民國96年 第3梯次 11600 電力電子乙級 學科考古題與答案

第1題

下列何者可直接作為交流電壓控制器元件,以控制交流功率? 1. F E T 2. U J T 3. P U T 4. T R I A C 。

答案：(4) T R I A C

解析：TRIAC 為雙向閘流體，可在交流正、負半周皆導通，直接以閘極觸發控制導通角來調整交流功率，是典型交流電壓控制器。FET 為單向直流開關；UJT、PUT 僅為觸發元件，非主功率開關。故可直接作交流電壓控制器者為 TRIAC。

第2題

工作圖的投影象限常用者有 1. 二種 2. 三種 3. 四種 4. 五種。

答案：(1) 二種

解析：工作圖採用正投影法繪製，實務上常用者為第一角法與第三角法兩種。第一角法是将物體置於第一象限、投影面位於物體後方；第三角法则是将物體置於第三象限、投影面位於觀察者與物體之間。兩者分別對應不同的象限配置，各有其視圖排列規則，是業界與製圖標準實際採用的畫法，故常用者為二種；第二與第四象限的投影配置並不作為工作圖的標準畫法。

第3題

某一共射極放大器之電壓增益為20 d B,其後串接一級射極隨耦器,則總電壓增益約為多少? 1. 10 d B 2. 20 d B 3. 30 d B 4. 40 d B 。

答案：(2) 20 d B

解析：串接各級的總電壓增益（dB）等於各級增益（dB）相加。射極隨耦器（共集極）的電壓增益約為 1，換算為 20log1＝0 dB，因此總增益約為 20＋0＝20 dB。40 dB 需再放大 100 倍，隨耦器並不提供電壓放大；10 dB 或 30 dB 則需衰減或額外放大，均與串接隨耦器的結果不符。

第4題

驅動某電感量較小的馬達,若要降低諧波含量可以將切換頻率作何調整? 1. 調大 2. 調小 3. 維持不變 4. 諧波含量與切換頻率無關。

答案：(1) 調大

解析：馬達以 PWM 變頻驅動時，輸出電壓為一連串脈波，低次諧波主要集中在切換頻率及其倍數附近。將切換頻率調大，可使諧波成分往更高頻率推移，低頻段的諧波含量與電流漣波隨之降低，也較容易用濾波器濾除；代價是開關損失增加。調小切換頻率會使諧波更靠近基波、含量增加，故不宜。諧波含量確實與切換頻率有關，因此選調大。

第5題

用工具來鬆動螺帽時,正確應使用 1. 固定板手( 尺寸固定者) 2. 手鉗 3. 鐵鑿子 4. 尖嘴鉗。

答案：(1) 固定板手( 尺寸固定者)

解析：鬆動或鎖緊螺帽應選用尺寸與螺帽六角對邊相符的固定扳手，使開口完整包覆螺帽、施力平均，才不易滑脫或崩角。手鉗與尖嘴鉗的齒口無法均勻夾持六角面，容易咬傷螺帽；鐵鑿子屬鑿切工具，靠衝擊力破壞工件，用來轉動螺帽會損壞螺紋與螺帽本體。若扳手尺寸不合，開口間隙過大也會造成滑牙，故仍以尺寸固定的扳手最正確。

第6題

下圖電路中,其電流I 為多少? 1. 6 A 2. 8 A 3. 10 A 4. 12 A 。

答案：(2) 8 A

第7題

場效電晶體F E T 作放大器動作時,其工作點範圍應在 1. 動作區 2. 歐姆區 3. 截止區 4. 定電壓區。

答案：(1) 動作區

解析：場效電晶體作線性放大器時，須工作於主動區（又稱飽和區、動作區），使汲極電流受閘源電壓控制且具高輸出電阻，方能不失真放大。歐姆區（線性區）用於開關導通；截止區不導通；定電壓區非放大工作點。故工作點應置於動作區，選1。

第8題

用以評估C P U 執行速度的單位為 1. B P S 2. M I P 3. B I P 4. B P M 。

答案：(2) M I P

解析：MIP 表每秒百萬指令數（Million Instructions Per Second），以單位時間內 CPU 可完成的指令數來衡量運算速度，數值愈大代表執行效率愈高。BPS 為每秒傳輸位元數，屬通訊或資料傳輸速率的單位；BPM 為每分鐘次數，常用於馬達轉速、泵浦流量或生理訊號計量；BIP 不是效能評估的標準單位。故本題應選 MIP。

第9題

C P U 會依下列何種暫存器的內容來依序執行程式? 1. 索引暫存器 2. 狀態暫存器 3. 指令暫存器 4. 程式計數器。

答案：(4) 程式計數器

解析：CPU 採用「取指—解碼—執行」的循環，程式計數器（Program Counter，PC）負責存放「下一條要執行指令的記憶體位址」，每取出一條指令後，PC 便自動遞增，因此程式能依序執行。指令暫存器（IR）只暫存目前正在解碼的那一條指令內容，並不決定執行順序；索引暫存器用於定址計算，狀態暫存器保存旗標，兩者都不負責指出下一條指令的位置。

第10題

變壓器之渦流損失與矽鋼片之厚度成 1. 正比 2. 反比 3. 平方正比 4. 平方反比。

答案：(3) 平方正比

解析：變壓器鐵心的渦流損失與磁通密度、頻率及矽鋼片厚度的平方成正比，即 Pe ∝ B²f²t²，其中 t 為鋼片厚度。厚度減半，渦流損失可降為原來的四分之一，因此鐵心採用薄矽鋼片疊積，片間並塗絕緣漆以阻斷渦流路徑。由此可知渦流損失與厚度成平方正比，而非正比或反比。

第11題

數位I C 雜訊界限( N o i s e M a r g i n ) 正確的算法應為 1. - 2. - 3. - 4. - 。

答案：(3) -

第12題

一般電壓表之內阻為 1. 10 倍 2. 5 倍 3. 3 倍 4. 2 倍於待測電路電阻時,可得到較準確的結果。

答案：(1) 10 倍

解析：電壓表是與待測電路並聯，內阻越大，分流越小，測得電壓越接近真實值。實務上要求電壓表內阻至少為待測電路電阻的 10 倍以上，此時分壓誤差約為 R/(R+Rv)≒1/11，約 9%，在一般指針表已可接受；若僅 2 倍或 3 倍，誤差高達 33%～50%，讀值嚴重偏低。故選內阻為待測電阻 10 倍者可得較準確結果。

第13題

下列控制系統參數中,何者不會受到反饋影響? 1. 增益 2. 靈敏度 3. 阻抗 4. 溫度。

答案：(4) 溫度

解析：負回授會改變系統的增益（降低靈敏度、提高穩定度）、降低對參數變動的靈敏度，並改變輸入與輸出阻抗（輸入阻抗升高、輸出阻抗降低），這些都是回授可直接影響的參數。溫度屬於外在環境條件，並非回授路徑所能直接改變的系統參數；回授只能「減輕」溫度造成的影響，不能使溫度本身不受影響，故選溫度。

第14題

變壓器交連放大器中,當變壓器之鐵芯採用矽鋼片材質,其目的是為了減少 1. 磁滯損 2. 渦流損 3. 銅損 4. 雜散損。

答案：(2) 渦流損

第15題

特性曲線描跡器( C u r v e T r a c e r ) 之主要功用為 1. 測量線路之輸出電壓波形 2. 測量線路之輸出電流波形 3. 測量半導體元件之電壓/電流特性 4. 測量電機裝置之耐壓。

答案：(3) 測量半導體元件之電壓/電流特性

解析：特性曲線描跡器（Curve Tracer）內部提供可調的掃描電壓與電流，加於二極體、電晶體、MOSFET、SCR 等半導體元件上，並在螢幕上描繪元件的電壓—電流特性曲線，用以判斷導通電壓、崩潰電壓、增益、飽和區等特性，是檢修與篩選元件的主要工具。它並非用來觀察電路整體的輸出電壓或電流波形，也不作為電機裝置耐壓試驗設備。

第16題

正反器( F l i p -F l o p ) 是一種 1. 單穩態多諧振盪器 2. 雙穩態多諧振盪器 3. 非穩態多諧振盪器 4. 矽控整流器。

答案：(2) 雙穩態多諧振盪器

解析：正反器具有兩個穩定狀態（0與1），在時脈或觸發信號作用下才切換，且能保持狀態，因此屬於雙穩態多諧振盪器，是暫存器、計數器與記憶元件的基礎。單穩態多諧振盪器只有一個穩態，觸發後產生固定寬度脈衝；非穩態多諧振盪器沒有穩態，會持續振盪；矽控整流器為功率開關元件，並非多諧振盪器。

第17題

下列何種功率元件具有電流雙向流通之能力? 1. M O S F E T 2. S C R 3. T R I A C 4. G T O 。

答案：(3) T R I A C

解析：TRIAC（三端交流開關）由兩個方向相反之 SCR 並聯構成，可在交流電壓正、負半周皆導通，具電流雙向流通能力，適用於交流相位控制。MOSFET 雖有內部二極體，但作為開關主要單向導通；SCR 與 GTO 均僅能單向導通（陽極至陰極），不具雙向能力。故具有電流雙向流通能力者為 TRIAC，選項 3 正確。

第18題

設v = 2 s i n ( 314 t - 30 ° ) ,則通過第一峰值之時間為多少? 1. 1 / 300 秒 2. 1 / 150 秒 3. 1 / 100 秒 4. 1 / 50 秒。

答案：(2) 1 / 150 秒

解析：v=2sin(314t−30°)，峰值出現在相角等於 90° 時，即 314t−30°=90°，得 314t=120°。將 120° 換算為弳度為 2π/3，又 314≈100π rad/s，故 t=(2π/3)/(100π)=2/300=1/150 秒。另可用週期驗算：T=2π/314≈0.02 秒，峰值延遲 120°/360°=1/3 週期，t=0.02/3≈1/150 秒，結果一致。

第19題

數位記憶裝置元件須具備幾種穩定狀態? 1. 1 種 2. 2 種 3. 4 種 4. 8 種。

答案：(2) 2 種

解析：數位記憶元件的基礎是雙穩態（Bistable）電路，必須具備兩種可區別且能長期保持的穩定狀態，分別代表邏輯 1 與邏輯 0，例如正反器的導通與截止、電容的充電與放電、磁化的兩個方向。只有一種穩定狀態無法儲存資訊，四種或八種狀態則屬於多位準記憶，不是基本數位記憶元件的必要條件。故須具備 2 種穩定狀態，選2。

第20題

不需要運算元的定址法為下列何者? 1. 隱含式定址法 2. 直接定址法 3. 立即定址法 4. 相對定址法。

答案：(1) 隱含式定址法

解析：隱含式（又稱隱含定址）把運算元隱含在運算碼中，指令本身即指明要操作的暫存器或累加器，例如「INC A」、「CLA」，因此指令格式不需要運算元欄位。直接定址須在指令中列出運算元的位址；立即定址須附上常數運算元；相對定址須提供位移量，再與程式計數器相加求得位址。三者都必須有運算元欄位，故選隱含式定址法。

第21題

樞密特觸發電路( S c h m i t t T r i g g e r C i r c u i t ) 有下列何種功能? 1. 可將方波轉變成鋸齒波 2. 可將方波轉變成正弦波 3. 可將方波轉變成三角波 4. 可將正弦波轉變成方波。

答案：(4) 可將正弦波轉變成方波

解析：樞密特觸發電路利用正回授形成上下兩個臨界電壓的遲滯特性，可將變化緩慢或帶雜訊的正弦波整形為上升、下降邊緣陡峭的方波，因此具有波形整形與抗雜訊功能。它不會把方波轉換成鋸齒波、正弦波或三角波；那些屬於濾波、積分或波形產生電路的功能。

第22題

下圖中Q 及Q 觸發延遲角均為90 ° ,則輸出電壓V 之有效值為 1. 1 . 414 V r m s 2. V r m s 3. 0 . 707 V r m s 4. 0 . 5 V r m s 。

答案：(3) 0 . 707 V r m s

第23題

下圖電路為 1. 昇壓截波器 2. 降壓截波器 3. 昇壓-降壓截波器 4. 變頻器。

答案：(2) 降壓截波器

第24題

某電容C = 100 μ F ,其電壓在一週期T = 200 μ S 內增加1 V ,則在此週期內電容電流之平均值 為多少? 1. 0 . 5 A 2. 1 A 3. 2 A 4. 5 A 。

答案：(1) 0 . 5 A

解析：電容電流與電壓變化率的關係為 i=C·dv/dt，平均值可用 Δv/Δt 計算。代入 C=100 μF=100×10⁻⁶ F、Δv=1 V、Δt=200 μS=200×10⁻⁶ s，得 I=100×10⁻⁶×(1/200×10⁻⁶)=100/200=0.5 A。此即電容充放電的 average current，1 A 需在同樣時間內變化 2 V，故其他選項數值不符。

第25題

下列何者之輸出接腳必須接上提昇電路才能連接到資料匯流排上使用? 1. D R A M 2. S R A M 3. 開集極邏輯閘 4. 三態閘。

答案：(3) 開集極邏輯閘

解析：開集極（Open Collector）邏輯閘的輸出級電晶體集極是開路的，只能把輸出拉低到接地準位，本身無法主動輸出高準位，因此必須外接提升電阻（pull-up resistor）接到 VCC，才能形成完整的高、低兩種準位，連上資料匯流排。DRAM 與 SRAM 的資料輸出多為三態或推挽輸出，可直接驅動匯流排；三態閘輸出本身即具高準位、低準位與高阻抗三種狀態，能直接並接匯流排，不需外加提升電路。

第26題

感應馬達在低轉速控制時,產生之轉矩較容易受下列那一參數之影響? 1. 溫度 2. 定子電抗X 3. 轉子電抗X 4. 定子電阻R 。

答案：(4) 定子電阻R

解析：感應馬達低轉速變頻控制時多採 V/f 定值控制，因頻率與電壓同步下降，定子電阻的電壓降在低電壓下所占比例明顯變大，使氣隙磁通減弱、輸出轉矩下降，故變頻器須加入定子電阻壓降補償以維持低頻轉矩。相對地，低頻時定、轉子電抗隨頻率下降而變小，其影響反而減弱，因此低轉速轉矩主要受定子電阻影響。

第27題

下列那一個是屬於硬體中斷處理用的I C ? 1. 8259 2. 8251 3. 8255 4. 8253 。

答案：(1) 8259

解析：8259 為可程式化中斷控制器（PIC），專門接收並管理外部硬體裝置的中斷請求（IRQ），進行優先順序判斷後向 CPU 發出中斷信號，屬硬體中斷處理元件。8251 為可程式化通訊介面（USART），用於串列資料收發；8255 為可程式化周邊介面（PPI），提供並列 I/O 埠；8253 為可程式化計時器／計數器。故答案為 8259。

第28題

電樞鐵心用薄矽鋼片疊成,其目的是在減少 1. 磁滯損 2. 渦流損 3. 銅損 4. 雜散損。

答案：(2) 渦流損

解析：電樞鐵心在交變磁場下會感應出渦流，渦流在鐵心內流動造成渦流損。將鐵心改用薄矽鋼片疊壓，片與片之間有絕緣層，可阻斷渦流路徑、提高等效電阻，使渦流損大幅降低。磁滯損主要靠矽鋼材料特性改善；銅損發生於繞組；雜散損屬其他漏磁與高頻效應。因此薄矽鋼片疊成的目的在減少渦流損。

第29題

當A 類放大器無輸入信號時,則其電晶體消耗功率為 1. 最小 2. 最大 3. 不影響 4. 視情況而定。

答案：(2) 最大

解析：A 類放大器的偏壓使電晶體工作在負載線中點，無輸入信號時仍流通最大的靜態集極電流，電源所供功率全部變成電晶體的熱損耗，因此消耗功率最大、效率最低（理論最高效率僅 25%）。加入信號後，部分功率轉送至負載，電晶體本身消耗反而減少。故無信號時消耗功率最大。

第30題

一般C P U 之算術運算指令不會影響下列何種旗號? 1. 零 2. 負號 3. 中斷 4. 溢位。

答案：(3) 中斷

解析：CPU 執行算術運算（如 ADD、SUB）會依結果更新狀態旗標：零旗號（ZF）於結果為 0 時設定，符號（負號）旗號（SF）反映結果最高位元，溢位旗號（OF）於結果超出表示範圍時設定。中斷旗號（IF）用來控制是否回應可遮罩中斷，僅能由 CLI、STI 等專用指令改變，不受算術指令影響。故答案為中斷旗號。

第31題

下圖所示電路中,I 為多少安培? 1. 2 A 2. 6 A 3. 8 A 4. 12 A 。

答案：(2) 6 A

第32題

電力電子轉換器一般由下列那三種主要元件所組成? 1. 電阻、電容、電感 2. 功率開關、電容、 電阻 3. 電阻、電感、功率開關 4. 功率開關、電感、電容。

答案：(4) 功率開關、電感、電容

解析：電力電子轉換器靠功率開關（如 MOSFET、IGBT）進行高頻切換，並以電感儲能、濾波與限制電流漣波，以電容儲能、濾波與穩定輸出電壓，三者構成降壓、升壓、升降壓及隔離等基本拓撲。電阻主要消耗能量，並非轉換器的三大核心元件，故選功率開關、電感、電容。

第33題

正反器是一種 1. 單穩態多諧振盪器 2. 雙穩態多諧振盪器 3. 不穩態多諧振盪器 4. R C 相移振盪器。

答案：(2) 雙穩態多諧振盪器

解析：正反器（Flip-Flop）具有兩個穩定狀態，可長期保持 0 或 1，輸入信號改變時才翻轉狀態，故稱雙穩態多諧振盪器。單穩態僅有一穩態、需觸發才暫態；不穩態無穩態、持續振盪；RC 相移振盪器為正弦波產生電路，與記憶元件無關。故答案為雙穩態多諧振盪器。

第34題

在攻螺絲孔時,通常將板手轉一圈後,再反方向轉1 / 4 圈,其作用為 1. 使切屑斷裂 2. 使潤滑油進入 3. 使螺紋加深 4. 使螺孔光度增加。

答案：(1) 使切屑斷裂

解析：攻牙時每正轉一圈就反轉約 1/4 圈，主要作用是讓連續的切屑被折斷，避免長切屑纏繞在絲攻的溝槽上。切屑一旦纏繞，會使排屑不良、扭矩驟增，容易造成螺紋崩牙或絲攻折斷；斷屑後切屑可順利排出，切削液也較易滲入。反轉並非為了加深螺紋，也不以增加螺孔光度為目的，故選「使切屑斷裂」。

第35題

一顆C P U 具有20 條位址線,可定址到多大的記憶體空間? 1. 16 K B y t e s 2. 64 K B y t e s 3. 1 M B y t e s 4. 16 M B y t e s 。

答案：(3) 1 M B y t e s

解析：記憶體定址空間由位址線數量決定，可定址空間 = 2^位址線數。20 條位址線即 2^20 = 1,048,576 個位址，每個位址對應 1 位元組，故為 1 MB（1 MBytes）。16 條為 64 KB，24 條為 16 MB，均不符。故答案為 1 MBytes。

第36題

設電壓與電流之瞬時值為υ ( t ) = 200 s i n ( ω t + 30 ° ),i ( t ) = 10 s i n ( ω t - 15 ° ),則兩者相角之關係為 1. 電壓落後電流45 ° 2. 電壓超前電流45 ° 3. 電壓落後電流15 ° 4. 電流落後電壓15 ° 。

答案：(2) 電壓超前電流45 °

解析：電壓瞬時值相位角為 +30°，電流相位角為 -15°。兩者相位差 Δθ = θ_v - θ_i = 30° - (-15°) = 45°，正值表示電壓相位領先電流，即「電壓超前電流 45°」；亦可說電流落後電壓 45°。故選項 2 正確；選項 4 雖言電流落後電壓，但寫 15° 數值錯誤（應為 45°）。

第37題

若三用電表內部電池沒電時,則無法量測 1. 電阻值 2. 電流值 3. 電壓值 4. d B 值。

答案：(1) 電阻值

解析：指針式三用電表的電阻檔必須由內部電池提供測試電壓，將待測電阻串接於測試回路，利用流過的微小電流使指針偏轉，再換算成阻值；若內部電池沒電，就無法建立測試電流，所以不能量測電阻。電壓檔與電流檔主要取用待測電路本身的電源，dB 檔通常也是交流電壓的對數刻度，因此不受內部電池影響。

第38題

下圖N E 555 輸出之正脈衝,寬度為T 時,則其時間常數下列何者正確? 1. t 0 . 8 R C 2. t 1 . 1 R C 3. t 1 . 4 R C 4. t 2 . 2 R C 。

答案：(2) t 1 . 1 R C

第39題

下圖為何種元件之圖示符號? 1. S C R 2. G T O 3. D I A C 4. T R I A C 。

答案：(2) G T O

第40題

愷爾文電橋( K e l v i n B r i d g e ) 常被用來量測 1. 電感性元件量 2. 電容性元件 3. 低電阻值元件 4. 高電阻值元件。

答案：(3) 低電阻值元件

解析：愷爾文電橋（Kelvin Bridge，雙電橋）專為量測低電阻（約 1 Ω 以下，如匯流排、導線電阻）設計，利用雙比例臂消除引線與接觸電阻誤差。惠斯頓電橋適用中電阻，高電阻用兆歐表或高阻電橋，電感、電容另有專用電橋量測。故答案為低電阻值元件。

第41題

測試電源供應器漣波與雜訊之應注意事項中,下列何者不正確? 1. 示波器足夠的頻寬 2. 探針地線要短 3. 測試點在輸出端 4. 必須使用儲存式示波器。

答案：(4) 必須使用儲存式示波器

解析：量測漣波與雜訊時，示波器頻寬要足夠以涵蓋高頻成分，探棒地線要短以縮小接地迴路、避免拾取雜訊，測試點應在電源輸出端靠近負載處。儲存式示波器方便捕捉暫態，但並非「必須」，類比示波器在重複波形下也可觀察，因此最不正確的敘述是必須使用儲存式示波器。

第42題

不斷電電源裝置( U P S ) 需要低失真、低諧波之性能,故應儘量操作在那一種脈寬調變方式下? 1. 線性調變 2. 過調變 3. 臨界調變 4. 指數調變。

答案：(1) 線性調變

解析：UPS 的脈寬調變若操作在線性調變區，調變指數不大於 1，輸出電壓與調變信號呈線性關係，低次諧波較少，波形失真較低。若進入過調變區，雖然基波電壓可提高，但會產生較明顯的低次諧波與波形失真，不利於 UPS 的低諧波要求。因此應儘量操作在線性調變方式。

第43題

R L C 串聯電路,當外加電源頻率等於諧振頻率時,下列敘述何者正確? 1. 電路為純電阻性 2. 電路為純電感性 3. 電路為純電容性 4. 電流值為最小。

答案：(1) 電路為純電阻性

解析：RLC 串聯電路諧振時，感抗與容抗大小相等、方向相反，XL=XC，兩者電壓互相抵消，總阻抗只剩電阻 Z=R，電路呈純電阻性，電壓與電流同相，功率因數為 1。此時阻抗最小，電流 I=V/R 達到最大，並非最小。在諧振以外的頻率，電路才會呈感性或容性，故答案為純電阻性。

第44題

下列功率元件,何者須加連續驅動信號才能持續導通? 1. G T O 2. T R I A C 3. I G B T 4. S C R 。

答案：(3) I G B T

解析：IGBT 是電壓控制的絕緣閘雙極電晶體，必須在閘極持續施加足夠的驅動電壓，才能維持導通；一旦移除驅動信號，元件就會關斷。SCR、TRIAC 與 GTO 都屬於閘流體，具有閂鎖特性，只要脈衝觸發後就能自行保持導通，不需要連續驅動信號，因此答案為 IGBT。

第45題

直流R L 串聯電路中,設V i = 15 V,R = 3 Ω,L = 20 μ H;當電流穩定時,該線圈儲存之能量為 多少? 1. 0 . 25 × 10 焦耳 2. 0 . 5 × 10 焦耳 3. 1 . 0 × 10 焦耳 4. 2 . 0 × 10 焦耳。

答案：(1) 0 . 25 × 10 焦耳

解析：穩態時電感相當短路，電流 I = Vi/R = 15/3 = 5 A。電感儲能公式 W = 1/2 L I² = 1/2 × 20×10⁻⁶ × 5² = 0.5 × 20×10⁻⁶ × 25 = 250×10⁻⁶ = 2.5×10⁻⁴ J = 0.25×10⁻³ J。題目選項以 0.25×10 表示此量級，其餘選項數值均偏大不符。故選 1。

第46題

下圖( a ) 之等效電路如圖( b ) 所示,則R 、V 為多少? 1. V = 4 V,R = 2 . 4 K Ω 2. V = 4 V,R = 4 K Ω 3. V = 10 V ,R = 4 K Ω 4. V = 10 V ,R = 6 K Ω 。

答案：(1) V = 4 V,R = 2 . 4 K Ω

第47題

下圖所示電路中,若v = V s i n ω t ,則 的波形為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 1

第48題

關於金屬皮膜電阻之敘述,下列何者錯誤? 1. 精密度較差 2. 體積較小 3. 雜音較小 4. 穩定性較高。

答案：(1) 精密度較差

解析：金屬皮膜電阻以金屬薄膜製成，具有精密度高（誤差小）、雜音低、穩定性高、體積小等優點，廣用於精密電路。選項「精密度較差」與事實相反，故為錯誤敘述。其餘「體積較小、雜音較小、穩定性較高」均屬金屬皮膜電阻的正確特性。故答案為精密度較差。

第49題

下圖電路中,穩壓電路之電晶體β = 50 ,V 為多少? 1. 11 . 4 V 2. 11 V 3. 12 . 6 V 4. 15 V 。

答案：(3) 12 . 6 V

第50題

當交流電動機電壓、電流相差60 度時,其位移因數( D i s p l a c e m e n t F a c t o r ) 約為多少? 1. 1 2. 0 . 5 3. 0 . 85 4. 2 。

答案：(2) 0 . 5

解析：位移因數（Displacement Factor）定義為電壓與電流基波相位差之餘弦值，DF = cos θ。題目相位差 θ = 60°，故 DF = cos 60° = 0.5。其值介於 0 與 1 之間，不可能為 2；1 為同相（θ=0°）時之情況。故答案為 0.5。