民國92年 第3梯次 11600 電力電子甲級 學科考古題與答案

第1題

下圖所示之電路,當開關S 1 切斷( O F F ) 時,R L 1 將如何? 1. 立刻去磁 2. 延遲去磁 3. 無反應 4. 間歇去磁。

答案：(2) 延遲去磁

第2題

下圖所示之串聯諧振電路,下列敘述何者正確? 1. 自然頻率( N a t u r a l F r e q u e n c y ) 為 2. 特徵阻抗( C h a r a c t e r i s t i c I m p e d a n c e ) 3. 品質因數( Q u a l i t y F a c t o r ) Q = 2 π f R C r 4. 當輸入頻率f 等於自然頻率f 時,等效阻抗Z p = R 。

答案：(4) 當輸入頻率f 等於自然頻率f 時,等效阻抗Z p = R

第3題

某一信號產生器之無載輸出最大值為20 V p p ,當加上一50 Ω 之純電阻性負載時,負載兩 端之波形變為10 V p p ,則此信號產生器之輸出阻抗為何? 1. 25 Ω 2. 50 Ω 3. 100 Ω 4. 150 Ω 。

答案：(2) 50 Ω

解析：信號產生器可視為理想電壓源串聯輸出阻抗 Ro。無載時輸出等於開路電壓 20 Vpp；接上 50 Ω 負載後，負載電壓為 10 Vpp，表示負載與輸出阻抗形成分壓。依分壓公式：VL = Voc × RL/(Ro+RL)，代入 10 = 20 × 50/(Ro+50)，得 Ro+50=100，所以 Ro=50 Ω。負載電壓降為一半，代表輸出阻抗與負載電阻相等。

第4題

一頻率計數器之時基為1 m s ,則其量測外部信號頻率之解析度為 1. 1 H z 2. 10 H z 3. 100 H z 4. 1000 H z 。

答案：(4) 1000 H z

解析：頻率計數器在閘門時間T內計數外部信號的脈波數N，頻率f=N/T。解析度受限於計數誤差1個脈波，故Δf=1/T。時基T=1 ms=1×10^-3 s時，Δf=1/(1×10^-3)=1000 Hz，也就是每一個計數代表1 kHz。因此解析度為1000 Hz，時基越長解析度才會越高。

第5題

下圖所示之電路,其中兩個S C R 之電流額定容量的選擇為何? 1. S C R 1 > S C R 2 2. S C R 1 < S C R 2 3. S C R 1 = S C R 2 4. 無特定之規則。

答案：(1) S C R 1 > S C R 2

第6題

下列電力電子元件中,何者較不適宜並聯使用? 1. I P M 2. P O W E R B J T 3. I G B T 4. P O W E R M O S F E T 。

答案：(2) P O W E R B J T

解析：功率元件並聯須考慮電流均流。POWER MOSFET具正溫度係數，溫升使導通電阻增大，可自動平衡各並聯元件電流，適合並聯；IGBT、IPM（含IGBT）亦可並聯設計。而POWER BJT具負溫度係數，溫升使VBE下降、電流增大，易發生熱失控(thermal runaway)與電流集中，故較不適宜直接並聯。因此選POWER BJT。

第7題

霍耳元件在較低磁通量之磁場中,其所感應之電壓具有下列何種特性? 1. 非線性 2. 拋物線性 3. 線性 4. 指數曲線。

答案：(3) 線性

解析：霍耳元件的工作原理是霍耳效應，霍耳電壓 VH = KH × I × B，其中 KH 為元件常數、I 為控制電流、B 為磁通密度。當磁場較低時，B 與 VH 的關係近似為通過原點的直線，即感應電壓與磁通量成正比，因此呈線性。磁場過高或材料特性改變時才可能出現非線性，題目所問低磁通量範圍應選線性。

第8題

下圖所示電路中,電流為連續i ,若正負半波對稱觸發且( T 、T ) 及( T 、T ) 成對導通則i 波形為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 2

第9題

下圖所示之T 型對稱式電阻衰減器,若以d B 表示其衰減量α ,則下列何者為錯誤? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 4

第10題

R L C 串聯電路所加電源之頻率低於諧振頻率時,則電路呈下列何種特性? 1. 電阻性 2. 電容性 3. 電感性 4. 負阻抗性。

答案：(2) 電容性

解析：RLC 串聯電路的諧振頻率 f0 = 1/(2π√(LC))。當電源頻率低於 f0 時，電容抗 XC = 1/(2πfC) 會大於電感抗 XL = 2πfL，電路總電抗呈電容性，電流相位超前電壓。頻率高於諧振頻率時，XL 大於 XC，才呈電感性；恰在諧振時兩者相等，電路呈電阻性。因此低於諧振頻率應為電容性。

第11題

導通壓降高且電壓控制導通的功率元件為 1. S C R 2. P O W E R M O S F E T 3. P O W E R T R A N S I S T O R 4. G T O 。

答案：(2) P O W E R M O S F E T

解析：功率 MOSFET 屬於電壓控制元件，靠閘極電壓建立通道使元件導通，閘極輸入阻抗高；在高耐壓、大電流應用中，其導通電阻造成的導通壓降與導通損失可能較大。SCR、GTO 及功率電晶體（BJT）主要為電流控制，故選項 2 最符合「電壓控制導通」的描述。

第12題

某波形由80 V 直流成份及有效值60 V 之交流成份所組成,則其波形因數為多少? 1. 1 2. 1 . 25 3. 1 . 5 4. 1 . 75 。

答案：(2) 1 . 25

解析：波形因數定義為有效值除以平均值。此波形含 80 V 直流成分與有效值 60 V 的交流成分，總有效值為 √(80²+60²)=√(6400+3600)=√10000=100 V；交流成分的平均值為零，故波形平均值等於直流成分 80 V。波形因數 = 100/80 = 1.25，因此選 1.25。

第13題

下圖平衡三相四線電路之電容C 為多少? 1. 349 μ F 2. 419 μ F 3. 603 μ F 4. 724 μ F 。

答案：(3) 603 μ F

第14題

下列何種功率開關元件的驅動電路設計較為困難? 1. M C T 2. I G B T 3. B J T 4. M O S F E T 。

答案：(3) B J T

解析：BJT是電流驅動元件，基極必須持續注入相當大的電流才能維持飽和，且少數載子儲存效應會造成開關延遲，驅動電路須提供精確的基極電流波形與負偏壓，設計最為複雜。MOSFET與IGBT屬電壓驅動，輸入阻抗高、閘極電流極小；MCT也是MOS閘控元件，驅動容易。因此以BJT的驅動電路設計最困難。

第15題

R L C 並聯電路所加電源之頻率低於諧振頻率時,則電路呈下列何種特性? 1. 電阻性 2. 電容性 3. 電感性 4. 負阻抗性。

答案：(3) 電感性

解析：並聯 RLC 電路中，各分支電流依本身阻抗決定：頻率低於諧振頻率時，電感抗 XL=2πfL 變小、電容抗 XC=1/(2πfC) 變大，電感分支電流大於電容分支電流，電感電流在總電流中占優勢，因此電路整體呈電感性，總電流落後電壓。反之，頻率高於諧振頻率時電容分支電流較大，電路才呈電容性；恰在諧振時兩分支電流相互抵消，電路呈電阻性。

第16題

有一信號e =2 S i n ( 3 t +10 ° ) +S i n 6 t ,經某一放大器放大後其輸出電壓為 e =6 S i n ( 3 t +10 ° ) + 3 S i n ( 6 t + 5 ° ) ,則此放大器有那一類失真? 1. 相位失真 2. 諧波失真 3. 頻率失真 4. 非線性失真。

答案：(1) 相位失真

解析：輸入訊號包含 3 rad/s 基頻與 6 rad/s 諧波；輸出中兩者振幅都放大為 3 倍（2→6、1→3），振幅比例未變，因此不是頻率失真或諧波振幅失真。但三次諧波相位由 0° 變成 5°，與基頻的相對相位改變，合成波形形狀會改變，這種因相位響應不一致造成的失真稱為相位失真。非線性失真通常會產生輸入所沒有的新頻率成分，本題輸出沒有新頻率。

第17題

在無外加緩震器( S n u b b e r ) 時,功率電晶體在開關切換期間大部份工作於 1. 截止區 2. 飽和區 3. 作用區 4. 逆向偏壓狀態。

答案：(3) 作用區

解析：功率電晶體在切換瞬間，電壓與電流同時存在且都不為零，工作點落在作用區（亦稱線性區、主動區），此時 V_CE 與 I_C 乘積很大，產生最高之切換功率損耗。截止區電流近零、飽和區電壓近零，兩者損耗皆小；外加緩震器（snubber）的目的即在縮短電壓電流重疊時間、降低作用區的切換損耗。故未加緩震器時切換期間主要工作於作用區。

第18題

下圖所示電路,當V i =18 V 時,Vo 為多少伏特? 1. 6 V 2. 8 V 3. 10 V 4. 12 V 。

答案：(3) 10 V

第19題

關於理想互導放大器之敘述,下列何者有誤? 1. 為電流取樣串聯注入之回授放大器 2. 以器理想電感為負載,其電壓放大率與輸入頻率成正比 3. 互導放大率為定值;其輸出電流與輸入電 壓之比為定值 4. 輸入阻抗愈高,輸出阻抗愈高。

答案：(4) 輸入阻抗愈高,輸出阻抗愈高

解析：理想互導放大器是電壓控制電流源，互導 gm = io/vi 為定值，輸入阻抗應無限大、輸出阻抗也應無限大；回授方式為電流取樣、串聯注入。以理想電感為負載時，輸出電壓 vo = gm vi × jωL，電壓增益大小與頻率成正比。輸入阻抗與輸出阻抗是兩個獨立的設計參數，不能說輸入阻抗愈高，輸出阻抗就愈高，選項4的因果敘述有誤。

第20題

一個80 W 的電晶體( 在25 °C下的額定值) ,其衰減因素為0 . 5 W / °C,則在溫度為125 °C時的最 大功率消耗值為多少? 1. 30 W 2. 40 W 3. 50 W 4. 60 W 。

答案：(1) 30 W

解析：功率電晶體的額定值會隨接面溫度上升而線性下降，降額公式為P(max)=P(25°C)－(T－25)×降額係數。代入P=80－(125－25)×0.5=80－50=30 W。也就是每升高1°C，容許功率減少0.5 W，溫升100°C共減少50 W，故125°C時最大功率消耗僅剩30 W。

第21題

某全加器之被加數為A ,加數為B ,前級進位為C ,則此全加器的進位輸出為 1. B + C + B C 2. A ⊕B ⊕C 3. A ☉B ☉C 4. A B + A C + B C 。

答案：(4) A B + A C + B C

解析：全加器接受被加數 A、加數 B 與前級進位 C，其進位輸出為多數決函數：Cout = AB + AC + BC，也就是三個輸入中至少有兩個為 1 時進位輸出為 1。選項4符合此式；A⊕B⊕C 是和的輸出，不是進位。因此本題應選 AB + AC + BC。

第22題

3 V 齊納( Z e n e r ) 二極體,若加上順向偏壓時,以三用電表量測,其表上讀數約為 1. 0 . 3 V 2. 0 . 6 V 3. 3 V 4. 6 V 。

答案：(2) 0 . 6 V

解析：齊納二極體的 3 V 是逆向崩潰（稽納）電壓，只有在逆向偏壓且電壓超過 3 V 時才會出現穩壓作用。順向偏壓時，它等同一般矽質 PN 接面二極體，導通壓降約 0.6～0.7 V，故三用電表讀數約 0.6 V。0.3 V 較接近鍺質二極體；3 V 與 6 V 都不會在順向偏壓下出現。

第23題

在數位系統中,通常使用下列何種元件與匯流排連接? 1. 多工器 2. 正反器 3. A O I 閘 4. 三態緩衝器。

答案：(4) 三態緩衝器

解析：匯流排由多個裝置共用同一組資料線，同一時間只能有一個裝置驅動。三態緩衝器的輸出具有高、低及高阻抗三種狀態，當輸出處於高阻抗時，等於與匯流排電氣隔離，不會干擾其他裝置，因此常用來作為裝置與匯流排之間的介面。多工器只是多選一的資料選擇，正反器是儲存元件，AOI 閘為組合邏輯閘，三者都沒有高阻抗隔離的功能。

第24題

下圖所示之並聯諧振電路中,自然頻率( N a t u r a l F r e q u e n c y ) 為f 、輸入訊號為一頻率f 之 P W M 方波電流源,當f > f 時,此諧振電路呈下列何種負載特性? 1. 電感性 2. 電容性 3. 電阻性 4. 主動性。

答案：(2) 電容性

第25題

布林函數F = A + A C + A B C + A B + C 若化為最簡式,且以和之積( P O S ) 表示時應為何? 1. F = ( A + B + C ) ( A + + ) ( A + + C ) 2. F = ( B + ) 3. F = A + C 4. F = ( A + B + C ) ( A + ) 。

答案：(4) F = ( A + B + C ) ( A + )

第26題

微電腦系統中,當呼叫副程式時,程式計數器之內容是存於何處? 1. 程式記憶體 2. 狀態暫存器 3. 堆疊( S t a c k ) 記憶體 4. 控制單元。

答案：(3) 堆疊( S t a c k ) 記憶體

解析：微電腦呼叫副程式時，必須記住返回主程式的位置，也就是呼叫指令之後的程式計數器內容。CPU 會將此返回位址推入堆疊（Stack）保存，副程式執行完畢再從堆疊彈出，載回程式計數器。程式記憶體存放指令與常數，狀態暫存器存放旗標，控制單元負責解碼與控制，因此答案為堆疊記憶體。

第27題

任何複雜的程式邏輯均可以三種基本結構來完成,下列何者不是這三種基本結構之一? 1. 順序結構 2. 選擇結構 3. 迴圈結構 4. 模組結構。

答案：(4) 模組結構

解析：結構化程式設計的三種基本控制結構為順序結構、選擇結構與迴圈（重複）結構。任何程式邏輯都可由這三種結構組合而成。模組結構是程式設計與系統分割的概念，用於將大程式拆成可管理的功能單元，並不屬於這三種基本控制結構，因此答案為模組結構。

第28題

先執行迴圈內的處裡作業而後測試條件,若不成立,就重複執行迴圈內的處裡作業,直 到條件成立為止才跳出迴圈,這種架構為 1. C A S E 架構 2. P E R F O R M - - U N T I L 架構 3. D O - - W H I L E 架構 4. D O - - U N T I L ( R E P E A T - - U N T I L ) 架構。

答案：(4) D O - - U N T I L ( R E P E A T - - U N T I L ) 架構

解析：題目描述的流程是「先做後測」：先執行迴圈主體，再判斷條件，條件不成立就再執行一次，成立才離開，這正是DO-UNTIL（又稱REPEAT-UNTIL）架構的特色，因此迴圈主體至少會被執行一次。DO-WHILE則是「先測後做」，條件不成立時可能一次都不執行；CASE屬於多重選擇（分岔）結構，依條件值選一個分支執行，本身不是重複迴圈；PERFORM-UNTIL在COBOL中預設為先測試後執行，也與題意相反。

第29題

在C P U 內部,具有並行處理的結構為 1. S t a c k 2. P r e f e t c h Q u e u e 3. A L U 4. R A L U 。

答案：(2) P r e f e t c h Q u e u e

解析：Prefetch Queue（預取佇列）位於 CPU 內部，會在執行目前指令的同時，預先從記憶體提取後續指令並排入佇列，使「提取」與「執行」重疊進行，形成指令管線式的並行處理。Stack 是後進先出的儲存結構，用於副程式呼叫與中斷返回，本身不具並行能力；ALU 為算術邏輯單元，負責加減與邏輯運算；RALU 亦屬運算單元，兩者都是執行運算的資料處理核心，並非並行處理結構。故選 2。

第30題

功率場效電晶體( M O S F E T ) 之閘極輸入可視為一極微量之 1. 電感 2. 電容 3. 電阻 4. 電流源。

答案：(2) 電容

解析：MOSFET 的閘極與通道之間隔著一層二氧化矽絕緣層，形成閘極電容，因此其輸入阻抗極高，直流閘極電流幾乎為零。驅動 MOSFET 時，主要是對這個極小的閘極電容進行充放電，故閘極輸入可視為一極微量的電容。它並非電感性的負載，也不是以固定電阻或電流源的方式驅動，故其餘選項不成立。

第31題

在正投影視圖中,前視圖應選擇最能代表其 1. 形狀 2. 平行 3. 歪面 4. 投影。

答案：(1) 形狀

第32題

設計超低電壓輸出之切換式電源供應器時,其輸出端最好使用下列何種二極體? 1. 快速回復 ( F a s t R e c o v e r y ) 二極體 2. 一般二極體 3. 肖特基( S c h o t t k y ) 二極體 4. 齊納( Z e n e r ) 二極體。

答案：(3) 肖特基( S c h o t t k y ) 二極體

解析：超低電壓輸出時，輸出二極體的順向壓降佔輸出電壓比例很大，必須選用壓降低的元件。肖特基二極體是金屬與半導體接面，順向壓降約0.3～0.5 V，低於一般矽二極體的0.7 V以上，且恢復速度快、切換損失小，可提高效率。快速回復二極體雖切換快，但順向壓降仍高；齊納二極體用於穩壓，不適合當整流輸出。

第33題

對電容性負載而言,下圖中兩種負載電壓波形之電磁雜訊何種較大? 1. A 大 2. B 大 3. A 和B 一樣大 4. 皆無。

答案：(2) B 大

第34題

要作為可讀寫的記憶體,又想在無電源供應時能繼續保存資料內容,此時應採用下列何 者記憶體元件? 1. S R A M 2. D R A M 3. E P R O M 4. E E P R O M 。

答案：(4) E E P R O M

解析：EEPROM 可用電氣訊號逐位元組抹除與寫入，斷電後資料仍靠浮閘（floating gate）保存，屬非揮發性記憶體，正好符合「可讀寫、停電仍保存」的需求。SRAM 與 DRAM 都屬揮發性記憶體，一旦斷電資料即消失；EPROM 雖為非揮發性，但寫入需較高電壓，抹除必須用紫外線整顆進行，無法隨時改寫，故不適用。

第35題

直流串激電動機在額定負載運轉之情形下,若將串激磁場繞組反接,則電動機會 1. 燒毀 2. 馬上停止不轉 3. 反轉 4. 維持原轉向繼續運轉。

答案：(3) 反轉

解析：直流串激電動機的電磁轉矩與磁場方向及電樞電流方向有關，T∝φIa。額定運轉中只把串激磁場繞組反接，磁場φ反向而電樞電流Ia方向不變，轉矩因而反向，電動機先制動減速，超過零速後再反轉加速。若磁場與電樞同時反接，轉矩才維持原方向；單純反接磁場不會立即停止或燒毀。

第36題

工作圖如內部形狀複雜時,可用下列何者表示? 1. 正視圖 2. 俯視圖 3. 立體圖 4. 剖視圖。

答案：(4) 剖視圖

解析：工作圖內部形狀複雜時，標準作法是用剖視圖（sectional view）。正視圖、俯視圖屬外部投影，只能表達外觀輪廓，無法顯現內部孔穴、肋板與壁厚；立體圖（等角圖）雖可呈現三維外觀，但精確度不足且仍難清楚表達複雜內部結構。剖視圖是假想以剖切面切開機件、移去觀察者前方部分後繪製，可直接顯示內部形狀與各零件相對位置，是工程圖中表示內部複雜結構的標準方法。故選4。其他選項中，正視圖(1)、俯視圖(2)皆屬外部視圖，立體圖(3)適合示意而非精確表達內部。

第37題

電路中若U J T 的兩基極端( B 與B ) 接錯腳,則下列何者正確? 1. 無法動作 2. U J T 將會燒毀 3. 本質內分比值( η ) 將下降 4. 本質內分比值( η ) 將上升。

答案：(1) 無法動作

第38題

火災發生時,下列何種為錯誤的逃生方法? 1. 採低姿勢延地板爬行 2. 應儘速向樓頂逃生 3. 以濕毛巾摀住口鼻 4. 夜間火警應先通知樓上熟睡的人逃生。

答案：(2) 應儘速向樓頂逃生

解析：火場逃生原則是向下、向建築物外疏散，因為煙熱上升且樓梯間可能成為煙囪效應的通道，往樓頂跑容易受困而失去逃生機會，故「儘速向樓頂逃生」是錯誤方法。其餘作法均正確：熱煙與有毒氣體集中於上方，採低姿勢沿地板爬行可避開濃煙；以濕毛巾摀住口鼻可過濾部分煙粒並降溫；夜間發現火警先通知樓上熟睡者，爭取疏散時間。故選 2。

第39題

下圖所示電路中,R C 電路為避免S C R 發生 1. 過大電流變化率 2. 過大電壓變化率 3. 過電流 4. 過電壓。

答案：(2) 過大電壓變化率

第40題

功率電晶體順向偏壓安全工作區( F B A S O ) 與下列何項參數無關? 1. 集極額定電流 2. 基極額定電流 3. 集射最大電壓 4. 溫度。

答案：(2) 基極額定電流

解析：順向偏壓安全工作區（FBSO）描述功率電晶體在導通狀態下，集極電流與集射電壓的容許組合，其邊界由集極額定電流、集射最大電壓、最大功率損耗（受接面溫度限制）以及二次崩潰極限共同決定，因此與溫度密切相關。基極額定電流並非 FBSO 曲線的座標參數或邊界條件，故選基極額定電流。

第41題

若V = 500 s i n ( 157 t + 30 ° ) 伏特,I = 10 s i n ( 157 t + 120 ° ) 安培,則該電路屬於下列何種特質 之元件? 1. 電阻 2. 電容 3. 電感 4. 二極體。

答案：(2) 電容

解析：由電壓 v = 500 sin(157t + 30°) 與電流 i = 10 sin(157t + 120°) 得相位角：φ_V = 30°，φ_I = 120°。相位差 φ = φ_I − φ_V = 120° − 30° = 90°，即電流相位超前電壓 90°。依被動元件相量特性：電容為電流超前電壓 90°（I leads V）；電感則電流落後電壓 90°；純電阻二者同相。故該電路元件為電容，選項 2 正確。此亦可由阻抗 Z = V/I 呈現容抗特性驗證。

第42題

若電流i = 10 s i n t - 10 s i n ( 3 ω t - 60 ° ) 安培,則其電流之有效值為多少安培? 1. 5 A 2. 10 A 3. 20 A 4. 20 A 。

答案：(1) 5 A

第43題

某3 ψ ,220 V ,1 H P 之三相感應電動機,額定線電流3 . 5 A 。設有合理之柔性啟動( S o f t S t a r t i n g ) 功能,則在選用I G B T 之電壓及電流額定時,下列何者較為合理? 1. 350 V ,10 A 2. 600 V ,15 A 3. 600 V ,25 A 4. 1000 V ,10 A 。

答案：(2) 600 V ,15 A

解析：電壓額定：三相 220 V 的線電壓峰值約為 220×√2 ≒ 311 V，考量關斷突波與安全裕度，一般選 600 V 級 IGBT；350 V 耐壓不足以涵蓋峰值與突波，1000 V 雖安全但成本與導通損失偏高。電流額定：額定線電流 3.5 A，柔性啟動已把啟動衝擊抑制在接近額定值，取約 4 倍裕度的 15 A 已足夠；25 A 對 1 HP 負載過度設計。故 600 V、15 A 最合理。

第44題

三相變流器之直流供應電壓為300 V ,若以六步方波方式操作則其輸出線電壓基本波之有 效值為多少伏特? 1. 123 V 2. 150 V 3. 234 V 4. 300 V 。

答案：(3) 234 V

解析：六步方波三相變流器的線電壓為120°寬的脈波，其基本波有效值公式為V_LL1(rms)=√6/π×Vdc。代入Vdc=300 V，得0.7797×300≒233.9 V，約234 V。選項300 V是直流鏈電壓，不是基本波有效值；123 V與150 V則明顯偏低。此題只取基本波，不含諧波。

第45題

下列何者不是模組化程式設計的優點? 1. 花費較少的C P U 時間 2. 易於設計與除錯 3. 易於維護與修改 4. 易於管理。

答案：(1) 花費較少的C P U 時間

解析：模組化設計是把程式切成獨立副程式或模組，優點是易於設計與除錯、易於維護修改、易於分工管理，除錯時可只針對單一模組測試。但模組之間必須呼叫、傳遞參數與返回結果，會增加堆疊操作與記憶體存取，因此 CPU 執行時間通常比全部寫在一起的程式更多，並非「花費較少 CPU 時間」。此項其實是模組化常見的代價，而非優點。

第46題

下圖所示電路為 1. 昇壓截波器 2. 降壓截波器 3. 昇壓- 降壓截波器 4. 變頻器。

答案：(3) 昇壓- 降壓截波器

第47題

下圖所示電路之輸出Y 為1 時,輸入A 、B 、C 的組合有幾種? 1. 3 2. 4 3. 5 4. 6 。

答案：(1) 3

第48題

下列何者不屬於抑制電磁干擾 ( E M I ) 的方法? 1. 濾波 2. 耦合 3. 遮蔽 4. 隔離。

答案：(2) 耦合

解析：抑制電磁干擾（EMI）的三大手段為濾波、遮蔽與隔離：濾波以 LC、EMI 濾波器濾除傳導性雜訊；遮蔽以金屬殼或導電塗層屏蔽輻射場；隔離則切斷干擾的傳遞路徑，如光耦合器、隔離變壓器。耦合（傳導耦合、電容耦合、電感耦合）是干擾能量從干擾源傳到受害電路的途徑，屬於問題的成因，並非抑制方法。故選 2。

第49題

下列敘述何者錯誤? 1. 不可任意加裝分叉插座使用 2. 110 伏特電壓較不會有感電危險 3. 避雷器之接地電阻應保持在10 歐姆以下 4. 無熔絲開關之跳脫電流,應不小於該電路之負載電流。

答案：(2) 110 伏特電壓較不會有感電危險

解析：110 V雖較220 V低，但人體電阻在潮濕或出汗時可能降至數百歐姆，通過電流仍可達數十毫安以上，足以造成肌肉痙攣甚至心室顫動，故「較不會有感電危險」的敘述錯誤，任何低壓電仍須防護。其餘三項正確：分叉插座易過載，不可任意加裝；避雷器接地電阻一般要求10 Ω以下，以迅速洩放雷擊電流；無熔絲開關的跳脫電流不得小於該電路負載電流。

第50題

下列敘述何者錯誤? 1. 工廠發生火災時,應切斷所有電源 2. 撲滅油料火災首應隔絕空氣 3. 撲滅油料火災應先使用水霧滅火器 4. 一般泡沫滅火器藥劑的有效時限為一年。

答案：(3) 撲滅油料火災應先使用水霧滅火器

解析：油類火災屬 B 類火災，油比水輕且會浮在水面，澆水會使燃燒中的油飛濺、火勢擴散，甚至造成湯沸現象，因此不可先用水霧滅火器，應以泡沫、乾粉或二氧化碳覆蓋油面、隔絕空氣。泡沫滅火器藥劑一般約每年更換一次，屬正確敘述；工廠火災切斷電源可避免電擊及電線短路二次災害，亦正確。故選 3。