民國96年 第3梯次 11500 儀表電子乙級 學科歷屆試題與答案，共 50 題可線上瀏覽，適合查詢考古題、題庫與解答。
三變數的函數f =Σ(0 , 1 , 4 , 7 )可以用下列哪一個函數來代替? 1. Π(0 , 1 , 4 , 7 ) 2. Π(2 , 3 , 5 , 6 ) 3. Π (0 , 2 , 4 , 6 ) 4. Π (1 , 4 , 6 , 7 )。
答案：(2) Π(2 , 3 , 5 , 6 )
解析：Σ 表示以最小項（minterm）相加，題目列的 0、1、4、7 是 f=1 的項。三變數共有 8 個最小項，剩下的 2、3、5、6 就是 f=0 的項，其編號即最大項（maxterm）編號，因此可寫成 f=ΠM(2,3,5,6)。用卡諾圖化簡也得到 f=A′B′+AB′C′+ABC，真值表與原式完全一致。Π(0,1,4,7) 取的是補函數；Π(0,2,4,6) 與 Π(1,4,6,7) 所列的零項位置與原式不同，帶入驗證即可發現真值不符。
下列何者不是74 系列T T L I C 的電源電壓之容許值? 1. 4 . 6 V 2. 4 . 8 V 3. 5 . 1 V 4. 5 . 2 V 。
答案：(1) 4 . 6 V
解析：標準 74 系列 TTL 額定電源電壓 VCC=5 V，容許範圍為 ±5%，即 4.75 V～5.25 V。比對選項：4.8 V、5.1 V、5.2 V 均落於容許區間；4.6 V 低於下限 4.75 V，不在容許值內，會使邏輯準位與雜訊邊際異常。因此非容許值者為選項1。
有一線圈其電感量為0 . 1 亨利,若線圈上之電流為10 s i n ( 377 t - 60 ° ) A 。則跨於此線圈之弦式 電壓值為何? 1. 377 s i n 377 t V 2. 377 s i n ( 377 t - 60 ° ) V 3. 377 s i n ( 377 t + 30 ° ) V 4. 377 s i n ( 377 t + 90 ° ) V 。
答案：(3) 377 s i n ( 377 t + 30 ° ) V
解析：電感電壓與電流關係為 v=L di/dt。已知 L=0.1 H、i=10 sin(377t−60°)。微分得 di/dt=10×377 cos(377t−60°)=3770 cos(377t−60°)，代入 v=0.1×3770 cos(377t−60°)=377 cos(377t−60°)。利用 cos θ=sin(θ+90°)，得 v=377 sin(377t−60°+90°)=377 sin(377t+30°) V。電感電壓領先電流 90°，原相位−60°加 90°為+30°，亦符相位領前特性，故選項3正確。
如圖所示電路,下列哪一個名稱比較適合? 1. D 型閂鎖(l a t c h ) 2. 比較器 3. 多工器 4. 解碼器。
答案：(1) D 型閂鎖(l a t c h )
在一負載為6 Ω 的放大器,測得輸出為40 d B m,則此放大器的功率輸出為何? 1. 1 W 2. 10 W 3. 100 W 4. 1000 W 。
答案：(2) 10 W
解析：dBm 是以 1 mW 為基準的功率絕對單位，換算公式為 P(dBm)=10log(P/1 mW)。將 40 代入：40=10log(P/1 mW)，兩邊同除以 10 得 log(P/1 mW)=4，因此 P/1 mW=10^4，P=10^4 mW=10 W。此換算只與功率有關，6 Ω 負載是用來求輸出電壓或電流時才會用到，不影響 dBm 對瓦特的換算。對照常見值：30 dBm 為 1 W、50 dBm 為 100 W、60 dBm 為 1000 W，故 40 dBm 即 10 W。
最基本的電流鏡( c u r r e n t m i r r o r ) 電路包括: 1. 一個電晶體和一個電阻器 2. 兩個電阻器和一個電晶體 3. 兩個電晶體接成兩個二極體 4. 兩個電晶體和一個電阻器。
答案：(4) 兩個電晶體和一個電阻器
解析：最基本電流鏡由兩顆匹配電晶體構成：參考側電晶體將基極-集極短路接成二極體以建立參考電流 IREF(通常由一顆電阻設定)，輸出側電晶體因基極相連、射極同電位而複製該電流。故電路需兩個電晶體與一個設定參考電流的電阻器。選項1、2、3均無法形成電流複製功能，故選項4正確。
如下圖電路所示,其等效為何種邏輯閘? 1. A N D 閘 2. O R 閘 3. N A N D 閘 4. N O T 閘。
答案：(4) N O T 閘
有兩個二進制數0110 與1101 做運算所得到的結果為1011 ,試問這兩者所做的運算為下列 何者? 1. 加法 2. 減法 3. 互斥或運算 4. 互斥反或運算。
答案：(3) 互斥或運算
解析：將兩數按位元比較：0110 與 1101。互斥或(XOR)規則為相異為1、相同為0。逐位：bit3 0⊕1=1、bit2 1⊕1=0、bit1 1⊕0=1、bit0 0⊕1=1，結果 1011，與題述相符。加法 0110+1101 會進位得 10011；互斥反或(XNOR)為 XOR 取補=0100，皆不符。故所為運算為互斥或，選項3正確。
下列對臨界溫度熱敏電阻的說明何者為正確? 1. 具有正溫度係數之特性 2. 於臨界溫度範圍以外時,對溫度之反應很大 3. 只針對某一特定溫度範圍時,其電阻值會變化大 4. 於臨界溫度範圍以外時,電阻的變化大。
答案：(3) 只針對某一特定溫度範圍時,其電阻值會變化大
解析：臨界溫度熱敏電阻（CTR）的特性是：當溫度到達某一臨界值附近時，電阻值會急遽變化（通常是驟降），因此它只在該特定溫度範圍內有明顯的電阻變化，範圍以外則變化平緩。這種「開關式」的溫度響應適合做溫度保護、過熱警報與溫度開關。選項 1 把它說成一般正溫度係數（PTC）元件並不正確，PTC 是電阻隨溫度平順上升；選項 2、4 都把劇烈變化說成發生在臨界範圍以外，與實際特性相反。
如下圖所示,A B 兩點之短路電流為多少安培? 1. 3 / 4 2. 3 3. 11 / 4 4. 4 。
答案：(2) 3
下列對肖特基能障(S c h o t t k y b a r r i e r )二極體的說明,何者為不正確? 1. 順向壓降很小 2. 逆向恢復時間很短 3. 逆向崩潰電壓很高 4. 用於低電壓整流電路。
答案：(3) 逆向崩潰電壓很高
解析：肖特基能障二極體以金屬與半導體接觸形成，其順向壓降僅約 0.2～0.3V（很小），且因多數載子導通、無少數載子儲存效應，逆向恢復時間極短，故常用於低電壓、高頻整流。但其缺點是逆向崩潰電壓偏低（通常僅數十伏），並非「很高」。故「逆向崩潰電壓很高」此敘述不正確，為應選項。
S C R 之閘極控制電路和負載使用相同的交流電源時導火延遲角(f i r i n g d e l a y a n g l e )祇能在 下列何者間調整? 1. - 90 ° ~0 ° 2. 90 ° ~180 ° 3. 0 ° ~180 ° 4. 0 ° ~90 ° 。
答案：(4) 0 ° ~90 °
解析：閘極控制電路與負載共用同一交流電源時，閘極觸發信號與陽極電壓同相位，只能靠電阻電容（RC）相移網路讓觸發脈波落後，而單級RC相移最大不超過90°，因此導火延遲角僅能在0°～90°之間調整。若要得到90°～180°的延遲，閘極電路必須改用與陽極電壓相差180°（反相）的電源，或加裝變壓器反相才行。選項1的-90°～0°會使SCR在陽極負半週觸發，無法導通；90°～180°與0°～180°皆超出同相位電源可達範圍。故選4。
下列何者為量測用的D C 電橋? 1. 歐文電橋 2. 馬克士威電橋 3. 惠斯頓電橋 4. 海氏電橋。
答案：(3) 惠斯頓電橋
解析：惠斯頓電橋（Wheatstone bridge）以直流（DC）電源激勵，利用四臂電阻平衡原理量測未知電阻，屬量測用 DC 電橋。歐文電橋、馬克士威電橋、海氏電橋皆以交流（AC）電源激勵，且分別用於量測電感或電感相關參數，屬 AC 電橋，非 DC 電橋。故量測用 DC 電橋為惠斯頓電橋。
某10 m H 電感器在25 μ s 期間所通過的電流從20 m A 增到100 m A,則其兩端變動的端電壓為 多少? 1. 8 V 2. 16 V 3. 32 V 4. 40 V 。
答案：(3) 32 V
解析：依電感器電壓公式 V=L·ΔI/Δt。L=10 mH=0.01 H，ΔI=100 mA−20 mA=80 mA=0.08 A，Δt=25 μs=25×10⁻⁶ s，代入得 V=0.01×0.08/(25×10⁻⁶)=32 V。電流增加時，感應電壓極性會阻止電流上升，但題目問變動的端電壓大小為 32 V，因此選 3。
如下圖電路所示,忽略 及 、和 的影響,其電路飽和的條件為何? 1. 2. 3. 4. 。
如圖所示電路,其V a =? 1. 0 . 12 V 2. 0 . 24 V 3. 0 . 36 V 4. 0 . 48 V 。
答案：(1) 0 . 12 V
下列何者為熱能與電能的轉換元件? 1. 電池 2. 日光燈 3. 熱耦 4. 光電管。
答案：(3) 熱耦
解析：熱耦（thermocouple）由兩種不同金屬接合而成，利用熱電效應（Seebeck效應），在接點受熱時產生與溫差成正比的微小電壓，屬於「熱能→電能」的轉換元件，常用於溫度感測。電池是化學能轉換為電能；日光燈是電能轉換為光能（伴隨熱能）；光電管則是光能轉換為電能。三者方向或形式皆與題意不符。故選3。
因環境溫度、壓力及濕度的影響,而使儀表量測產生誤差,我們稱之為: 1. 系統誤差 2. 儀表誤差 3. 混亂誤差 4. 人為誤差。
答案：(1) 系統誤差
解析：因環境溫度、壓力、濕度等外界條件變化，使儀表產生固定規律的偏差，稱為系統誤差（systematic error）。此類誤差大小與方向有一定趨勢，可透過校正、補償或控制環境條件加以改善。儀表誤差泛指儀器本身結構與元件造成的偏差；混亂誤差（隨機誤差）大小方向無規律、無法預測；人為誤差則來自操作者的讀值或使用方法。故選1。
若一恆流源差動放大器的各個雙載體接面電晶體( B J T ) 的參數皆相同,即 、 、 ,則此放大器之差模輸入電阻值約等於多少? 1. 300 k Ω 2. 225 k Ω 3. 3 . 0 k Ω 4. 500 Ω 。
答案：(3) 3 . 0 k Ω
在一純電感性電路,若 ,則其電流i ( t ) 為何? 1. 2. 3. 4. 。
如下圖電路所示,輸出電壓(V )為何? 1. 3 V 2. 5 V 3. 10 V 4. 15 V 。
答案：(2) 5 V
下列敘述何者為正確? 1. F E T 的熱穩定性較B J T 差 2. F E T 的輸入阻抗較B J T 小 3. F E T 的雜訊免疫力較B J T 高 4. F E T 的操作速率較B J T 快。
答案：(3) F E T 的雜訊免疫力較B J T 高
解析：FET為電壓控制元件，無少數載子儲存效應，較不易發生熱跑脫與二次崩潰，熱穩定性優於BJT，故1錯誤；FET閘極輸入阻抗極高（可達10^9Ω以上），遠大於BJT的輸入阻抗，故2錯誤；BJT因載子移動率高、寄生電容影響較小，操作速率通常較FET快，故4錯誤。FET（尤其JFET）本身雜訊低，對雜訊的免疫力較高，故選3。
一般1 W 以上電阻器、電晶體等之安裝,應使元件與基板間的間隙約為若干? 1. 0 m m 2. 1 m m ~3 m m 3. 3 m m ~5 m m 4. 8 m m ~12 m m 。
答案：(3) 3 m m ~5 m m
解析：1W以上電阻器、功率電晶體等屬於發熱元件，安裝時應使元件本體與基板保持約3mm～5mm的間隙。此間隙可增加空氣對流、幫助散熱，避免基板長期受熱而碳化、變色或裂損，也能緩衝熱脹冷縮與振動造成的應力。若為0mm完全貼合，散熱最差；1mm～3mm間隙偏小，散熱效果不足；8mm～12mm則過大，元件固定不穩、易受振動影響且佔空間。故選3。
一般18 公斤以下滅火器放置時,其上端離地板面不得超過幾公尺? 1. 1 公尺 2. 1 . 5 公尺 3. 2 公尺 4. 2 . 5 公尺。
答案：(2) 1 . 5 公尺
解析：依消防安全設備設置相關規定，滅火器應置於明顯易取處，且為方便一般人員拿取，18公斤以下之滅火器，其頂端離地板面不得超過1.5公尺。若放置過高，緊急時取用不易，將延誤滅火時機；放置過低則易受潮、妨礙通行。1公尺、2公尺、2.5公尺均與規定的1.5公尺不符。故選2。
下列何種儀表最適用於檢修矽控整流器( S C R ) 的觸發電路? 1. 邏輯測試棒 2. 數位電壓表 3. 儲存示波器 4. 三用電表。
答案：(3) 儲存示波器
解析：SCR的閘極觸發信號是短暫、非週期性的脈波，檢修時除需確認脈波是否產生，還要觀察觸發脈波與陽極電壓之間的相位關係。三用電表與數位電壓表只能顯示平均值，看不出瞬間波形；邏輯測試棒僅能判斷高、低準位，無法記錄瞬態。儲存示波器可擷取並凍結單次或低重複率的波形，最能完整呈現觸發脈波。故選3。
如下圖電路所示,反相放大電路中,R 之值應為: 1. R 2. R 3. R / / R 4. R +R 。
答案：(3) R / / R
設有五個輸入變數的布林函數式f ( A , B , C , D , E ),若要使用多工器來實現此函數時,則最佳選 擇為選用? 1. 4 對一 2. 8 對一 3. 16 對一 4. 32 對一。
答案：(3) 16 對一
解析：以多工器實現 n 個變數的布林函數，可選用 2^(n−1) 對一的多工器，將 n−1 個變數接至選擇線，剩下一個變數接到各資料輸入端（接 0、1、該變數或其反相）。本題 n=5，因此使用 16 對一多工器，只需 4 條選擇線，比 32 對一更精簡，故選 3。
磁碟片每次存取資料的單位為何? 1. 位元( b i t ) 2. 位元組( b y t e ) 3. 磁區( s e c t o r ) 4. 磁軌( t r a c k )。
答案：(3) 磁區( s e c t o r )
解析：磁碟（含軟碟片）最小實體存取單位是磁區（sector），每次讀寫皆以磁區為單位，一般每磁區512位元組。位元、位元組是邏輯資料單位，磁軌則包含多個連續磁區；磁碟控制器以磁區為I/O基礎。關鍵觀念：磁碟存取以sector為單位，作業系統再將其組成檔案系統區塊，故選3。
如下圖符號所示,為下列何者元件? 1. 光遮斷器 2. 光電晶體 3. 光耦合器 4. 光二極體。
答案：(2) 光電晶體
在2 的補數運算時,下列何者有可能產生下限溢位( u n d e r f l o w ) ? 1. 負數減負數 2. 負數減正數 3. 正數減負數 4. 正數減正數。
答案：(2) 負數減正數
解析：二補數中，溢位發生於結果超出可表示範圍。下限溢位(underflow)指結果比最小負值更小(過於負)。負數減正數等同負數加負數，兩負數相加結果更負，可能小於可表示最小負值而產生下限溢位。正數減負數為正加正，造成上限溢位；正減正、負減負皆為異號相加，不會溢位。故選項2正確。
誤差為± 10 p p m 時,相當於多少百分比誤差? 1. ± 0 . 001 % 2. ± 0 . 01 % 3. ± 0 . 1 % 4. ± 1 %。
答案：(1) ± 0 . 001 %
解析：ppm 是 parts per million，即百萬分之一，1 ppm=1/10⁶=10⁻⁶。10 ppm=10×10⁻⁶=10⁻⁵。百分比是百分之一（10⁻²），換算時將 10⁻⁵除以 10⁻²得 10⁻³，即 0.001%。所以 ±10 ppm 等於 ±0.001%，屬於精密電阻、石英振盪器頻率與高階電錶常見的規格等級；反過來說，1 ppm 約相當於 0.0001%。
在串列傳輸格式中,資料位元為8 b i t、偶同位元及停止位元為2 b i t,設檔案長度為10 b y t e , 則以速度2400 鮑率( b a u d r a t e ) 傳送資料,所需之傳送時間為多少? 1. 41 . 5 m s 2. 45 . 5 m s 3. 50 m s 4. 54 m s 。
答案：(3) 50 m s
解析：串列非同步傳輸每byte含起始位元1 bit、資料8 bit、偶同位1 bit、停止位元2 bit，共1+8+1+2=12 bit/byte。檔案10 byte，總位元數=10×12=120 bit。鮑率2400表示每秒傳2400 bit，時間=120÷2400=0.05秒=50毫秒（ms）。故傳送時間為50 ms。選項1、2、4數值與計算不符。正確答案為選項3。
某一放大器之電壓增益為25 ,總諧波失真為15 %,若接上一負回授電路,回授因素β 為2 %,則此放大器之諧波失真變為: 1. 7 . 5 % 2. 10 % 3. 12 . 5 % 4. 15 %。
答案：(2) 10 %
解析：加入負回授後，諧波失真會降為原來的1/(1+Aβ)倍，即Df＝D/(1+Aβ)。已知A＝25、β＝2%＝0.02，先算Aβ＝25×0.02＝0.5，則1+Aβ＝1.5；代入Df＝15%÷1.5＝10%。負回授是以降低增益換取失真減小、頻寬增加與穩定度提升。7.5%、12.5%、15%皆非依此公式計算的結果。故選2。
下列元件中,哪一個的內部資料不會因停電而消失? 1. D R A M 2. S R A M 3. C M O S R A M 4. E E P R O M 。
答案：(4) E E P R O M
解析：EEPROM（電子式可抹除可程式化唯讀記憶體）屬於非揮發性記憶體，其內部資料在停電後仍能保存，不會消失。DRAM與SRAM均為揮發性隨機存取記憶體，停電後資料立即流失；CMOS RAM雖以電池備援保存設定，但本質仍為揮發性，一旦斷電且電池失效資料即丟失。故唯一肯定不因停電消失者為EEPROM，選4。
如下圖電路所示,若測得V =2 V、V =0 V、V =10 V,則下列何者為可能的故障原因? 1. 電晶體B — E 接面開路 2. R 短路 3. R 開路 4. 電晶體B C 接面開路。
答案：(1) 電晶體B — E 接面開路
可用來測量同軸電纜線斷路位置的是下列何種電橋? 1. 馬克士威( M a x w e l l ) 2. 海氏( H a y ) 3. 歐文( O w e n ) 4. 史林( S c h e r i n g ) 。
答案：(4) 史林( S c h e r i n g )
解析：史林(Schering)電橋為電容電橋，用以測量電容及介質損失角。同軸電纜斷路時，未斷部分長度與分布電容成正比，可藉電容比值推算斷路點距離，故以電容電橋定位。麥克斯威、海氏、歐文均為電感電橋，用於量測線圈電感與Q值，不適合電纜斷路定位。
使用交流電橋做電感器量測時,下列何種電橋有較高的準確度? 1. 歐文電橋( O w e n b r i d g e ) 2. 海氏電橋( H a y b r i d g e ) 3. 史林電橋( S c h e r i n g b r i d g e ) 4. 馬克士威電橋( M a x w e l l b r i d g e ) 。
答案：(1) 歐文電橋( O w e n b r i d g e )
解析：歐文電橋（Owen bridge）用於量測電感，其平衡條件與電源頻率無關，不受頻率變動影響，因此量測準確度較高，且可量測範圍廣。海氏電橋（選項2）適用於高 Q 值電感；馬克士威電橋（選項4）適用於低 Q 值電感，但兩者平衡式含頻率項，受頻率影響；史林電橋（選項3）主要用於量測電容與介電損失，非電感量測。故準確度較高者為歐文電橋。
一個24 × 24 點的中文字型,在記憶體中佔用了幾個位元組? 1. 24 2. 48 3. 72 4. 576 。
答案：(3) 72
解析：字型點陣的儲存量算法為「橫向點數 × 縱向點數 ÷ 每 byte 的位元數」。24×24 點的中文字型共有 24×24＝576 個點，若每個點以 1 bit 表示（亮或暗），則需 576 bit；又 1 byte＝8 bit，故 576÷8＝72 byte。因此一個 24×24 中文字型在記憶體中佔用 72 個位元組，其他選項的數值均與此計算結果不符。
下圖所示之電路為何種用途? 1. 整流電路 2. 電源穩壓電路 3. 放大電路 4. 單穩態多諧振盪電路。
答案：(2) 電源穩壓電路
有一個控制輸入及一個資料輸入的邏輯電路,當控制輸入為0 時,輸出資料和輸入資料相同, 當控制輸入為1 時,輸出資料為輸入資料的補數,則此邏輯電路為何? 1. A N D 閘 2. O R 閘 3. N A N D 閘 4. X O R 閘。
答案：(4) X O R 閘
解析：XOR(互斥或)閘特性為兩輸入相同輸出0、相異輸出1。將控制輸入視為一極、資料輸入為另一極：控制=0時，0⊕資料=資料原值；控制=1時，1⊕資料=資料補數，恰符合題述。AND、OR、NAND皆無法依控制位準切換為補數輸出，故為XOR閘。
有一電阻在25 °C時為10 Ω ,75 °C時為10 . 1 Ω ,則此電阻在25 °C時之溫度係數為若干? 1. 0 . 002 2. 0 . 001 3. 0 . 0002 4. 0 . 0001 。
答案：(3) 0 . 0002
解析：電阻溫度關係式R_t=R_0[1+α(T−T_0)]。已知R_25=10Ω、R_75=10.1Ω，代入得10.1=10[1+α(75−25)]=10(1+50α)。整理得1.01=1+50α，故50α=0.01，α=0.0002/°C。25°C時溫度係數即為0.0002，選項3正確。
下列何者不屬於單晶片微電腦( s i n g l e c h i p m i c r o c o m p u t e r ) ? 1. 8051 2. 8251 3. 8751 4. 89 C 51 。
答案：(2) 8251
解析：8251是可程式化通訊介面（USART）周邊晶片，負責並列與串列資料轉換，本身不含CPU、程式記憶體與RAM，不能獨立執行程式，因此不屬於單晶片微電腦。8051、8751（內含EPROM）與89C51（內含Flash）都在單一晶片內整合CPU、程式記憶體、資料記憶體、I/O與計時器，屬典型的單晶片微電腦。
有關雙跡示波器中之C H O P 及A L T 掃描方式的敘述,下列何者不正確? 1. 用A L T 觀測高頻率信號較佳 2. 用C H O P 可同時顯示兩種波形 3. 用C H O P 觀測低頻率信號不會閃爍 4. 用A L T 觀測低頻率信號時,波形會呈現一段段不連續的情形。
答案：(4) 用A L T 觀測低頻率信號時,波形會呈現一段段不連續的情形
解析：ALT(交替)掃描於每次觸發輪流掃描兩通道，適合高頻；低頻時因交替刷新慢會產生閃爍。CHOP(切割)於單次掃描內高速切換兩通道，適合低頻且不閃爍，可同時顯示兩波形。選項4將低頻閃爍誤述為ALT呈現「一段段不連續」，此特性實為CHOP在高頻的現象，故4不正確。
有一l 0 μ F 的電容器接上50 V 的電源,若以2 A 的穩定電流充電時,須經多少時間可充電完 畢? 1. 2 . 5 μ s 2. 0 . 25 μ s 3. 2 . 5 m s 4. 0 . 25 m s 。
答案：(4) 0 . 25 m s
解析：電容充電電荷Q=CV=10μF×50V=500μC=5×10^-4庫侖。以穩定電流I=2A充電，由I=Q/t得t=Q/I=5×10^-4/2=2.5×10^-4秒=0.25ms。故需0.25毫秒充電完畢，選項4正確。
漣波因數愈大,濾波器之效果將如何? 1. 愈好 2. 愈差 3. 不變 4. 不一定。
答案：(2) 愈差
解析：漣波因數定義為輸出漣波有效值與直流平均值之比（r = V_r(rms) / V_dc），此比值愈小，代表濾波後殘留的交流成分愈少、輸出愈接近純直流，濾波效果愈好。反之，漣波因數愈大表示殘留的交流成分愈多，濾波效果愈差。實務上會加大濾波電容，或改用 LC、π 型濾波器來降低漣波因數。
放大器的偏壓選擇不當,將引起? 1. 電路振盪 2. 相位失真 3. 頻率失真 4. 波幅失真。
答案：(4) 波幅失真
解析：放大器偏壓決定靜態工作點(Q點)。若偏壓不當使工作點偏離主動區、落入截止或飽和區，輸入信號部分半週被截去，輸出振幅遭壓縮或削波，即為波幅失真(振幅失真)。電路振盪多因回授不穩定；相位失真與頻率失真源於電路對不同頻率之相位移或增益不一致，與偏壓設定無直接關係。故偏壓不當最直接引起波幅失真，選項4正確。
使用 位的數位電壓表,量測5 V 的電壓時,其解析度可達到多少? 1. 10 μ V 2. 0 . 1 m V 3. 1 m V 4. 10 m V 。
答案：(2) 0 . 1 m V
電晶體放大電路中,下列何者是影響放大器高頻響應的主因? 1. 反耦合電容 2. 耦合電容 3. 射極旁路電容 4. 電晶體的極際電容。
答案：(4) 電晶體的極際電容
解析：高頻響應主要受電晶體極際電容影響，例如 Cbe 與 Cbc（Cob）。頻率升高時容抗變小，加上米勒效應會把 Cbc 放大為 (1+Av)Cbc 等效到輸入端，使輸入阻抗下降、增益衰減，並限制上限截止頻率。耦合電容、射極旁路電容與反耦合電容的容抗在低頻時才明顯變大，主要決定低頻響應，因此不是影響高頻響應的主因。
使用漣波計數器設計除頻電路,現有10 M H z 的振盪信號,試問最少應用幾級正反器方可將信 號除頻至1 H z 以下? 1. 22 2. 23 3. 24 4. 25 。
答案：(3) 24
解析：n 級漣波計數器可將頻率除以 2ⁿ。要讓 10 MHz 除頻後低於 1 Hz，需滿足 10⁷/2ⁿ<1，即 2ⁿ>10⁷。計算 2²³=8,388,608，仍小於 10⁷，輸出約 1.19 Hz；2²⁴=16,777,216，已大於 10⁷，輸出約 0.596 Hz。因此最少需 24 級正反器，選 3。
下列對工業用標示顏色所代表之意義的使用說明,何者為錯誤? 1. 紅色表示防火設備、禁止 2. 黃色表示注意、警告 3. 綠色表示安全、救護設備 4. 藍色表示放射性危險。
答案：(4) 藍色表示放射性危險
解析：依工業安全色彩標準：紅色表示防火設備與禁止；黃色表示注意、警告；綠色表示安全與救護設備；藍色表示「必須遵守之指示（強制）」。放射性危險並非以藍色表示，而是以黃底黑色三葉形輻射標誌呈現。故敘述4「藍色表示放射性危險」錯誤，應選4。