上風

解析：滅火時應站在上風處，讓風由操作者背後吹向火源，避免火焰、濃煙及滅火藥劑被風吹向自己，並保持適當安全距離。下風處會承受熱氣與煙霧，側風或逆風也容易使噴射方向偏移、降低滅火效果。使用時應先確認滅火器種類適用於該火災，再朝火焰根部噴射。

第9題

下列何者為C P U 中負責解譯、監督程式指令的部門 1. 累積器 2. 暫存器 3. 控制單元 4. 記憶體。

答案：(3) 控制單元

解析：控制單元（CU）負責指令解碼、產生時序與控制訊號，並監督各部門依指令協調運作，可說是 CPU 的指揮中心。累積器屬於算術邏輯單元的一部分，用來暫存運算的中間結果；暫存器只是高速暫存資料的空間；記憶體負責存放程式與資料，本身不會解譯或監督指令，因此只有控制單元符合題意。

第10題

測量某小段銅線的電阻值時應用 1. 惠斯登電橋 2. 愷爾文電橋 3. R L C 電表 4. 數位式三用電表最為適宜。

答案：(2) 愷爾文電橋

解析：一小段銅線的電阻只有毫歐等級，屬於低電阻測量。愷爾文電橋（雙電橋）採四線式接法，把供給電流的引線與量取電壓的接點分開，使引線電阻與接觸電阻不計入電橋平衡條件，因此能準確測量1Ω以下的小電阻。惠斯登電橋適用於中值電阻，引線與接觸電阻會造成明顯誤差；RLC電表在低阻檔的解析度與準確度有限；數位三用電表電阻檔解析度通常僅0.1Ω左右，難以精測銅線的微小電阻。

第11題

在共射極電晶體電路中,射極電流為5 m A ,基極電流為0 . 1 m A ,則其電流增益為 1. 39 2. 49 3. 59 4. 69 。

答案：(2) 49

解析：射極電流 Ie＝Ic＋Ib，故集極電流 Ic＝Ie－Ib＝5－0.1＝4.9 mA。共射極電流增益 β＝Ic／Ib＝4.9／0.1＝49。也可先求 α＝Ic／Ie＝4.9／5＝0.98，再以 β＝α／(1－α)＝0.98／0.02＝49 驗證。若誤把 5 mA 當成 Ic 會得到 50，但 5 mA 是射極電流，故正確值為 49。

第12題

欲以電流表A 及電壓表V 同時測量流過低阻抗元件R 之電流及其上電壓時,應以下列何種 接法最為適宜? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 4

第13題

某一橋式整流電路輸出為12 伏特的直流電壓時,則電路中二極體的耐壓值最小應選擇 1. 24 2. 20 3. 18 4. 12 伏特方可。

答案：(2) 20

解析：橋式整流電路中，每只二極體截止時承受的反向峰值電壓 PIV 等於二次側峰值電壓 Vm，而不是輸出直流值。全波整流輸出平均值 Vdc＝2Vm/π≈0.637Vm；已知 Vdc＝12V，故 Vm＝12×π/2≈18.85V。二極體耐壓必須高於這個峰值，選項中 20V 是大於 18.85V 的最小規格；18V 反而低於峰值，容易逆向崩潰。24V 雖安全但不是最小。

第14題

下列敘述何者為正確 1. R S - 232 C 以並列方式輸出 2. G P I B 以串列方式輸出 3. G P I B 的傳輸速度比R S - 232 C 快 4. R S - 232 C 之資料線比較多。

答案：(3) G P I B 的傳輸速度比R S - 232 C 快

解析：RS-232C 是串列通訊介面，資料以一位元接一位元傳送，並非並列輸出；GPIB（IEEE-488）採 8 位元並列匯流排，並有完整的握手控制，傳輸速度通常比 RS-232C 快。GPIB 的資料線有 8 條，另有多條控制與握手線，所以「RS-232C 資料線比較多」也不正確。

第15題

觸電患者如呼吸停止時,最有效的急救為 1. 口對口導氣法 2. 俯臥壓背法 3. 仰臥牽臂法 4. 仰臥壓胸法。

答案：(1) 口對口導氣法

解析：呼吸停止時首要目標是立刻供給氧氣，口對口導氣法（口對口人工呼吸）可直接將氣吹入患者肺內，配合胸外按壓即為心肺復甦術，是最有效的急救方式。俯臥壓背法、仰臥牽臂法屬較早期的人工呼吸法，通氣量與效果均較差，現已不建議使用；仰臥壓胸法用於恢復心跳的胸外按壓，並非單獨用於呼吸停止的通氣，故選1。

第16題

量測1 G H z 之信號波形時,使用那種儀器較適宜? 1. 記錄器 2. 計頻器 3. 取樣示波器 4. X Y 示波器。

答案：(3) 取樣示波器

解析：1 GHz 信號的週期只有 1 ns，一般即時取樣示波器的取樣率與前端頻寬難以直接捕捉完整波形；取樣示波器利用等效時間取樣技術，對重複性信號逐點取樣後再重建波形，因此適合 GHz 等級的高頻波形量測。計頻器只能顯示頻率數值，無法觀察波形；記錄器與 XY 示波器頻寬不足，不適合作高速信號波形觀察。

第17題

I C 74 L S 90 J 中的字母J 代表下列何種意義? 1. I C 的誤差等級 2. I C 的工作溫度 3. 工作電流的範圍 4. 包裝的類別。

答案：(4) 包裝的類別

解析：74 系列 IC 編號最後的字母代表包裝（封裝）類別，J 表陶瓷雙排封裝（Ceramic DIP），常見的 N 為塑膠 DIP、D 為 SOIC 等，故 J 與封裝形式有關。此字母並不表示 IC 的誤差等級、工作溫度範圍或工作電流範圍；溫度等級通常另以 54／74 系列或規格書中的溫度代碼區分。

第18題

具有4 K b y t e 記憶容量之記憶體其至少需具有多少位址線 1. 10 2. 11 3. 12 4. 13 。

答案：(3) 12

解析：位址線數 n 與可定址空間的關係為 2^n。4Kbyte = 4 × 1024 = 4096 個位元組，若每個位址存放一個位元組，則需要 2^n ≥ 4096。計算 2^10 = 1024、2^11 = 2048、2^12 = 4096，故至少需 12 條位址線（A0～A11），位址範圍 000H～FFFH。若用 10 條僅能定址 1Kbyte，11 條僅 2Kbyte，皆不足；13 條可達 8Kbyte，雖足夠但非「至少」。因此答案為 12 條。

第19題

如下圖元件為 1. N O T 2. S C R 3. 三態型N O T 4. 三態型B U F F E R 。

答案：(3) 三態型N O T

第20題

將一原由T T L L S 系列所組成的電路以H C 系列元件直接取代時,下列描述何者是不正確的 ? 1. 可提高原設計的工作頻率 2. 可降低原電路之消耗電源功率 3. 原電路空接無用之輸入腳應以電阻接地 4. 以反閘組成之振盪電路應修改其R C 值。

答案：(3) 原電路空接無用之輸入腳應以電阻接地

解析：HC 屬 CMOS 系列，輸入阻抗極高，未使用的輸入腳不可浮接，須以低阻抗「直接」接到 Vcc 或 GND；若僅串接電阻接地，輸入端仍易受雜訊耦合而浮動，使互補電晶體同時導通，產生貫穿電流與振盪。HC 速度較 LS 快、靜態功耗低，故 1、2 敘述正確；以反閘構成的 RC 振盪器因臨界電壓不同也需調整 R、C 值，故 4 正確，不正確者為 3。

第21題

布林函數F ( A ,B ,C ) = A ' B ' C ' + A B ' C ' + A B ' C + A B C ' 化簡為F = 1. B + A C ' 2. B ' + A C ' 3. B ' + A ' C 4. B + A ' C 。

答案：(2) B ' + A C '

解析：以卡諾圖化簡，將 A'B'C'、AB'C'、AB'C、ABC' 四個 minterm 圈選合併：B'＝1 的相鄰格子可合併成 B' 項，ABC' 則與 AB'C' 合併消去 B 得 AC' 項，故最簡結果為 F＝B'＋AC'。若保留 B 項（選項 1、4），在 A'BC' 這類 B＝1 但原式為 0 的輸入會誤輸出 1；選項 3 的 A'C 在 ABC' 時為 0，無法使 F＝1。

第22題

如下圖中Q Q 之輸出狀態依序為 1. 00 , 01 , 10 , 11 2. 00 , 11 , 01 , 10 3. 00 , 11 , 10 , 01 4. 11 , 10 , 00 , 01 。 92 數位電子乙6 - 3 ( 序1 - 5 )

答案：(1) 00 , 01 , 10 , 11

第23題

如下圖所示穩壓電路,設電晶體B 與E 間的順向壓降為V b e ,稽納二極體的稽納電壓為V z ,則其輸出電壓V o u t 為 1. V o u t = V i n + V z - V b e 2. V o u t = V b e ( 1 + R 1 / R 2 ) 3. V o u t = V z ( 1 + R 1 / R 2 ) 4. V o u t = ( V z + V b e ) ( 1 + R 1 / R 2 ) 。

答案：(3) V o u t = V z ( 1 + R 1 / R 2 )

第24題

一個理想運算放大器共模訊號之拒斥能力以C M R R 來表示,一般為 1. 小於1 2. 等於0 3. 近似於1 4. 近似於無限大。

答案：(4) 近似於無限大

解析：CMRR（共模拒斥比）定義為差動增益與共模增益之比值。理想運算放大器的差動增益趨近無限大、共模增益為零，因此 CMRR 趨近無限大，代表完全不受兩輸入共同訊號影響。實際元件的 CMRR 為有限值，通常以 dB 表示。故選近似於無限大。

第25題

如下圖,設 =± 12 V ,求臨界上限V 為若干? 1. + 6 V 2. - 6 V 3. + 12 V 4. - 12 V 。

答案：(1) + 6 V

第26題

以下何種C P U 使用管線式( P i p e l i n e ) 的設計 1. Z - 80 2. 8039 3. 8088 4. 8085 。

答案：(3) 8088

解析：8088 採用 BIU（匯流排介面單元）與 EU（執行單元）分離架構，內含 4 位元組指令預取佇列，可在執行目前指令的同時先行抓取後續指令，使取指與執行重疊，形成管線式（pipeline）效果，提升匯流排使用效率。Z-80 與 8085 屬循序取指執行架構，須完成現行指令才取下一個；8039 為單晶片微控制器，同樣不具備指令預取管線。故選 3。

第27題

下列何者不會影響放大器的低頻響應? 1. 輸入端的交連電容 2. 輸出端的交連電容 3. 電晶體電極間的極際電容 4. 射極旁路電容。

答案：(3) 電晶體電極間的極際電容

解析：放大器低頻響應受交連與旁路電容影響：輸入交連電容（選項1）、輸出交連電容（選項2）在低頻時容抗變大會衰減訊號；射極旁路電容（選項4）在低頻失去旁路作用也改變增益。電晶體極際電容（選項3，如Cbe、Cbc）低頻時容抗極大近似開路，對低頻無影響，反而會限制高頻響應。故選3。

第28題

巴克豪生振盪準則( B a r k h a u s e n C r i t e r i o n ) 是 1. β A<1 ∠0 ° 2. β A=1 ∠0 ° 3. β A=1 ∠180 ° 4. β A<1 ∠90 ° 。

答案：(2) β A=1 ∠0 °

解析：巴克豪生振盪準則要求迴路增益 βA=1∠0°，也就是振幅條件 |βA|=1、相位條件為 0°（實務上容許 360° 的整數倍），使回授信號與原輸入同相且大小相等，才能維持等幅的持續振盪。若 βA<1，每次回授振幅遞減，振盪會衰減而停止；若 βA>1，振幅會不斷增大直到元件飽和，波形失真。相角 180° 屬於負回授，不會形成振盪，因此選項 3 不成立。

第29題

輸入信號為5 S i n 10 t + 6 S i n 20 t ,而輸出信號為20 S i n 10 t + 18 S i n 20 t ,則此放大器具有 下列何種失真? 1. 頻率失真 2. 非線性失真 3. 波幅失真 4. 互調失真。

答案：(1) 頻率失真

解析：輸入信號含 10 rad/s 與 20 rad/s 兩個頻率成分，輸出仍只有這兩個頻率，沒有產生新的諧波或和差頻，因此不是非線性失真或互調失真。10 rad/s 的增益為 20÷5＝4，20 rad/s 的增益為 18÷6＝3，兩個頻率的增益不相等，表示放大器頻率響應不平坦，屬於頻率失真。

第30題

熱阻( t h e r m a l r e s i s t a n c e ) 愈大的電晶體表示, 1. 接合面的溫度愈低 2. 容許外殼溫度愈高 3. 接合面與外殼溫差愈大 4. 集極容許消耗功率愈大。

答案：(3) 接合面與外殼溫差愈大

解析：熱阻定義為每消耗 1 W 功率時，接合面與外殼（或環境）之間的溫升，即 Rθ＝ΔT／P。熱阻越大，同樣功率下 ΔT 越大，表示接合面與外殼的溫差越大。熱阻大代表散熱能力差，容許的集極消耗功率 P＝(Tj(max)－Ta)／Rθ 反而越小，接合面溫度也會越高，故選項 1、2、4 的敘述皆不成立。

第31題

在56 K b p s 傳輸率之下,請問每一位元傳送絕對時間為 1. 8 μ s 2. 18 μ s 3. 28 μ s 4. 38 μ s 。

答案：(2) 18 μ s

解析：傳輸率 56 kbps 即每秒傳送 56000 位元，每位元所佔時間為傳輸率的倒數：T = 1 / 56000 ≈ 1.786 × 10⁻⁵ 秒 = 17.86 μs，約等於 18 μs。計算時須注意 k 在通訊速率中代表 1000 而非 1024，且 1 μs = 10⁻⁶ 秒。8 μs 對應約 125 kbps、28 μs 對應約 36 kbps，均與題意不符。故選 2。

第32題

一般數位電壓表之輸入阻抗為 1. 600 Ω 2. 1 M Ω 3. 10 M Ω 4. 100 M Ω 。

答案：(3) 10 M Ω

解析：數位電壓表（DVM）的輸入端採用高阻抗分壓器與緩衝放大電路，典型輸入阻抗約為 10 MΩ，目的是把流入電表的電流降到極小，避免「負載效應」造成被測電路的電壓下降，而使讀值偏低。一般類比三用電表的輸入阻抗約 20 kΩ/V，遠低於 DVM，量測高阻抗電路時誤差明顯；600 Ω 與 1 MΩ 都不符一般 DVM 規格，100 MΩ 則屬靜電計或高階儀表等級。故選 10 MΩ。

第33題

作業系統軟體中,核心( K e r n e l ) 部分最好以那種語言來寫最具效率 1. 組合語言 2. P A S C A L 語言 3. B A S I C 語言 4. F O R T R A N 語言。

答案：(1) 組合語言

解析：核心（Kernel）負責記憶體管理、行程排程、中斷處理與硬體控制，必須直接操作暫存器與特定記憶體位址，對執行效率與硬體控制能力要求最高，因此以組合語言（低階語言）撰寫最具效率。PASCAL、BASIC、FORTRAN 均屬高階語言，可讀性佳，但經編譯後產生的目的碼較冗長，執行效率相對較低。

第34題

下列記憶體存取時間最快者為 1. 暫存器 2. S R A M 3. D R A M 4. 磁碟。

答案：(1) 暫存器

解析：存取時間由快到慢一般為：CPU 內部的暫存器 → 快取 SRAM → 主記憶體 DRAM → 磁碟等次要儲存裝置。暫存器直接做在處理器內，距離運算單元最近，幾乎可在一個時脈內完成存取；SRAM 雖快但仍需經匯流排，DRAM 需電容充放電與刷新，磁碟則有機械或較慢的介面延遲。因此最快者為暫存器。

第35題

A D D R 、S U B R 等是什麼類型的指令? 1. 控制指令 2. 輸入/輸出指令 3. 算術邏輯運算指令 4. 搬移指令。

答案：(3) 算術邏輯運算指令

解析：ADD 代表加法、SUB 代表減法，ADDR 與 SUBR 是將暫存器內容相加或相減，運算結果會改變資料值，因此歸類為算術邏輯運算（ALU）指令。控制指令用於跳躍、呼叫與中斷等流程控制；輸入／輸出指令負責 CPU 與周邊間資料傳送；搬移指令只複製資料、不進行運算，故選 3。

第36題

下列何者非U S B 介面的特性 1. 即插即用 2. 只能接64 個週邊 3. 熱插拔 4. 安裝容易。

答案：(2) 只能接64 個週邊

解析：USB 匯流排最多可連接 127 個裝置（含集線器在內），並非只能接 64 個，因此「只能接 64 個週邊」不是 USB 的特性。USB 支援即插即用（PnP），作業系統可自動偵測並載入驅動程式；支援熱插拔，不必關機即可插拔裝置；安裝容易、可由匯流排供電、具備多種傳輸速率，都是 USB 廣為使用的原因。本題問「何者非」，故選 2。

第37題

微電腦內的比較指令是以 1. 加 2. 減 3. 及 4. 互斥完成比較動作。

答案：(2) 減

解析：微電腦的比較指令在硬體上是以減法完成的：將運算元相減後不儲存結果，只依據算術邏輯單元產生的旗標（零旗標 Z、進位旗標 C、符號旗標 S、溢位旗標 V）判斷兩數相等、大於或小於。AND（及）、XOR（互斥）屬邏輯運算，只能做位元遮蔽或比對特定位元，無法判別數值大小；加法亦不具備此判別能力，故比較動作實質為減法。

第38題

2764 為一8 K × 8 的記憶體I C ,其位址線共有 1. 12 條 2. 13 條 3. 14 條 4. 15 條。 92 數位電子乙6 - 4 ( 序1 - 5 )

答案：(2) 13 條

解析：2764 的容量為 8K×8，位址線數由 8K 決定：8K＝8×1024＝8192＝2 的 13 次方，因此需要 13 條位址線才能定址每個位元組；8 條資料線負責一次傳送 8 位元。若只有 12 條位址線僅能定址 4K，14 條可定址 16K，15 條可定址 32K，均不符合 2764 的 8K 容量。

第39題

如下圖為C E 放大電路之交流等效電路,h f e =50 ,h i e =1 K Ω ,則基極的輸入阻抗為 1. 1 K Ω 2. 10 K Ω 3. 52 K Ω 4. 104 K Ω 。

答案：(3) 52 K Ω

第40題

若觸電患者為成人時,當實施心肺復甦術( C P R ) 急救時,以每分鐘為 1. 20 ∼30 次 2. 30 ∼40 次 3. 40 ∼60 次 4. 72 次以上為最佳。

答案：(3) 40 ∼60 次

第41題

U A R T 將並列式資料轉成串列型態送出時,除了先送出起始位元( S t a r t b i t ) 後,接著傳 送 1. 高位元( M S B ) 2. 低位元( L S B ) 3. 同位元( P a r i t y ) 4. 結束位元( S t o p ) 。

答案：(2) 低位元( L S B )

解析：UART非同步串列傳輸的訊框格式依序為：起始位元（Start，低準位）、資料位元、選用同位位元、停止位元（高準位）。資料位元的傳送順序為由最低位元LSB開始（低位元先行），因此起始位元之後緊接送出的是LSB（選項2）。MSB、同位元、停止位元均非緊接起始位元者。答案為2。

第42題

三用電表內部使用1 m A ,5 Ω 之永磁動圈式( P M M C ) 表頭,在使用50 V 電壓檔時,其輸入 阻抗為 1. 50 K Ω 2. 100 K Ω 3. 500 K Ω 4. 1 M Ω 。

答案：(1) 50 K Ω

解析：PMMC 表頭滿刻度電流 If = 1 mA，內阻 Rm = 5 Ω。設計 50 V 電壓檔時，依歐姆定律所需總電阻 R = V / If = 50 V / 0.001 A = 50000 Ω = 50 kΩ。因表頭內阻僅 5 Ω，相較於倍壓電阻可忽略，輸入阻抗即約為 50 kΩ（精確值 50.005 kΩ）。輸入阻抗亦可由靈敏度換算：1 mA 檔靈敏度為 1 kΩ/V，故 50 V 檔為 50 × 1 kΩ/V = 50 kΩ。選項 2 的 100 kΩ 對應 2 mA 表頭，選項 3 的 500 kΩ 對應 0.1 mA 表頭，選項 4 的 1 MΩ 對應 0.05 mA 表頭，均不符。故答案為 1。

第43題

下列何種裝置的透鏡後面裝有電荷耦合裝置( c h a r g e - c o u p l e d d e v i c e ,C C D ) 感光器,每 個C C D 用以將光線轉換成電流,再經A / D 轉換成數位資料後再輸入到電腦中? 1. 條碼閱讀機 2. 光學閱讀機 3. 數位相機 4. 字型辨認器。

答案：(3) 數位相機

解析：數位相機的鏡頭後方裝設 CCD 感光陣列，景物光線經透鏡成像於 CCD，各感光單元把光強度轉換成電荷或電流，再經類比數位轉換器（A/D）變成數位影像資料，送入電腦儲存或處理。條碼閱讀機主要讀取條碼的明暗變化；光學閱讀機與字型辨認器偏向文件或字元辨識，並非以 CCD 擷取完整影像為主要功能。

第44題

下列有關8255 可程式I / O 介面I C 的描述,何者不正確? 1. 有兩個獨立的8 b i t I / O 埠 2. C P U 可由8255 各埠讀取資料 3. C P U 可將資料送到8255 各I / O 埠 4. C P U 利用r e a d 和w r i t e 來控制對 8255 的讀或寫。

答案：(1) 有兩個獨立的8 b i t I / O 埠

解析：8255 是可程式周邊介面 IC，內部具有 A、B、C 三個 8 位元 I/O 埠，共 24 條 I/O 線，其中 C 埠還可拆分為兩個 4 位元埠使用，因此「只有兩個獨立的 8 位元 I/O 埠」不正確。CPU 可經由位址選擇及 RD、WR 控制信號對各埠讀取或寫入資料，所以讀取、寫入與控制方式的敘述合理。

第45題

下面那一種傳輸( t r a n s m i s s i o n ) 線對電腦的電磁有較高的抗干擾性? 1. 同軸電纜 2. 雙絞線 3. 光纖電纜 4. 多芯同軸電纜。

答案：(3) 光纖電纜

解析：光纖電纜以光信號在玻璃或塑膠纖維中傳輸，屬非導電性介質，因此完全不受電磁干擾（EMI）與射頻干擾影響，也沒有串音問題，且絕緣性好、傳輸頻寬大、衰減低。同軸電纜雖有金屬編織遮蔽層，抗干擾優於雙絞線，但本質仍以電氣信號傳輸，遮蔽效果有限；雙絞線靠絞距抵銷磁場，抗干擾能力最弱。故以光纖的抗電磁干擾性最佳。

第46題

電烙鐵頭在使用前應調整其溫度保持在約 1. 200 °C 2. 250 °C 3. 300 °C 4. 350 °C。

答案：(3) 300 °C

解析：一般錫鉛銲錫熔點約 183 °C，實務上烙鐵頭溫度需高於熔點約 50～100 °C，使銲錫能迅速熔化、潤濕並形成良好焊點，因此使用前應調整在約 300 °C。200 °C 僅略高於熔點，熱容量不足，容易拖不動錫、產生冷銲；350 °C 對一般錫鉛作業偏高，會加速烙鐵頭氧化、助焊劑焦化，也增加元件受熱損傷的風險。故選 300 °C。

第47題

若顯示字型為7 × 9 陣列,並且螢幕每行可顯示80 字,則每條掃描線有: 1. 560 2. 640 3. 720 4. 800 個點( d o t ) 。

答案：(1) 560

解析：字型為 7×9 陣列，表示每個字元水平方向佔 7 個點、垂直方向佔 9 條掃描線。螢幕每行可顯示 80 個字元，故每條水平掃描線的點數為 7 點/字×80 字＝560 點。9 是每個字元使用的垂直掃描線數，不能用來乘每行字數；若誤算成 9×80＝720，就是把垂直點數當成水平點數。

第48題

暫存器定址模式是指被傳送的資料存放在何處 1. 暫存器所指的記憶體位址中 2. 暫存器中 3. 作業碼中 4. 暫存器所指的堆疊器中。

答案：(2) 暫存器中

解析：暫存器定址模式是指指令所需的運算元直接存放在 CPU 內部的暫存器中，指令只需指定暫存器編號，不必再存取記憶體；例如暫存器對暫存器的 MOV 指令即屬此模式。選項1所述「暫存器所指的記憶體位址」屬於暫存器間接定址；選項3把運算元放在指令欄位，較接近立即定址，並非暫存器定址。

第49題

一般放大器之頻率響應曲線,在截止頻率處之電壓增益為最大電壓增益之 1. 0 . 707 2. 0 . 632 3. 0 . 5 4. 0 . 25 倍。

答案：(1) 0 . 707

解析：放大器頻率響應曲線中，截止頻率（-3dB 點）的定義是電壓增益降為中頻最大增益的 1/√2，即 0.707 倍，此時輸出功率降為最大功率的一半，故稱半功率點。以分貝表示，20log(0.707) ≈ -3dB。低頻截止頻率與高頻截止頻率之間即為頻寬。選項 0.632 常與時間常數或某些衰減比混淆，0.5 是功率減半的比值而非電壓比，0.25 更無對應定義，因此電壓增益比值應為 0.707。

第50題

下列為三行組合語言的程式,下列何者為其執行結果? 1. 設定C S 指向資料段 2. 設定S S 指向資料段 3. 設定E S 指向資料段 4. 設定S P 指向資料段。 m o v a x , @d a t a m o v d s , a x m o v d x , o f f e s t m e s 92 數位電子乙6 - 5 ( 序1 - 5 )

答案：(1) 設定C S 指向資料段