民國115年 普通考試 電子工程 電子儀表概要考古題

民國115年 普通考試 電子工程 電子儀表概要收錄考選部官方試題,共 5 題可線上瀏覽,考選部未公告本科目答案。

官方資料

題目與答案

第1題

利用電壓表測量10 次電壓值分別為100.3 V,100.5 V,100.1 V,100.0 V, 100.6 V,100.5 V,100.4 V,100.1 V,100.3 V,100.2 V,請詳述算數平 均數、平均偏差、標準偏差、可能誤差。(20 分)

參考解答(AI 生成,非官方)

  • 一、本題為有限次重複量測之數據處理。算術平均數(arithmetic mean)是觀測值總和除以次數,作為被測量最佳估計;平均偏差(average deviation)是各觀測值與平均數絕對偏差的平均;標準偏差(standard deviation)由偏差平方和開根號求得;可能誤差(probable error)則由標準偏差換算,表示常態分布下的誤差範圍。
  • 二、平均數計算:Σx_i=1003.0 V,n=10,故X̄=1003.0/10=100.30 V。各觀測值對平均數之偏差依序為0.0、+0.2、−0.2、−0.3、+0.3、+0.2、+0.1、−0.2、0.0、−0.1 V;絕對偏差之和為1.6 V,偏差平方和為0.36 V²。
  • 三、因代數偏差和為零,平均偏差通常取絕對值計算:1.6/10=0.16 V。若採樣本平均偏差,分母改為n−1,得1.6/9≈0.178 V。一般電子儀表教材常以n計算,答題時宜寫明定義,以免與樣本統計量混淆。
  • 四、標準偏差:母體標準偏差σ=√(Σd_i²/n)=√(0.36/10)=√0.036≈0.1897 V;若視10次量測為樣本,則s=√(0.36/9)=√0.04=0.200 V。兩者差異來自自由度,報告時應註明採n或n−1,並保留適當有效位數。
  • 五、可能誤差常用P.E.=0.6745σ。以σ=0.1897 V計,單次量測P.E.≈0.128 V;平均數的可能誤差為0.6745σ/√n≈0.040 V。若採s=0.200 V,則分別約0.135 V與0.043 V。綜合得X̄=100.30 V、平均偏差0.16 V、標準偏差約0.19 V(樣本0.20 V)、單次可能誤差約0.13 V。

第2題

利用兩瓦特計法測三相交流功率,已知兩讀值分別為25 kW 與16 kW, 請詳述此電路之有效功率P3 、無效功率Q3 及功率因數PF 值。(20 分)

參考解答(AI 生成,非官方)

  • 一、兩瓦特計法(two-wattmeter method)常用於三相三線系統。兩瓦特計讀值之代數和等於三相總有效功率,與負載採Y接或Δ接無關;若三相平衡,兩讀值之差可換算無效功率。題目未明示是否平衡與接線方式,以下依平衡負載、接線正確且兩讀值為正之情況計算。
  • 二、有效功率(active power)P3=W1+W2=25+16=41 kW。此乃兩瓦特計瞬時功率相加後取平均之結果,兩表分別量測不同線電壓與線電流之乘積,其和剛好等於三相負載總功率,故不需再乘√3或3。
  • 三、無效功率(reactive power)Q3=√3|W1−W2|=√3×9=15.588 kvar,取15.59 kvar。此式只在平衡負載成立;Q之正負代表感性或容性,通常取兩讀值之差求大小,方向須依相序與瓦特計極性判定。
  • 四、視在功率S3=√(P3²+Q3²)=√(41²+15.588²)=√1924≈43.86 kVA。功率因數PF=P3/S3=41/43.86≈0.935;亦可由φ=tan⁻¹(Q3/P3)=tan⁻¹(0.3802)≈20.8°,得PF=cos20.8°≈0.935,通常判為落後(lagging)。
  • 五、驗算:W1=P3/2+Q3/(2√3)=20.5+4.5=25 kW,W2=P3/2−Q3/(2√3)=20.5−4.5=16 kW,與題給相符。若其中一表讀值為負,Q及PF之判定需重新處理;若負載不平衡,則不能直接用√3(W1−W2)求Q,須以三相瞬時功率或對稱分量分析。

官方試題 PDF

請詳述示波器觸發電路基本原理。(20 分)

參考解答(AI 生成,非官方)

  • 一、示波器觸發電路(trigger circuit)之目的,是讓重複性信號在螢幕上穩定顯示。它把觸發源信號與設定之觸發準位(trigger level)比較,當信號以選定斜率穿越準位時產生觸發脈波,啟動水平時基(time base)掃描或數位取樣記憶,使每次掃描都從波形同一相位開始。
  • 二、主要組成包括:觸發源選擇(CH1、CH2、外部或電源)、耦合選擇(AC、DC、低頻抑制、高頻抑制)、衰減器、準位比較器、斜率選擇、施密特觸發器(Schmitt trigger)、觸發脈波產生器、時基控制與抑制時間(holdoff)。比較器負責判斷穿越,施密特電路則把雜訊造成的多次翻轉整形為單一乾淨脈波。
  • 三、基本原理:比較器一端接觸發準位V_T,另一端接觸發信號。當信號由低於V_T上升至高於V_T(正斜率),或由高於V_T下降至低於V_T(負斜率),比較器輸出翻轉;經施密特整形後產生觸發脈波,使掃描閘(sweep gate)置位並開始掃描。掃描結束後復歸,holdoff期間封鎖再觸發,避免回掃期間誤觸發。
  • 四、操作模式:Auto模式無觸發時仍自由掃描,有信號時自動同步;Normal模式僅在收到觸發時掃描,適合低重複率信號;Single模式捕捉一次事件後停止,適合暫態或單次脈波。數位示波器另以觸發事件標記記憶體位置,可實現預觸發(pre-trigger)、後觸發與序列觸發。
  • 五、實務限制:觸發準位不當、斜率選反、觸發源選錯、信號太小或雜訊太大,都會造成波形不穩、抖動或無顯示。高頻時須注意頻寬與觸發抖動,低頻時可選低頻抑制或Auto模式;調整trigger level、holdoff、耦合與觸發抑制,可獲得穩定且可重現的波形。

第4題

一台直流電源供應器具有三組電壓源,分別標示模組A(Master)、模組 B(Slave)以及一組5 V / 3 A 和GND 端子,請詳述其四種操作模式。 (20 分)

參考解答(AI 生成,非官方)

  • 一、此類直流電源供應器通常為雙通道可調電源,模組A為Master(主控),模組B為Slave(從屬),另附5 V/3 A固定輔助輸出與GND共同參考端。四種常見操作模式為獨立(Independent)、串聯(Series)、並聯(Parallel)與追蹤(Tracking),由面板開關或內部繼電器切換。
  • 二、獨立模式:A、B兩模組各自輸出,電壓與限流值可分別設定,彼此隔離,如同兩台獨立電源;5 V/3 A固定輸出不受影響。適用於需要兩組不同電壓或正負電源之電路,使用時須注意共地與浮接問題,避免輸出端短路。
  • 三、串聯模式:將A、B輸出串接,總電壓為V_A+V_B,總電流受兩模組中較小之限流值限制;通常由Master同步控制Slave,使兩組電壓一起調整。適用於高電壓、低電流負載。接線時須確認極性與接地,避免將串聯端點接地造成短路。
  • 四、並聯模式:A、B輸出並聯,電壓相同,總電流為I_A+I_B;通常Master設定電壓,Slave分擔電流並均流,以擴充電流容量。適用於大電流負載。若兩模組電壓或內阻不一致,均流不良會使一機先過載,故須確認均流功能與接線電阻。
  • 五、追蹤模式:Slave之輸出電壓追隨Master,常見1:1或比例追蹤,亦可作±對稱輸出;Master變動時Slave同步變動,保持正負電源對稱。5 V/3 A為固定邏輯電源,GND為共同參考。實務上須注意模式切換前先關機或歸零,並確認額定電壓、電流與隔離耐壓。

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請繪圖詳述邏輯分析儀之時序與狀態模式。(20 分)

參考解答(AI 生成,非官方)

  • 一、邏輯分析儀(logic analyzer)用於多通道數位信號分析,基本擷取模式分為時序模式(timing mode)與狀態模式(state mode)。前者觀察信號隨時間變化的波形,屬於非同步取樣;後者觀察被測系統時鐘邊緣上的資料狀態,屬於同步取樣。繪圖時可將兩種模式左右並列。
  • 二、時序模式圖:畫水平時間軸t與縱軸通道CH0~CH3,每通道繪出高低準位方塊波形;下方畫等間隔取樣時鐘CLK,於每個取樣點以虛線或箭頭對到波形,標示取樣率f_s與取樣週期T_s,並標出觸發點(trigger point)。此模式不需被測電路提供時鐘,取樣率應為信號最高頻率的5至10倍以上。
  • 三、狀態模式圖:畫被測系統的CLK、資料D0~D3與qualifier(限定信號);在CLK上升緣或下降緣畫箭頭,表示取樣時刻;右側或下方畫狀態列表,表頭包括Sample、CLK edge、D3 D2 D1 D0、Hex與Time,填入依時鐘順序取得的狀態。此模式須接外部或系統時鐘,只記錄有效邊緣的資料。
  • 四、比較:時序模式解析度高,可觀察脈寬、skew、glitch與時序關係,但取樣資料量大、記憶體消耗快;狀態模式只記錄時鐘邊緣的有效狀態,適合匯流排、指令流與韌體除錯,但可能漏掉兩時鐘邊緣間之短脈衝。選擇模式應依是否需要看時間波形或資料狀態序列而定。
  • 五、繪圖與設定提醒:圖上應標明CH0~CH3、GND、CLK、trigger、取樣點、時間刻度與狀態表,並註明timing mode為asynchronous、state mode為synchronous。實測須設定臨界電壓、取樣率、記憶深度與觸發條件;若時鐘太快或懷疑glitch,應改用時序模式或混合訊號示波器(MSO)。