民國96年 第1梯次 11600 電力電子甲級 學科考古題與答案

第1題

在C N S 製圖規範中,隱藏線應以下列何者表示? 1. 細線 2. 中線 3. 粗線 4. 虛線。

答案：(4) 虛線

解析：依據 CNS 製圖規範，隱藏線（hidden line）用以表示視圖中看不見的輪廓或邊緣，其畫法為虛線（dashed line），由短畫與間隔規律排列組成。細線、中線、粗線係指線條粗細（線寬等級），並非表示特定線型；隱藏線的關鍵在線型而非線寬。因此隱藏線應以虛線表示。

第2題

布林函數F = A +A C + A B C + A B + C 若化為最簡式,且以和之積( P O S ) 表示時應為 何? 1. F = ( A + B + C ) ( A + + ) ( A + + C ) 2. F = ( B + ) 3. F = A + C 4. F = ( A + B + C ) ( A + )。

答案：(4) F = ( A + B + C ) ( A + )

第3題

下列何種功率開關元件的可接受操作頻率最高? 1. 閘流體( T h y r i s t o r ) 2. 絕緣閘雙載子電晶體 ( I G B T ) 3. 雙載子接面電晶體( B J T ) 4. 金氧半場效電晶體( M O S F E T ) 。

答案：(4) 金氧半場效電晶體( M O S F E T )

解析：MOSFET 屬單極性元件，導通與截止只靠多數載子形成通道，沒有少數載子儲存與擴散的問題，關斷時不產生拖尾電流，切換速度最快，可操作於數百 kHz 至數 MHz 以上。IGBT 雖輸入阻抗高，但導通時仍有少數載子注入漂移區，關斷有電流拖尾，操作頻率通常低於 MOSFET。BJT 有基極儲存時間，速度受限；閘流體為半控元件，須靠換流或電流零點才能截止，操作頻率最低。

第4題

下列何者不是模組化程式設計的優點? 1. 花費較少的C P U 時間 2. 易於設計與除錯 3. 易於維護與修改 4. 易於管理。

答案：(1) 花費較少的C P U 時間

解析：模組化設計是把程式切成獨立副程式或模組，優點是易於設計與除錯、易於維護修改、易於分工管理，除錯時可只針對單一模組測試。但模組之間必須呼叫、傳遞參數與返回結果，會增加堆疊操作與記憶體存取，因此 CPU 執行時間通常比全部寫在一起的程式更多，並非「花費較少 CPU 時間」。此項其實是模組化常見的代價，而非優點。

第5題

下圖所示電路中,i 電流為連續,若正負半波對稱觸發且(T 、T ) 及( T 、T ) 成對導通,則i 波 形為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 2

第6題

下列何者只能寫入一次資料便無法再更改內容? 1. P R O M 2. E E P R O M 3. E P R O M 4. C D - MO 。

答案：(1) P R O M

解析：PROM（可程式唯讀記憶體）出廠時為空白，使用者以燒錄器將資料寫入，內部的熔絲或反熔絲結構在燒錄後即固定，只能寫入一次，之後無法修改。EPROM 可用紫外線照射抹除後重新燒錄；EEPROM 能以電氣方式抹除並重複寫入；CD-MO 屬磁光碟，可重複寫錄。因此只能寫入一次的是 PROM。

第7題

下圖所示之電路,D1 之作用為何? 1. 防止逆流衝擊S C R 閘極 2. 在SCR 導通時提供電容放電 3. 吸收電源之湧浪電壓 4. 抑制閘流體之雜訊。

答案：(2) 在SCR 導通時提供電容放電

第8題

避雷系統之施工標準中,接地阻抗與避雷迴路之突波阻抗間關係應為 1. 接地阻抗大於避雷迴路突波阻抗 2. 接地阻抗小於避雷迴路突波阻抗 3. 接地阻抗等於避雷迴路突波阻抗 4. 兩者無關。

答案：(2) 接地阻抗小於避雷迴路突波阻抗

解析：避雷系統的目的，是把雷擊突波電流以低阻抗路徑迅速導入大地。接地阻抗必須小於避雷迴路的突波阻抗，電流才會依阻抗反比分配，大部分能量經接地極散逸，而不竄入設備或建築配線；若接地阻抗偏高，雷電流被迫沿設備迴路流動，易造成絕緣破壞與設備損毀。因此施工標準要求接地電阻低、接地線短而直，兩者密切相關，並非無關，也不要求相等或接地阻抗較大。

第9題

某1 K W 之電感性負載其功率因數為0.8,欲改善至功率因數1.0 須加入多少VA 之電容器? 1. 250 2. 500 3. 750 4. 1000 。

答案：(3) 750

解析：視在功率 S＝P／cosθ＝1000／0.8＝1250 VA，虛功率 Q＝S×sinθ＝1250×0.6＝750 VAR。功率因數改善至 1.0 時，負載所需虛功率全部由電容器提供，故電容容量須為 750 VAR（VA）。只加 500 VA 僅補償部分無效功率，功率因數仍小於 1；加 1000 VA 則過度補償成電容性。以功率三角形求解最直接。

第10題

16 位元A / D 轉換器的解析度為多少? 1. 1 / 65536 2. 1 / 65535 3. 1 / 256 4. 1 / 255 。

答案：(2) 1 / 65535

解析：n 位元 A/D 轉換器會把參考電壓切成 2^n 個量化階，16 位元即 2^16＝65536 階，最大輸出碼為 65535。解析度表示每一階佔滿刻度的比例，一般以 1/(2^16－1)＝1/65535 表示，約為 0.0015%。1/256 與 1/255 則是 8 位元（2^8＝256 階）轉換器的解析度，位元數不同，數值相差甚遠。

第11題

利用電晶體作定電流源時,下列何者應保持一定值? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 3

第12題

J K 正反器之輸入端若令K = J,則功能相當於那一型正反器? 1. R S 型 2. T 型 3. D 型 4. R S 栓鎖器。

答案：(3) D 型

第13題

下圖所示何者為N 型M O S F E T 之圖示符號? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 2

第14題

取樣速率為100 M S a / s 之儲存示波器,欲準確量測脈波超前或滯後邊緣,其最低上升時間不 能超越取樣時間為: 1. 10 n s 2. 100 n s 3. 1 m s 4. 10 m s 。

答案：(1) 10 n s

解析：取樣時間即取樣週期 T＝1／fs，代入 fs＝100 MSa/s＝1×10⁸ 次／秒，得 T＝1／(1×10⁸)＝1×10⁻⁸ 秒＝10 ns。要準確分辨脈波邊緣的超前或滯後，取樣間隔必須小於待測上升時間，因此可測的最短上升時間不能小於約 10 ns。100 ns 已是取樣週期的 10 倍，1 ms 與 10 ms 更遠大於取樣週期，時間解析度不足。

第15題

粗製作業場所須至少有70 L U X 之照度,而普通作業則至少須有150 L U X,但精密作業則至少 須多少L U X ? 1. 200 2. 300 3. 600 4. 900 。

答案：(2) 300

第16題

下圖所示之電路,當開關S1 切斷( O F F )時,RL1 將如何? 1. 立刻去磁 2. 延遲去磁 3. 立刻激磁 4. 延遲激磁。

答案：(2) 延遲去磁

第17題

下圖所示為一同位元產生器,若 = 0,則輸出P 是屬於 1. 奇同位 2. 偶同位 3. 零同位 4. 複同位。

答案：(1) 奇同位

第18題

測量放大器失真情形最準確之儀表為 1. 示波器 2. 頻率計 3. 頻譜分析儀 4. 邏輯分析儀。

答案：(3) 頻譜分析儀

解析：放大器失真會在輸出產生諧波與互調成分，頻譜分析儀可把信號轉到頻域，直接量測各次諧波的振幅，並據以計算總諧波失真（THD）與互調失真，動態範圍與靈敏度最佳，故判定最準確。示波器觀察的是時域波形，只能概略看出波形變形；頻率計僅量測頻率；邏輯分析儀用於數位邏輯信號的時序分析。故選 3。

第19題

下圖所示之電路,當開關S1 切斷( O F F )時,RL1 將如何? 1. 立刻去磁 2. 延遲去磁 3. 無反應 4. 間歇去磁。

答案：(2) 延遲去磁

第20題

不當姿勢及長時重複性之動作,易造成人體何種傷害? 1. 化學性 2. 物理性 3. 人體工學性 4. 生物性。

答案：(3) 人體工學性

解析：不當姿勢、長時間重複性動作及過度施力，主要造成肌肉、肌腱、神經與骨骼的累積性傷害，屬於人體工學性危害，例如腕隧道症候群與下背痛。化學性危害來自化學物質，物理性危害來自噪音、振動、溫度等，生物性危害則來自細菌或病毒，皆與姿勢及重複動作無直接關係。

第21題

儀表響應於待測信號之最低變化量,稱為該儀表之 1. 精密度 2. 準確度 3. 靈敏度 4. 解析度。

答案：(4) 解析度

解析：儀表能響應待測信號最低變化量稱為解析度(亦稱分解度)，即最小可辨識的輸入變化量。靈敏度是輸出變化量與輸入變化量之比(增益)；準確度為測量值與真值接近程度；精密度為重複測量的一致性。題目強調「最低變化量」，故為解析度。

第22題

電路中若U J T 的兩基極端( B 與B ) 接錯腳,則下列何者正確? 1. 無法動作 2. UJT 將會燒毀 3. 本質內分比值( η ) 將下降 4. 本質內分比值( η ) 將上升。

答案：(1) 無法動作

第23題

有一信號e =2 S i n ( 3 t+10 °) +S i n 6 t,經某一放大器放大後其輸出電壓為e =6 S i n ( 3 t+10 °) + 3 S i n ( 6 t + 5 °) ,則此放大器有那一類失真? 1. 相位失真 2. 諧波失真 3. 頻率失真 4. 非線性失真。

答案：(1) 相位失真

解析：輸入訊號包含 3 rad/s 基頻與 6 rad/s 諧波；輸出中兩者振幅都放大為 3 倍（2→6、1→3），振幅比例未變，因此不是頻率失真或諧波振幅失真。但三次諧波相位由 0° 變成 5°，與基頻的相對相位改變，合成波形形狀會改變，這種因相位響應不一致造成的失真稱為相位失真。非線性失真通常會產生輸入所沒有的新頻率成分，本題輸出沒有新頻率。

第24題

下圖所示電路中開關接通後,V c ( ∞) 為 1. 10 2. 20 3. 40 4. 80 V 。

答案：(3) 40

第25題

有關步進馬達之敘述,下列何者為錯誤? 1. 能以數位脈波信號來控制速度及角度定位的馬達 2. 可作微步控制 3. 有線圈激磁式及永磁式等多種 4. 高速時使用定電壓驅動較佳。

答案：(4) 高速時使用定電壓驅動較佳

解析：步進馬達可由脈波數控制角度、脈波頻率控制速度(選項1正確)，並可微步驅動提升解析度(選項2正確)，結構含反應式、永磁式等(選項3正確)。但高速運轉時繞組電感使電流上升慢，定電壓驅動電流不足、轉矩驟降，宜採定電流(斬波)驅動，故「高速用定電壓較佳」為錯誤。

第26題

某功率電晶體附有散熱片,其θ =3 . 4 °C/ W ,電晶體接合面最高溫度T ( m a x ) =100 °C;θ =0 . 5 °C/ W ;θ =0 . 6 °C/ W ,若周圍溫度為25 °C,則該晶體所能承受的最大功率散逸為多 少? 1. 14 . 4 W 2. 16 . 6 W 3. 28 . 8 W 4. 34 . 6 W 。

答案：(2) 16 . 6 W

解析：熱阻由接合面到周圍環境為串聯關係，總熱阻 θtotal=θjc+θcs+θsa=0.5+0.6+3.4=4.5°C/W。最大功率散逸 Pmax=(Tj,max−Ta)/θtotal=(100−25)/4.5=75/4.5≈16.67 W，取近似值為 16.6 W。

第27題

要改善直流電動機之換向情形可裝中間磁極(換向磁極),而中間磁極之極性是依旋轉方向 而定,應以下列何者為正確?(大寫為主磁極,小寫為中間磁極) 1. NsSn 2. NnSs 3. N S n s 4. N S s n 。

答案：(2) NnSs

解析：直流電動機的換向磁極（中間磁極）極性，應與旋轉方向上「後方」的主磁極相同，才能產生抵銷電樞反應的磁通並改善換向。依 N→n→S→s 的順序，n 的後方主磁極為 N，故 n 為 N；s 的後方主磁極為 S，故 s 為 S，因此正確排列為 NnSs。

第28題

資料搜尋( S e a r c h ) 的方法有很多種,其中會發生資料碰撞的方法為 1. 循序搜序法 2. 二元搜尋法 3. B - t r e e 搜尋法 4. 雜散法( H a s h ) 。

答案：(4) 雜散法( H a s h )

解析：雜湊法（Hash）利用雜湊函數將鍵值對應到儲存位址，不同的鍵值可能經函數運算後指向同一個位址，此現象稱為碰撞（collision），是雜湊法特有的問題。循序搜尋法依序比對、二元搜尋法在已排序資料中折半比對、B-tree 搜尋法依樹狀索引路徑查找，三者均按資料順序或結構逐一比對，不會發生位址碰撞。因此會發生碰撞者為雜湊法。

第29題

感應電動機的極數為2 時,其電機角與機械角之關係為何? 1. 電機角大於機械角 2. 電機角小於機械角 3. 電機角等於機械角 4. 無直接關係。

答案：(3) 電機角等於機械角

解析：感應電動機電機角（電氣角）θ_e 與機械角 θ_m 之關係為 θ_e = (P/2) × θ_m，其中 P 為極數。當極數 P = 2 時，θ_e = (2/2) × θ_m = θ_m，故電機角等於機械角。此時轉子轉一圈（360°機械角），定子繞組感應電勢恰完成一個完整週期（電氣角亦變化 360°）。故選3。若極數為4，電機角才為機械角之2倍；極數2時兩者相等，並非電機角大於或小於機械角。

第30題

下圖所示之電路,U 1 為2 對4 解碼器,若V i 加入40 K H z 方波信號時,則V 輸出信號之頻 率為多少? 1. 20 K H z 2. 10 K H z 3. 5 K H z 4. 2 . 5 K H z 。

答案：(2) 10 K H z

第31題

如下圖所示之理想基本降壓型轉換器( B u c k C o n v e r t e r ) ,若輸入電壓Vin 為300V,所需的 輸出電壓Vo 為100 V,則其責任週期( D u t y R a t i o ) 應為多少? 1. 0 . 333 2. 3.0 3. 0 . 5 4. 0 . 667。

答案：(1) 0 . 333

第32題

功率場效電晶體( M O S F E T ) 之閘極輸入可視為一極微量之 1. 電感 2. 電容 3. 電阻 4. 電流源。

答案：(2) 電容

解析：MOSFET 的閘極與通道之間隔著一層二氧化矽絕緣層，形成閘極電容，因此其輸入阻抗極高，直流閘極電流幾乎為零。驅動 MOSFET 時，主要是對這個極小的閘極電容進行充放電，故閘極輸入可視為一極微量的電容。它並非電感性的負載，也不是以固定電阻或電流源的方式驅動，故其餘選項不成立。

第33題

下列放大器各種增益之表示法何者為錯誤? 1. 電壓增益G v = 20 log ( V o u t / V i n ) 2. 電流增益 G i = 20 l o g ( I o u t / I i n ) 3. 功率增益G p = 20 log ( V o u t×I o u t ) ( V i n ×I i n ) 4. 以上皆非。

答案：(3) 功率增益G p = 20 log ( V o u t×I o u t ) ( V i n ×I i n )

解析：電壓增益與電流增益的分貝表示法為 20 log(輸出/輸入)，選項 1、2 正確。功率增益的分貝定義是 10 log(Pout/Pin)，因為功率與電壓或電流的平方成正比，才會有 20 log 的電壓/電流公式；選項 3 誤用 20 log 於功率比，因此錯誤。既然選項 3 有誤，選項 4「以上皆非」也不成立。

第34題

下圖所示之電路,其中齊納二極體Z D 1 之作用為何? 1. 檢知電容C1 之電位 2. 做閘極限壓之保護 3. 做觸發電路之穩壓保護 4. 吸收湧浪電壓。

答案：(1) 檢知電容C1 之電位

第35題

下列太陽能電池中,何者之轉換效率為最高? 1. 單晶矽 2. 多晶矽 3. 砷化鎵 4. 硫化鎘。

答案：(3) 砷化鎵

解析：砷化鎵（GaAs）屬於 III-V 族化合物半導體，其能隙約 1.42 eV，接近太陽光譜的最佳匹配值，且光吸收係數大、可直接製成薄膜，因此單接面與多接面（串疊）電池的實驗室效率可達 30% 以上，是所列材料中轉換效率最高的。單晶矽商業模組效率約 20～25%，多晶矽略低，約 17～20%；硫化鎘（CdS）多作為異質接面電池的窗口層或薄膜電池材料，其效率明顯低於前述三者。

第36題

下圖所示之電路,L = 2 m H 、L = 5 m H 、M = 3 m H ,則總電感應為多少亨利? 1. 1mH 2. 4mH 3. 10 m H 4. 13 m H 。

答案：(1) 1mH

第37題

發生電氣火災時應先切斷電源,並用何種滅火劑來滅火? 1. 泡沫滅火劑 2. 乾粉( D r y P o w d e r ) 滅火劑 3. 水滅火劑 4. 化學乾粉( D r y c h e m i c a l ) 滅火劑或二氧化碳滅火劑。

答案：(4) 化學乾粉( D r y c h e m i c a l ) 滅火劑或二氧化碳滅火劑

解析：電氣火災的第一步是切斷電源，避免觸電及火勢擴大；滅火時應使用不導電的滅火劑，例如二氧化碳或化學乾粉滅火器。泡沫滅火劑與水會導電，可能造成觸電或損壞設備，不適合用於帶電的電氣火災，因此選項 4 正確。

第38題

微電腦之B I O S 程式一般皆存放於何處? 1. R A M 2. 堆疊 3. R O M 4. 硬碟。

答案：(3) R O M

解析：BIOS(基本輸入輸出系統)需在斷電後仍保留，故存放於非揮發性的ROM(唯讀記憶體)或現代主機板的快閃ROM中。RAM為揮發性斷電即消失；硬碟屬外部儲存非開機立即執行程式所在；堆疊是RAM內的資料結構。故答案為ROM。

第39題

導通壓降高且電壓控制導通的功率元件為 1. S C R 2. P O W E R M O S F E T 3. P O W E R T R A N S I S T O R 4. G T O 。

答案：(2) P O W E R M O S F E T

解析：功率 MOSFET 屬於電壓控制元件，靠閘極電壓建立通道使元件導通，閘極輸入阻抗高；在高耐壓、大電流應用中，其導通電阻造成的導通壓降與導通損失可能較大。SCR、GTO 及功率電晶體（BJT）主要為電流控制，故選項 2 最符合「電壓控制導通」的描述。

第40題

功率電晶體元件之溫度係數具有下列何種特性? 1. 正溫度係數 2. 負溫度係數 3. 零溫度係數 4. 不隨溫度改變。

答案：(2) 負溫度係數

解析：功率電晶體（BJT）的基射極電壓 VBE 具有負溫度係數，溫度升高時 VBE 下降，在固定驅動下集極電流會增大，可能形成熱跑脫，因此功率電晶體通常具有負溫度係數。使用時需注意熱設計與均流；選項 2 正確。

第41題

下圖電路中,E = 5 V,L = 200 μH,電感初值電流為2 . 5 A,若開關S"ON",則100 μS 後電感 電流為多少安培? 1. 10 A 2. 8 A 3. 6 A 4. 5 A 。

答案：(4) 5 A

第42題

若電流i = 10 s i n t- 10 s i n ( 3 ω t - 60 °) 安培,則其電流之有效值為多少安培? 1. 5 A 2. 10 A 3. 20 A 4. 20 A 。

答案：(1) 5 A

第43題

變壓器耦合型A 類放大器,使用一個30:1 的變壓器推動4 Ω負載,則變壓器輸入端的等效交 流電阻為多少歐姆? 1. 1 K Ω 2. 2 K Ω 3. 3 . 6 K Ω 4. 5 . 6 K Ω 。

答案：(3) 3 . 6 K Ω

解析：變壓器阻抗反射公式為 Zp=(N1/N2)²×ZL。圈數比 30:1，即 N1/N2=30，代入 Zp=30²×4=900×4=3600 Ω=3.6 kΩ。故輸入端等效交流電阻為 3.6 kΩ。1 kΩ、2 kΩ、5.6 kΩ 均不符合平方正比關係；若誤用一次方正比只會得到 120 Ω，也不在選項中。

第44題

交流電壓控制器( A C V o l t a g e C o n t r o l l e r )較不適合用來作下列那一種控制? 1. 電阻爐溫度控制 2. 燈光控制 3. 調節電力變壓器之一次側電壓 4. 感應馬達調速控制。

答案：(4) 感應馬達調速控制

解析：交流電壓控制器藉由閘流體的相位控制（或整週波控制）改變輸出電壓有效值，屬定頻調壓，適用於電阻爐溫度、燈光亮度及變壓器一次側電壓調節等負載。感應馬達的同步轉速為 n＝120f／P，轉速主要由頻率與極數決定；只降電壓會使轉差率增大、轉矩與效率明顯下降且溫升嚴重，故感應馬達調速須採變頻器改變頻率。

第45題

一負載消耗功率為3 K W,接於100 V,60 H z 之電源,功率因數0 . 8 落後,今欲以進相電容器 提高其功率因數至1 . 0 ,則所需之電容量約為多少? 1. 20 μ F 2. 100 μF 3. 600 μF 4. 1000 μ F 。

答案：(3) 600 μF

解析：先求需要補償的無效功率：cosθ1=0.8（落後）時，tanθ1=0.75；提高到cosθ2=1.0，tanθ2=0。Qc=P×(tanθ1−tanθ2)=3000×0.75=2250 var。電容抗Xc=V²/Qc=100²/2250≈4.44 Ω。C=1/(2πfXc)=1/(2×3.14×60×4.44)≈5.97×10⁻⁴ F≈600 μF。並聯進相電容只能提供超前無效功率，用來抵消電感性負載的落後無效功率，因此不會改變負載本身消耗的有效功率3 kW。20 μF所提供的無效功率遠小於2250 var，補償不足；1000 μF則會過度補償，使功率因數變成超前。

第46題

下圖所示電路中,R 消耗之最大功率為多少瓦特? 1. 18 W 2. 24 W 3. 36 W 4. 48 W 。

答案：(3) 36 W

第47題

下圖所示電路為 1. 昇壓截波器 2. 降壓截波器 3. 昇壓- 降壓截波器 4. 變頻器。

答案：(3) 昇壓- 降壓截波器

第48題

下圖SCR 所需 最大值為1 . 5 V,I = 200 m A,若最大閘極平均功率為1 W,設計適當的R 使 觸發達2 倍驅動,則R 合理值為多少歐姆? 1. 10 Ω 2. 20 Ω 3. 100 Ω 4. 200 Ω 。

答案：(2) 20 Ω

第49題

先執行迴圈內的處裡作業而後測試條件,若不成立,就重複執行迴圈內的處裡作業,直到條 件成立為止才跳出迴圈,這種架構為 1. C A S E 架構 2. P E R F O R M- - UNTIL 架構 3. DO -- W H I L E 架構 4. D O - - U N T I L ( R E P E A T - - U N T I L ) 架構。

答案：(4) D O - - U N T I L ( R E P E A T - - U N T I L ) 架構

解析：題目描述的流程是「先做後測」：先執行迴圈主體，再判斷條件，條件不成立就再執行一次，成立才離開，這正是DO-UNTIL（又稱REPEAT-UNTIL）架構的特色，因此迴圈主體至少會被執行一次。DO-WHILE則是「先測後做」，條件不成立時可能一次都不執行；CASE屬於多重選擇（分岔）結構，依條件值選一個分支執行，本身不是重複迴圈；PERFORM-UNTIL在COBOL中預設為先測試後執行，也與題意相反。

第50題

下列金屬之電阻溫度係數為固定值,其溫度範圍最廣者為何者? 1. 銅 2. 鎳 3. 白金 4. 銀。

答案：(3) 白金

解析：白金（鉑）的電阻溫度係數在很寬的溫度範圍內近似定值，電阻與溫度呈良好的線性關係，且化學性質穩定、不易氧化，因此常做成RTD測溫電阻（如Pt100），適用範圍可涵蓋約−200℃至850℃。銅雖線性不錯，但高溫易氧化，實用溫度範圍較窄；鎳的溫度係數較大且曲線在較高溫偏離線性；銀的電阻率低，但高溫易氧化、易硫化，不適合做寬溫域感測元件。故以白金之固定係數溫度範圍最廣。