民國99年 乙級專案 11700 數位電子乙級 學科歷屆試題與答案，共 80 題可線上瀏覽，適合查詢考古題、題庫與解答。
P C 用3 . 5 英吋高密度磁碟為每英吋可格式化 1. 48 個 2. 96 個 3. 120 個 4. 135 個的磁軌。
答案：(4) 135 個的磁軌
解析：3.5 吋 1.44 MB 高密度軟碟的磁軌密度為每英吋 135 軌（135 TPI），雙面各 80 軌，每軌 18 個磁區、每磁區 512 bytes。容量計算：2 × 80 × 18 × 512 = 1,474,560 bytes，約等於 1.44 MB，與標稱容量相符。48、96、120 軌／英吋分別對應低密度或早期規格，容量不足，故選 135。
下列何者不是I E E E - 1394 介面的優點? 1. 資料傳輸速度只有400 M b i t / s 2. 支援H o t P l u g ( 熱插拔) 3. 具隨插即用功能 4. 最多可連接達63 台周邊機器。
答案：(1) 資料傳輸速度只有400 M b i t / s
解析：IEEE-1394（FireWire）的優點在於支援熱插拔、具隨插即用、可串接成樹狀拓撲且最多連接 63 台周邊，並提供較高速率與等時傳輸能力。題目問「何者不是優點」，因此「資料傳輸速度只有 400 Mbit/s」是規格上的限制描述，並非優點；而且 400 Mbit/s 只是其中一個速率等級，後續版本還可更高。其餘三項都是 IEEE-1394 公認的優點，故答案為 1。
下列何者工作方法為不正確 1. 大鑽頭宜採用低速度鑽孔 2. 清除銼刀齒上之銼屑應用鋼刷 3. 鑽孔前,應用中心衝先在鑽孔中心打出一凹孔 4. 使用砂輪機,應對正砂輪站立。
答案：(4) 使用砂輪機,應對正砂輪站立
解析：使用砂輪機時，操作者應站在砂輪的側面（略偏一側），不可正面對正砂輪站立。因為砂輪高速旋轉，一旦破裂，碎片會沿切線方向朝正前方飛出，站在側面可避開主要飛散方向，並應戴護目鏡。其餘三項皆為正確做法：鑽頭直徑越大、切削線速度越快，宜降低轉速；銼刀齒間銼屑用鋼刷（銼刀刷）順齒方向清除，可避免傷齒；鑽孔前用中心衝打出凹孔，可防止鑽頭滑移偏位。
下列何者較適合做互導放大器? 1. 電壓串聯負回授電路 2. 電壓並聯負回授電路 3. 電流串聯負回授電路 4. 電流並聯負回授電路。
答案：(3) 電流串聯負回授電路
解析：互導放大器是電壓控制電流源，理想上需要高輸入阻抗與高輸出阻抗。負回授中，串聯混合會提高輸入阻抗，電流取樣會提高輸出阻抗；兩者合起來就是電流串聯負回授，故選3。電壓串聯負回授會降低輸出阻抗，電壓並聯與電流並聯則會降低輸入阻抗，均不適合。
某數位電路之輸入為A 與B 端,輸出為X 與Y 端,其真值表如下表所示,則此邏輯電路為 1. R S 正反器 2. J K 正反器 3. 半加器 4. 全加器。
答案：(3) 半加器
下列何者為照度計之單位? 1. 勒克斯( l u x ) 2. 安培( A ) 3. 流明( l m ) 4. 燭光/ 平方公尺( c d / m ) 。
答案：(1) 勒克斯( l u x )
解析：照度（illuminance）是指單位面積所接收到的光通量，其國際單位為勒克斯（lux, lx），定義為 1 流明（lumen）的光通量均勻照射在 1 平方公尺面積上，即 1 lx = 1 lm/m²。選項 2 的安培（A）是電流單位；選項 3 的流明（lm）是光通量（luminous flux）的單位，非照度；選項 4 的燭光/平方公尺（cd/m²）是亮度（luminance）的單位。照度計量測的是照度，故單位為勒克斯（lux）。
利用二進位0 與1 來表示十進位數0 到9 的一種碼,例如25 為00100101,這種碼稱為什麼 碼 1. E B C D I C 碼 2. A S I I 碼 3. B C D 嗎 4. O P 碼。
答案：(3) B C D 嗎
解析：此編碼稱為BCD碼（Binary Coded Decimal，二進碼十進數）。其規則將十進位數之每一個位數分別以4位元二進位表示，0~9對應0000~1001。題例25分解為十位2與個位5，2之BCD為0010，5之BCD為0101，組合即00100101，完全吻合。ASCII碼以7或8位元表示字母與符號（如'2'為00110010），EBCDIC為IBM大型機8位元字元碼，OP碼為CPU指令操作碼，皆非以4位元對應一個十進位數字。故選3。
下列敘述何者為錯誤? 1. C P U 由A L U 、A C C 與控制單元等組成 2. 堆疊是採用先進先出方式 3. 資料匯流排為雙向性 4. 旗標暫存器是指示A L U 運算的情況。
答案：(2) 堆疊是採用先進先出方式
解析：堆疊（stack）的特性是後進先出（LIFO），最後推入的資料最先被彈出，常用於副程式呼叫時保存返回位址、暫存器內容及中斷處理，並非先進先出；先進先出（FIFO）是佇列（queue）的特性。其餘敘述皆正確：CPU 主要由 ALU、ACC（累加器）與控制單元組成；資料匯流排可双向傳送資料；旗標暫存器用來記錄 ALU 運算後的狀態，如進位、零、溢位等。故錯誤者為 2。
紙箱上印有 符號表示 1. 是防水紙箱 2. 內裝有雨傘 3. 下雨天不得搬運 4. 小心防潮。
答案：(4) 小心防潮
解析：紙箱上印有雨傘圖案屬於國際通用的運輸包裝標誌，代表「保持乾燥、避免雨淋」，提醒搬運與儲存時應小心防潮、防雨。選項 1「防水紙箱」並非此符號意義，紙箱本身未必防水；選項 2「內裝有雨傘」是誤解符號為商品內容，不正確；選項 3「下雨天不得搬運」過於絕對，符號重點在於防潮而非禁止雨天作業。正確含義為小心防潮。
如下圖所示之偏壓電路,其熱穩定因數S 為 1. 0 2. 1 3. R c / R b 4. 1 + β 。
答案：(4) 1 + β
如下圖,電路中I = 0 , = 0 . 6 V ,求電路I 值約為若干? 1. 2 . 1 m A 2. 3 . 1 m A 3. 4 . 1 m A 4. 5 . 1 m A 。
答案：(2) 3 . 1 m A
負載阻抗為50 Ω 之函數波信號產生器之輸出準位為10 d b m 時,其電壓為 1. 7 . 07 V 2. 1 V 3. 0 . 707 V 4. 70 . 7 m V 。
答案：(3) 0 . 707 V
解析：dBm 是以 1 mW 為參考的功率位準單位，定義為 P(dBm) = 10 log10(P/1mW)。由 10 dBm 可得 10 = 10 log10(P/1mW)，故 P/1mW = 10^1 = 10，即 P = 10 mW = 0.01 W。功率與電壓關係為 P = V²/R，負載 R = 50 Ω，故 V = √(P×R) = √(0.01 × 50) = √0.5 ≈ 0.707 V。選項 1（7.07 V）約為 33 dBm；選項 2（1 V）對應約 13 dBm；選項 4（70.7 mV）約為 −3 dBm，均不符。正確為 0.707 V。
80 × 86 定址模式中,下列何者的運算資料已直接包含在指令中? 1. 間接定址 2. 直接定址 3. 立 即定址 4. 相對定址。
答案：(3) 立 即定址
解析：在 80×86 定址模式中，立即定址（Immediate）是指運算元（資料）直接寫在指令的運算元欄位裡，CPU 取指時連同指令一併讀入，不需再存取記憶體或暫存器取得資料，例如 MOV AX, 1234H 的 1234H 即為立即值。間接定址是經暫存器或記憶體所指位址取值；直接定址由指令直接給出記憶體位址；相對定址則以 IP 加偏移量計算跳躍位址。故運算資料直接含在指令中的是立即定址。
平均值式( A v e r a g e - t y p e ) 之D M M,可以量取下列那一種A C 波形之電壓? 1. 正弦波 2. 三角波 3. 方波 4. 失真之正弦波。
答案：(1) 正弦波
解析：平均值型（average-responding）交流電壓表是先對輸入波形全波整流後取平均值，再乘以正弦波波形因數（Form Factor，約 1.11）換算顯示為有效值（RMS）。此換算係數僅對純正弦波成立，因此平均值式 DMM 只適用於量測正弦波電壓。方波波形因數為 1、三角波約 1.15，失真正弦波之平均值與 RMS 關係亦改變，讀值都會產生誤差。故可量取者為正弦波。
欲規劃56 K × 16 b i t s 的記憶區時,需使用幾顆8 K × 8 的2764 1. 7 2. 8 3. 14 4. 16 。
答案：(3) 14
解析：此題同時要做「字數擴充」與「位元數擴充」。字數方面：56K ÷ 8K ＝ 7，代表位址空間需並排 7 顆；位元數方面：16 bit ÷ 8 bit ＝ 2，代表每個位址需串接 2 顆，才能湊足 16 位元資料寬度。兩者相乘：7 × 2 ＝ 14 顆。2764 的容量正是 8K × 8，因此需 14 顆。選項 7 只考慮字數擴充，漏掉位元擴充；8 與 16 則無法由 7 與 2 的組合得出。
稀釋強酸時 1. 把水緩慢注入酸中 2. 將酸快速加入水中 3. 把水迅速注入酸中 4. 將酸緩慢加入水中。
答案：(4) 將酸緩慢加入水中
解析：稀釋強酸屬高放熱程序，正確操作為「將酸緩慢加入水中」並持續攪拌。因酸入水時釋出之溶解熱可迅速被大量水吸收，溫升溫和；若反向將水倒入濃酸，局部劇烈放熱使水瞬間沸騰噴濺，極易灼傷。故選項4正確。選項2雖為酸入水但「快速」會使熱集中仍不當；選項1、3將水注入酸中更危險。安全口訣：「酸入水，慢攪拌」。
U A R T ( U n i v e r s a l A s y c h r o n o u s R e c e i v e r T r a u s m i t t e r ) 非同傳輸接收器與U A R T 之間傳輸方 式為何? 1. 並列輸出串列輸入 2. 串列輸出串列輸入 3. 並列輸出並列輸入 4. 串列輸出並列輸入。
答案：(2) 串列輸出串列輸入
解析：UART 是非同步串列傳輸介面，兩端 UART 之間只用一條傳送線（TX）與一條接收線（RX），資料加上起始位元、資料位元、同位位元與停止位元，一位元接一位元地送出與接收，故為「串列輸出、串列輸入」。並列傳輸需多條資料線同時送出一整個位元組，且需額外時脈或握手信號，不是 UART 的作法。UART 內部雖有並列轉串列、串列轉並列的移位暫存器，但線路上的傳輸方式仍是串列。
如下圖之截波( C l i p p e r ) 電路,若- 6 V ≦V i ≦6 V ,二極體為理想二極體,則V o 的大小為 1. 1 . 5 V ≦V o ≦3 V 2. 3 V ≦V o ≦6 V 3. - 3 V ≦V o ≦- 1 . 5 V 4. - 6 V ≦V o ≦- 3 V 。
答案：(1) 1 . 5 V ≦V o ≦3 V
巨集( M a c r o ) 指令可 1. 加快執行速度 2. 加速編譯速度 3. 方便程式撰寫 4. 節省記憶體空間。
答案：(3) 方便程式撰寫
解析：巨集（Macro）是在組合語言中將一連串常被重複使用的指令序列定義成一個名稱，程式撰寫時只要呼叫該名稱即可展開，主要目的是方便程式撰寫、提升可讀性與維護性。巨集在組譯時會原地展開成多條指令，不會加快執行速度（執行相同機器碼），反而因重複展開可能增加程式碼長度、不節省記憶體，亦非用來加速編譯。故選方便程式撰寫。
如下圖所示電路,若Q 1 、Q 2 導通時之V b e = 0 . 5 V ,飽和時V c e ( s a t ) = 0 V ,則此電路之上限 觸發電壓為 1. 0 . 5 V 2. 2 . 5 V 3. 4 . 5 V 4. 6 . 5 V 。
答案：(3) 4 . 5 V
示波器之C R T 中用來當作聚焦( F o c u s ) 控制的部份為 1. 第一陽極 2. 第二陽極 3. 柵極 4. 陰極。
答案：(1) 第一陽極
解析：示波器CRT中，電子槍包含陰極（發射電子）、柵極（控制亮度）、第一陽極與第二陽極。聚焦（Focus）係調整第一陽極電壓，使電子束收斂成細點；第二陽極主要負責加速。故聚焦控制為第一陽極，選項1正確。
如下圖A 、B 長度之差要在 1. 0 . 1 m m 以下 2. 1 m m 以下 3. 5 m m 以下 4. 10 m m 以下。
答案：(2) 1 m m 以下
下列各組合語言M O V 指令用法的解釋,何者有誤? 1. M O V d a t [ b x ] , 65 :立即資料65 傳送到基底記憶體d a t 位址 2. M O V b x , a x :暫存器a x 資料傳到到暫存器b x 3. M O V a x , d a t :記憶體d a t 位址資料傳送到暫存器a x 4. M O V a x , d a t [ b x ]:暫存器a x 內資料間接存入基底記憶體d a t 位址。
答案：(4) M O V a x , d a t [ b x ]:暫存器a x 內資料間接存入基底記憶體d a t 位址
解析：MOV指令格式為「MOV 目的地, 來源」，資料流向由右而左。選項4的MOV AX, dat[bx]是「讀取」而非「存入」：它以DS:BX加上dat位移計算出有效位址，再把該記憶體內容載入AX，屬於基底加位移的間接定址讀取；若要存入記憶體應寫成MOV dat[bx], AX。選項2是暫存器間傳送，選項3是以直接定址把記憶體dat位址的內容載入AX，選項1則是把立即值65寫入基底加位移定址的記憶體，三者解釋皆正確。
一個80 W 的電晶體(在25 °C下的額定),其衰減因素為0 . 5 W / °C,則在125 °C溫度下,其最 大功率消耗值為 1. 30 W 2. 40 W 3. 50 W 4. 60 W 。
答案：(1) 30 W
解析：電晶體的功率額定會隨接面溫度上升而線性下降，公式為 P(125°C) = P(25°C) − 衰減因素 ×（125 − 25）。代入得 P = 80 − 0.5 × 100 = 80 − 50 = 30 W。也就是每升高 1°C，可容許的消耗功率就少 0.5 W，升溫 100°C 共減少 50 W。40 W、50 W、60 W 都高於實際容許值，在此溫度下操作會造成過熱損壞，故選 30 W。
對於D R A M 特性的描述,何者是不正確的? 1. 單一晶片容量較大 2. 需要有復新( R e f r e s h ) 動作 3. 包裝上較少的外部接腳 4. 有較佳的存取速度。
答案：(4) 有較佳的存取速度
解析：DRAM以電容儲存位元，結構簡單故單晶片容量大（選項1正確）、外部接腳少（位址多工，選項3正確），且因電容漏電需定期復新（Refresh，選項2正確）。但其存取速度慢於SRAM，因需預充、重新整理且存取電路較複雜，故「有較佳的存取速度」是錯誤描述，即選項4為不正確者，符合題意。
三用電表內部使用1 m A ,5 Ω 之永磁動圈式( P M M C ) 表頭,在使用50 V 電壓檔時,其輸入阻 抗為 1. 50 K Ω 2. 100 K Ω 3. 500 K Ω 4. 1 M Ω 。
答案：(1) 50 K Ω
解析：PMMC 表頭滿刻度電流 If = 1 mA，內阻 Rm = 5 Ω。設計 50 V 電壓檔時，依歐姆定律所需總電阻 R = V / If = 50 V / 0.001 A = 50000 Ω = 50 kΩ。因表頭內阻僅 5 Ω，相較於倍壓電阻可忽略，輸入阻抗即約為 50 kΩ（精確值 50.005 kΩ）。輸入阻抗亦可由靈敏度換算：1 mA 檔靈敏度為 1 kΩ/V，故 50 V 檔為 50 × 1 kΩ/V = 50 kΩ。選項 2 的 100 kΩ 對應 2 mA 表頭，選項 3 的 500 kΩ 對應 0.1 mA 表頭，選項 4 的 1 MΩ 對應 0.05 mA 表頭，均不符。故答案為 1。
在多心電纜中,由於導線間電容耦合而造成互相干擾的現象稱為什麼干擾? 1. 電磁干擾 2. 雜訊干擾 3. 串音干擾 4. 輻射干擾。
答案：(3) 串音干擾
解析：多心電纜中各導線彼此平行且距離很近，導線間存在雜散電容，當某一對導線傳送交流信號時，會經由電容耦合把能量耦合到鄰近導線，形成不希望的感應信號，此現象稱為串音干擾（crosstalk），屬於靜電耦合造成的干擾。防治方式包括採用雙絞線、加裝遮蔽層、增大導線間距、降低信號源阻抗或使用平衡式傳輸。電磁干擾與輻射干擾主要指外界電磁場或射頻能量入侵，雜訊干擾則泛指一般雜訊，均非專指導線間電容耦合的現象。
下列記憶體存取時間最快者為 1. 暫存器 2. S R A M 3. D R A M 4. 磁碟。
答案：(1) 暫存器
解析：存取時間由快到慢一般為：CPU 內部的暫存器 → 快取 SRAM → 主記憶體 DRAM → 磁碟等次要儲存裝置。暫存器直接做在處理器內，距離運算單元最近，幾乎可在一個時脈內完成存取；SRAM 雖快但仍需經匯流排，DRAM 需電容充放電與刷新，磁碟則有機械或較慢的介面延遲。因此最快者為暫存器。
如下圖在電路中代表 1. 解多工器 2. 多工器 3. 跳線 4. 解碼器。
答案：(2) 多工器
80 x 86 微處理機系統,下列何者指令是無效的? 1. M O V A X , S I 2. M O V A L , 12 H 3. M O V C X , B L 4. M O V [ 100 H ] , A X 。
答案：(3) M O V C X , B L
解析：在 80×86 的 MOV 指令中，來源與目的運算元必須為相同資料寬度。CX 為 16 位元暫存器，BL 為 8 位元暫存器，兩者長度不符，故 MOV CX, BL 為無效指令。其餘皆合法：MOV AX, SI 為兩個 16 位元暫存器互傳；MOV AL, 12H 為 8 位元暫存器載入 8 位元立即值；MOV [100H], AX 為 16 位元記憶體寫入 16 位元暫存器。故無效者為第 3 項。
8253 一般可規劃成幾種操作模式 1. 2 種 2. 3 種 3. 5 種 4. 6 種。
答案：(4) 6 種
解析：8253是可規劃間隔計時器，內含三個獨立計數器，每個計數器可經控制字組設定為6種操作模式，包括模式0中斷終端計數、模式1硬體可重觸發單穩態、模式2速率產生器、模式3方波、模式4軟體觸發選通及模式5硬體觸發選通。因此共有6種模式。
80 × 86 P C 執行R e s e t 動作後,下列敘述何者不正確 1. P S W (旗標)清除為0 2. I P 、D S 、D D 與E S 等暫存器清除為0 3. C S 暫存器設定為F F F F H 4. C P U 自F F F F H 位址開始執行指令。
答案：(4) C P U 自F F F F H 位址開始執行指令
解析：80×86 執行 Reset 後，PSW（旗標暫存器）被清除為 0；IP、DS、SS、ES 等暫存器亦清除為 0；CS 被設定為 FFFFH。由於實際定址為段位址左移 4 位元加偏移，起始實體位址 = CS×16 + IP = FFFFH×10H + 0000H = FFFF0H（保護模式下為 FFFFFFF0H），並非從 FFFFH 開始執行。因此「自 FFFFH 位址開始執行指令」之敘述不正確，選第 4 項。
如下圖,若5 R C <<T w ( 脈寬) ,則電路應為? 1. 單擊電路( O n e S h o t ) 2. 除頻電路 3. 倍頻電路 4. 觸發電路。
答案：(3) 倍頻電路
目前台灣的有線電視,其鎖碼台的解碼器實係一種 1. 低通濾波器 2. 高通濾波器 3. 解調制器 4. 陷波器。
答案：(4) 陷波器
如下圖所示的箝位電路,當輸入為10 s i n ω t 時,則輸出V o 為何? 1. 2. 3. 4. 。
配線完成後,兩條以上導線即應予以束線,而束線應每隔多少距離內束線一次? 1. 30 m m 2. 40 m m 3. 50 m m 4. 60 m m 。
答案：(1) 30 m m
如下圖所示之調幅波,若A = 10 V p - p B = 2 V p - p 時,其調變百分比為何? 1. 2 % 2. 10 % 3. 50 % 4. 67 % 。
答案：(4) 67 %
下列何者非I E E E - 488 的介面電路架構 1. 資料匯流排( d a t a l i n e s ) 2. 交握式控制線( h a n d s h a k e l i n e s ) 3. 通用介面管理線( i n t e r f a c e m a n a g e m e n t l i n e s ) 4. 位址匯流排( a d d r e s s l i n e s ) 。
答案：(4) 位址匯流排( a d d r e s s l i n e s )
解析：IEEE-488（GPIB）匯流排由 16 條線組成：8 條資料線負責傳送資料、位址與命令；3 條交握線（DAV、NRFD、NDAC）協調資料傳輸；5 條介面管理線（ATN、IFC、SRQ、REN、EOI）控制匯流排狀態。裝置位址是透過資料線以串列方式傳送，並不存在獨立的位址匯流排，故位址匯流排不是其架構之一。
下列關於記憶體的敘述何者為誤? 1. P R O M 為唯讀記憶體的一種 2. 通常S R A M (靜態隨機存取記憶體)比D R A M 快 3. 磁帶、磁碟與磁鼓等都屬於輔助記憶體,其成本較低,但存取速度較慢 4. 快取記憶體( C a c h e M e m o r y ) 為一成本較高,速度較快之記憶體,因此必須使用D R A M (動態隨機存取記憶體)。
答案：(4) 快取記憶體( C a c h e M e m o r y ) 為一成本較高,速度較快之記憶體,因此必須使用D R A M (動態隨機存取記憶體)
解析：快取記憶體位於 CPU 與主記憶體之間，必須跟上處理器時脈，因此採用 SRAM（以正反器儲存、不需刷新、速度最快），而非 DRAM；DRAM 靠電容儲存電荷、需週期性刷新，速度較慢，用於主記憶體。故第 4 項敘述錯誤。其餘三項皆正確：PROM 屬唯讀記憶體；SRAM 通常比 DRAM 快；磁帶、磁碟、磁鼓為輔助記憶體，單位成本低但存取速度慢。
多人使用的電腦系統( M u l t i - u s e r C o m p u t e r s y s t e m ) 不可或缺的條件是 1. 高速記憶體 2. 記憶體保護 3. 多重微處理機 4. 同時多工( M u l t i t a s k i n g ) 。
答案：(4) 同時多工( M u l t i t a s k i n g )
電容器是否漏電,可用三用電表的何檔測試較為簡便? 1. Ω 檔 2. D C V 檔 3. A C V 檔 4. D C A 檔。
答案：(1) Ω 檔
解析：以三用電表的電阻（Ω）檔測試電容器最簡便：先將電容器兩端短路放電，再用測試棒接觸。指針式電表在接觸瞬間因充電電流使指針大幅偏轉，之後隨充電完成逐漸回到無窮大電阻位置，表示電容正常；若指針停在偏低電阻值而不回歸，代表介質漏電或已擊穿。DCV 檔與 ACV 檔量的是兩端電壓，DCA 檔則需串接量電流，三者都無法反映絕緣電阻，故選1。
某電子元件之特性曲線係以電荷和電壓為座標軸表示時,則此元件為 1. 電晶體 2. 變壓器 3. 電感器 4. 電容器。
答案：(4) 電容器
解析：電容器的基本關係式為 Q = C × V，即儲存電荷量 Q 與兩端電壓 V 成正比，故以 Q–V 為座標軸畫出的特性曲線為一通過原點的直線，其斜率即電容值 C。其他元件：電晶體以 I_C–V_CE 等電流特性表示；電感器以磁通 Φ = L·I 表示（Φ 對 I 為線性）；變壓器以匝數比與電壓電流關係表示。故以電荷—電壓為座標軸者為電容器。
示波器在量測高頻信號時,一般需使用那種模式 1. C H O P 2. A L T 3. A + B 4. A - B 。
答案：(2) A L T
解析：ALT（交替）模式讓兩個通道輪流切換顯示，切換動作與時基掃描同步，每次掃描只畫一個通道，切換頻率可隨掃描速度提高，因此適合觀察高頻信號，波形連續不破碎。CHOP（斬波）模式在單次掃描中高速來回切換通道，適合低頻慢速信號，否則切換點會在波形上留下明顯割裂。A+B、A−B 屬數學運算模式，並非雙通道顯示方式。
下列何種為撞擊式印字機 1. 熱感式 2. 靜電式 3. 噴墨式 4. 點矩陣式。
答案：(4) 點矩陣式
解析：撞擊式印字機是靠印字頭以機械力撞擊色帶，把色料轉印到紙上；點矩陣式以多支撞針排成矩陣，逐點撞擊打出字元，因此屬於撞擊式。熱感式是加熱感熱紙使其變色，靜電式利用靜電吸附碳粉，噴墨式則把墨滴噴到紙面；這三者都沒有機械撞擊動作，屬於非撞擊式。
如下圖所示之邏輯電路,輸出F 為: 1. A + B 2. A ‧ B 3. 4. A ♁B 。
若步進馬達每一步階轉7 . 5 度,則步進馬達轉一圈所需之步階數為幾步? 1. 12 2. 24 3. 36 4. 48。
答案：(4) 48
解析：步進馬達轉一圈為 360 度，每一步階轉動 7.5 度，因此所需步階數為 360÷7.5＝48 步。計算時以總角度除以每步角度，即得一圈的步數；48 步也對應每步 7.5 度的解析度。因此答案為 48。
配線時信號線應使用 1. 單蕊線 2. 多蕊線 3. 隔離線 4. 裸銅線來配置。
答案：(3) 隔離線
解析：信號線傳輸的是低準位、小電流的信號，極易受電源線、馬達、繼電器等產生的電磁場干擾，因此配線應採用隔離線（屏蔽線），利用金屬編織網或鋁箔屏蔽層隔離外界雜訊，並將屏蔽層單端接地，避免形成地迴路。單蕊線與多蕊線僅描述導體股數與柔軟度，本身沒有屏蔽效果；裸銅線無絕緣披覆，除容易短路外也不具抗干擾能力。故選3。
有一正弦波信號v ( t ) = 2 s i n 628 t,不經衰減直接加到示波器垂直輸入端,在不使用水平放大增 益,且微調旋鈕也置於校正位置時,若示波器所顯示的波形如下圖所示,則示波器水平與垂 直旋鈕應分別是撥在下列何種位置? 1. 2 . 5 m s / D I V 、1 V / D I V 2. 2 . 5 m s / D I V 、2 V / D I V 3. 5 m s / D I V 、2 V / D I V 4. 2 m s / D I V 、1 V / D I V 。
答案：(1) 2 . 5 m s / D I V 、1 V / D I V
下列何者為“ 可程式週邊介面控制"用晶片 1. 8255 2. 8048 3. 8085 4. 8087 。
答案：(1) 8255
解析：8255 是可程式週邊介面（Programmable Peripheral Interface，PPI），內部包含三個 8 位元 I/O 埠，可透過控制字元設定為輸入、輸出或握手模式，常用於 8085、8086 系統擴充周邊。8048 是單晶片微控制器，8085 是微處理器，8087 是浮點數學輔助處理器，故選 1。
日常用電為確保安全,以下何者錯誤? 1. 依電器所規定的使用電壓選擇相符的電源電壓 2. 電路的電流容量,應選用適當的保險絲 3. 無熔絲開關若自動跳脫切斷電源時,應先查明原因, 排除故障後,才可重啟開關送電 4. 若電線絕緣部份損壞時,可利用膠帶包紮,不須更換。
答案：(4) 若電線絕緣部份損壞時,可利用膠帶包紮,不須更換
解析：電線絕緣層破損後，以膠帶包紮只能暫時遮覆，無法恢復原有的耐壓、耐熱與機械強度，容易因潮氣、過熱或磨擦再度漏電，正確做法是整段更換電線或請合格電工處理。其餘三項皆為正確用電觀念：依電器標示電壓選用相符電源；依電路電流容量選配合格保險絲，不可任意加大；無熔絲開關跳脫時，須先查明過載或短路原因並排除故障，才可重新送電，不可直接強行復歸。
在20 m A 電流迴路界面中,下列何者為正確 1. 20 m A 表示邏輯1 2. 0 m A 表示邏輯1 3. 20 m A 表示邏輯0 4. - 20 m A 表示邏輯0 。
答案：(1) 20 m A 表示邏輯1
解析：20 mA 電流迴路以電流有無代表二位元狀態：有 20 mA 電流流通時表示邏輯 1，電流為 0 mA 時表示邏輯 0。這種方式抗雜訊能力強，適合工業現場長距離傳輸。因此「20 mA 表示邏輯 1」正確；0 mA 並非邏輯 1，20 mA 也不是邏輯 0，-20 mA 更不是標準定義。
將監督程式放在R O M 內稱之為 1. 韌體 2. 軟體 3. 硬體 4. 半導體。
答案：(1) 韌體
解析：將監督程式（monitor program）、開機自我測試或控制程式固化在 ROM 中，使硬體一上電即可執行，這種「介於硬體與軟體之間」的程式稱為韌體（firmware），如 BIOS 即為典型例子。軟體泛指可載入、可更換的程式與資料；硬體指實體的電路與元件；半導體則是材料與元件類別。三者都不能用來描述「燒錄在 ROM 內的程式」這種兼具硬體依存性與程式性質的型態。
鍵彈跳( K e y b o u n c e ) 一般值為 1. 0 . 1 ~2 m s 2. 1 ~20 m s 3. 10 ~200 m s 4. 200 m s 以上。
答案：(2) 1 ~20 m s
解析：機械式按鍵在按下與放開瞬間，接點會因彈性產生多次短暫的通斷，稱為鍵彈跳。一般接點的彈跳時間約在 1～20 ms 範圍，因此硬體或軟體去彈跳常取數毫秒至約 20 ms 的延遲，待訊號穩定後再取樣，以避免一次按壓被誤判為多次輸入。
下列敘述中何者有誤 1. 「不理」是屬於不安全的個人因素 2. 維持廠房的整齊與清潔是意外事件防止控制工作環境的方法之一 3. 不正確的操作方法、程序及計畫是屬不安全的個人因素 4. 不相信安全的工作方法是「不理」。
答案：(3) 不正確的操作方法、程序及計畫是屬不安全的個人因素
解析：工安中「不理」(漠視、不相信安全的工作方法)屬不安全的個人因素；維持廠房整齊清潔屬控制工作環境之方法，兩者皆正確。但「不正確的操作方法、程序及計畫」屬管理面或工作方法的不安全狀態(條件)，並非個人因素，故此項歸類有誤。
將格雷碼1011 轉換成二進碼為 1. 1011 2. 1101 3. 1110 4. 1001 。
答案：(2) 1101
解析：格雷碼轉二進碼的法則是：最高位元相同，其餘各位元由左而右逐位做互斥或（XOR）。格雷碼1011中，b3＝g3＝1；b2＝b3⊕g2＝1⊕0＝1；b1＝b2⊕g1＝1⊕1＝0；b0＝b1⊕g0＝0⊕1＝1，合併得1101。格雷碼的特色是相鄰碼僅相差一個位元，可降低切換時產生錯誤的機會，故選2。
如下圖所示電路,其二極體D 的作用為 1. 補償I c o 的變化 2. 補償V b e 的變化 3. 保護電晶體 4. 整流用。
答案：(2) 補償V b e 的變化
系統中的韌體( f i r m w a r e ) 一般不適合儲存於下列那種記憶體中? 1. E E P R O M 2. E P R O M 3. P R O M 4. R A M 。
答案：(4) R A M
解析：韌體是固定在硬體中、開機即需執行的程式，必須停電後仍能保存，因此要使用非揮發性記憶體。PROM 出廠為空，可由使用者燒錄一次；EPROM 可用紫外線抹除後重燒；EEPROM 可電氣抹除並重寫，三者皆適合存放韌體。RAM 屬揮發性記憶體，一旦斷電資料即消失，只適合作為程式執行時的工作區，故選4。
如下圖,電路中 = 150 K H z ,則輸出頻率 為 1. 50 K H z 2. 75 K H z 3. 150 K H z 4. 300 K H z 。
答案：(1) 50 K H z
若某電路的頻率轉移函數H ( f ) 呈- 20 d B / d e c a d e 衰減,是表示其轉換增益隨頻率每增加10 倍, 其增益下降為原來的 1. 0 . 01 2. 0 . 1 3. 10 4. 100 。
答案：(2) 0 . 1
解析：波德圖中的衰減量以分貝表示，增益關係為dB＝20log₁₀|H(f)|。-20 dB/decade表示頻率每增加10倍，增益下降20 dB。由20log₁₀A＝-20，得log₁₀A＝-1，故A＝10⁻¹＝0.1，即增益降為原來的0.1倍。若為-40 dB/decade則降為0.01倍，因此0.01、10、100皆不符，故選2。
下列何種邏輯閘可接成線接或閘( W i r e d - O R ) 1. 開集極閘 2. 三狀態閘 3. 傳輸閘( t r a n s m i s s i o n g a t e ) 4. 圖騰柱輸出閘。
答案：(1) 開集極閘
解析：開集極（Open-Collector）輸出之邏輯閘，其輸出電晶體集極不接內部上拉，可將多個開集極輸出直接並接，再共用一個外部上拉電阻，形成「線接或閘（Wired-OR）」——任一閘輸出低電位即將線路拉低（正邏輯下為 OR）。圖騰柱輸出並接會造成電源與地短路，禁止；三狀態閘用於匯流排共享而非線接；傳輸閘為類比開關。故選開集極閘。
如下所示之卡諾圖,下列何者為化簡後的結果 1. f = C ' D + C D ' + B ' C + A ' B ' 2. f = A B ' + A ' B + D ' 3. f = ( B + C ' + D ' ) ( B + C + D ) 4. f = A ' C ' + C ' D + C D ' + A B 。
答案：(2) f = A B ' + A ' B + D '
有一同步計頻電路,係由4 個不同型式的正反器所組成,其傳輸延遲( P r o p a g a t i o n d e l a y ) 時 間分別為20 n s 、40 n s 、50 n s 、100 n s ,請問此電路最高可量度的頻率為 1. 10 M H z 2. 20 M H z 3. 25 M H z 4. 50 M H z 。
答案：(1) 10 M H z
解析：同步計數器中所有正反器由同一時脈驅動，電路穩定時間取決於最慢一個正反器的傳輸延遲，即最長的100 ns。時脈週期T必須大於等於100 ns，故最高頻率f_max＝1/T＝1/100 ns＝10 MHz。其餘20、40、50 ns均較小，非關鍵路徑；若誤將四者相加得210 ns，會算出約4.76 MHz，不符合同步架構。答案為10 MHz。
若積分電路中,T 為信號周期,T 為電路中之時間常數,若欲得到較佳之積分特性則 1. T >>T 2. T <<T 3. T = T 4. 兩者無關。
答案：(2) T <<T
下列何種設備易感染電腦病毒? 1. 磁碟片 2. 半導體記憶體 3. 中央處理單元 4. 顯示器。
答案：(1) 磁碟片
解析：電腦病毒須依附可讀寫的儲存媒體才能潛伏與擴散。磁碟片屬可寫入的磁性儲存裝置，是早期最主要的感染途徑。半導體記憶體（RAM）雖暫存程式但斷電即消失，非持久感染媒體；CPU與顯示器為純硬體運算或輸出單元，本身不儲存可執行檔，不易成為病毒感染對象。故選磁碟片。
為了防止人員觸電所引起的傷害,下列何者錯誤? 1. 電氣設備均應有接地措施 2. 手足潮濕, 不可碰觸或操作電氣設備 3. 可以用手指測試線路或電源是否有電 4. 危險的電力設施要有安全標誌,並有適當的限制接近設施。
答案：(3) 可以用手指測試線路或電源是否有電
解析：觸電防護的基本原則是隔離帶電體、降低人體通過電流與事先警告。以手指碰觸線路或電源，等於把人體直接接入電路，一旦帶電就會造成電擊傷害，甚至心室顫動致死，絕對不可作為驗電方法；正確做法是使用驗電筆、三用電表或非接觸式驗電器。選項1的接地可將漏電電流導向大地，使設備外殼電位趨近零；選項2所說手足潮濕會使皮膚電阻大幅下降，通過人體電流增大，因此更危險；選項4的警告標誌與限制接近設施，可防止人員誤入帶電區。故錯誤者為3。
如下圖,電路的函數關係為Q = A + B ‧ C ,若將Q 與C 相連接,且已知A = 0 ,B = 1 ,Q = 0 , 則經過一個時脈後的 為 1. 0 2. 1 3. 4. 不確定。
答案：(1) 0
石英晶体振盪器較L C 振盪器之優點為何? 1. 振盪頻率範圍較廣 2. 振盪頻率較穩定 3. 振盪頻率較於調整 4. 振盪器信號的振幅較大。
答案：(2) 振盪頻率較穩定
解析：石英晶體振盪器具高Q值與極佳的頻率穩定度，因晶體等效電感與電容比值大、溫度係數小，其振盪頻率幾乎不受電壓與溫度變化影響，遠優於LC振盪器。LC振盪器頻率由電感電容決定，元件誤差與溫度漂移使其頻率較不穩定。晶體頻率範圍反而較窄、不易調整，振盪振幅亦非最大。故題目所問之優點為「振盪頻率較穩定」。
如下圖電路,依據米勒定理( M i l l e r ' s T h e o r e n ) ,兩圖為等效電路,設K = ,則Z 及Z 分 別為: 1. 2. 3. 4. 。
電腦一般為取得外界壓力、溫度等物理量的電氣,必須透過 1. D / A 2. A / D 3. V / I 4. F / V 轉換成數位形式。
答案：(2) A / D
解析：電腦內部以數位訊號（0/1）運作，而外界的壓力、溫度等物理量經感測器轉換後，多為連續變化的類比電壓或電流訊號。要讓電腦讀取這些物理量，必須先透過 A/D（類比轉數位）轉換器，將連續的類比訊號取樣、量化為數位碼。選項 1 的 D/A 是數位轉類比，方向相反；選項 3 的 V/I（電壓轉電流）與選項 4 的 F/V（頻率轉電壓）皆屬類比範疇的轉換，無法直接供電腦以數位形式處理。故正確為 A/D 轉換。
對於B i t - s l i c e d M i c r o p r o c e s s o r(以位元配置微處理機)所組成之C P U,下列敘述何者為誤? 1. 此C P U 的字元長度( W o r d l e n g t h ) 可以調整改變 2. 其指令集可用微指令來定義 3. 一般皆以 8 個位元形成模組形式 4. 可用來模擬某C P U 。
答案：(3) 一般皆以 8 個位元形成模組形式
解析：位元切片微處理機（如AM2901）以4位元為一個切片模組，可串接多個切片組成不同字元長度的CPU，故字長可調整（選項1對）；其指令集由微指令（微程式）定義（選項2對），也能用以模擬其他CPU（選項4對）。錯誤敘述為選項3：位元切片通常是4位元模組，而非8位元。故答案為3。
下列何者不會影響放大器的低頻響應? 1. 輸入端的交連電容 2. 輸出端的交連電容 3. 電晶體電極間的極際電容 4. 射極旁路電容。
答案：(3) 電晶體電極間的極際電容
解析：放大器低頻響應受交連與旁路電容影響：輸入交連電容（選項1）、輸出交連電容（選項2）在低頻時容抗變大會衰減訊號；射極旁路電容（選項4）在低頻失去旁路作用也改變增益。電晶體極際電容（選項3，如Cbe、Cbc）低頻時容抗極大近似開路，對低頻無影響，反而會限制高頻響應。故選3。
使用線上實體模擬器( I C E ) 時,下列何者須自待測系統拔出 1. C P U 2. R O M 3. R A M 4. I / O 。
答案：(1) C P U
解析：線上實體模擬器 ICE 的運作方式，是以模擬器內部的等效電路取代待測系統的微處理器，直接接管位址、資料與控制匯流排，才能即時觀察暫存器、記憶體並下中斷點。因此使用時必須把待測板上的 CPU 拔出，再將 ICE 的探頭或排線插入 CPU 插座。ROM、RAM 與 I/O 是被監看的對象，不需拔除。
如下圖所示之符號,其為下列何者之電路圖符號? 1. 比流器 2. 比壓器 3. 電感器 4. 變壓器。
答案：(1) 比流器
如下圖所示電路,若V o ( s a t ) = ± 12 V ,則此電路的上限電壓Vu t 、及下限電壓V t 為 1. ± 1 V 2. ± 4 V 3. ± 9 V 4. ± 12 V 。
答案：(2) ± 4 V
靴帶式( B o o t s t r a p ) 射極隨耦器的主要特點為 1. 輸出阻抗極高 2. 輸入阻抗極高 3. 電壓增益極高 4. 輸入阻抗極低。
答案：(2) 輸入阻抗極高
解析：靴帶式（Bootstrap）射極隨耦器把射極電阻上的輸出信號經電容回授到基極偏壓電阻的上端，使偏壓電阻兩端的信號幾乎同相、同步變化（自舉），等效上大幅提高交流輸入阻抗（可達 MΩ 級），適合當高阻抗信號源的緩衝級。射極隨耦器的電壓增益略小於 1、輸出阻抗低，因此「輸出阻抗極高」「電壓增益極高」「輸入阻抗極低」都不正確，故選 2。
下列何者屬於非同步傳輸的特性? 1. 採用並列方式傳輸字元 2. 傳輸的字元夾在起始字元和終止字元之間 3. 在傳輸中資料不可間斷 4. 利用交握信號來確定傳輸資料的正確性。
答案：(2) 傳輸的字元夾在起始字元和終止字元之間
解析：非同步傳輸以字元為單位，每個字元前加起始位元（start bit，準位由 1 降為 0）供接收端同步，資料位元之後加同位元檢查與終止位元（stop bit），字元之間可任意間隔，不須連續傳送。並列傳輸（如 Centronics）與同步傳輸才需時脈或交握信號；選項 3 所述資料不可間斷是同步傳輸的特性。
二進制10110 相當於八進制的 1. 16 2. 20 3. 22 4. 26 。
答案：(4) 26
解析：二進位轉八進位可從小數點往左每三位一組，不足補零：10110₂ 分成 010 與 110，分別為 2 與 6，故得 26₈。也可先轉十進位驗證：1×2⁴ + 0×2³ + 1×2² + 1×2¹ + 0×2⁰ = 16 + 4 + 2 = 22；再以 22 ÷ 8 = 2 餘 6，商 2 餘 6，即 26₈。選項 16₈ 等於十進位 14，20₈ 等於 16，22₈ 等於 18，均與 22 不符，故選 26。
C e n t r o n i c s 型態印表機,其主機端所連接的接腳界面共有幾隻腳位? 1. 5 2. 9 3. 25 4. 36 。
答案：(3) 25
解析：Centronics並列印表機介面中，主機（電腦）端使用DB-25連接器，共有25支腳位；印表機端使用的是36腳的Centronics插座。題目問「主機端」腳位數，故為25腳（選項3）。選項4的36腳是印表機端腳數，選項2的9腳常見於RS-232序列埠，均非主機端Centronics介面。答案為3。
在鑽孔時,離所鑽之孔最遠的工作物件端應置於何處? 1. 工作者左側 2. 工作者右側 3. 工作者前方 4. 均可。
答案：(1) 工作者左側
解析：鑽孔作業時工件必須確實夾持定位，並將離所鑽孔最遠的工件端置於工作者左側（選項1）。如此可利用工作檯邊緣或靠山抵住工件，使鑽削反作用力獲得支撐，防止工件隨鑽頭旋轉造成斷鑽或傷人，並確保孔位精度與作業安全。若置於右側或前方，較不易形成有效支撐參考，工件受扭力時缺乏穩固擋止，風險較高。
2 S K 30 之電子元件為 1. P N P 型電晶體 2. N P N 型電晶體 3. P 通道F E T 4. N 通道F E T 。
答案：(4) N 通道F E T
解析：依日本工業規格（JIS）半導體命名，2S開頭為電晶體，其中2SK表示N通道場效電晶體（FET），2SJ為P通道。2SK30為N通道接面FET（JFET），故不屬雙極性電晶體的PNP或NPN（選項1、2），而是N通道FET（選項4）。答案為4。