民國95年 第3梯次 11600 電力電子乙級 學科考古題與答案

第1題

當工作溫度升高時,6 V 以下之齊納二極體之崩潰電壓將 1. 昇高 2. 降低 3. 不變 4. 不一定。

答案：(2) 降低

解析：齊納二極體在約 6 V 以下以齊納（穿隧）崩潰為主，崩潰電壓具負溫度係數，因此工作溫度升高時崩潰電壓會降低，穩壓值也隨之下降；6 V 以上則改以累崩崩潰為主，呈正溫度係數，電壓隨溫度上升。設計低壓穩壓電路時須注意此溫度漂移，常以順向二極體串接做溫度補償，使整體溫度係數趨近於零。

第2題

要設計一個具有5 個狀態的順序邏輯控制電路,至少必須使用幾個正反器? 1. 2 2. 3 3. 4 4. 5 。

答案：(2) 3

解析：n 個正反器可組合出 2^n 種狀態。5 個狀態需滿足 2^n ≥ 5；2 個正反器僅有 2^2＝4 種狀態，不足 5 種；3 個正反器有 2^3＝8 種狀態，足以涵蓋 5 個狀態，多餘狀態可設計成復歸或不用。因此至少需 3 個正反器。

第3題

若i = I m S i n ( ω t + π / 4 ) ,則其第一個最大值發生在什麼時候? 1. t = π / ω 2. t =π/2 ω 3. t=π / 3 W 4. t = π / 4 ω 。

答案：(4) t = π / 4 ω

解析：正弦波 i = Im sin(ωt + π/4) 的最大值出現在括號內相角等於 π/2（再加 2πn）之時。令 ωt + π/4 = π/2，可得 ωt = π/2 − π/4 = π/4，故 t = π/(4ω)。相位 +π/4 表示波形超前，峰值比無相移時提前 π/4 的相角到達；若無相移，峰值才會落在 t = π/(2ω)，而 t = π/ω 則已是下一週期的同相位點。

第4題

工作圖採用第一角投影時,其俯視圖應在前視圖之 1. 下方 2. 上方 3. 左方 4. 右方。

答案：(1) 下方

解析：第一角投影法是把物體放在觀察者與投影面之間，投影面位於物體後方。俯視圖由物體上方往下看，影像投影在物體下方的投影面上，展開後俯視圖就配置在前視圖的下方；同理，左側視圖會放在前視圖的右方。第三角投影法恰好相反，俯視圖置於前視圖上方。因此工作圖採第一角投影時，俯視圖應在前視圖之下方。

第5題

若切換式電源供應器之切換頻率提高,其主要目的為 1. 減少切換損失 2. 降低成本及縮小體積 3. 避免E M I 問題 4. 提高輸出電壓值。

答案：(2) 降低成本及縮小體積

解析：切換頻率提高後，變壓器、電感與濾波電容所需的儲能量變小，磁性元件與電容體積可明顯縮小，因而降低成本並縮小體積，這是提高頻率的主要目的。但頻率越高，開關損失與磁性元件損失通常增加，dv/dt、di/dt 造成的 EMI 也更嚴重，所以不能說可減少切換損失或避免 EMI 問題；輸出電壓主要由匝比與占空比決定，與切換頻率無直接關係。

第6題

一個二階系統通常輸入何種函數信號作測試,以觀測其動態特性之響應? 1. 脈衝函數 2. 斜坡函數 3. 階梯函數 4. 正弦函數。

答案：(3) 階梯函數

解析：二階系統的動態特性常以階梯函數（步階輸入）測試，因其能同時觀察上升時間、最大過衝量、安定時間與穩態誤差等時域指標，暫態響應最完整。脈衝函數可得脈衝響應（即系統的脈衝轉換函數），斜坡函數用以觀察穩態誤差與速度誤差，正弦函數則屬頻域測試。實務上仍以階梯輸入最能直接呈現二階系統的阻尼與自然頻率特性。

第7題

在E M C 測試中,某裝置或系統在執行其功能之過程,耐受週圍電磁環境的能力為 1. E M S 2. E M I 3. E S D 4. E U T 。

答案：(1) E M S

解析：EMC（電磁相容）包含 EMI 與 EMS 兩部分。EMS 為電磁耐受性，指裝置或系統在周圍電磁環境存在干擾時，仍能維持正常執行功能的能力，也就是對電磁干擾的免疫程度，一般以靜電放電、輻射抗擾、快速暫態抗擾等免疫測試來驗證。EMI 是設備本身產生或傳導、輻射出去的干擾量；ESD 指靜電放電現象；EUT 則是受測設備本身，皆非耐受能力。

第8題

一顆C P U 具有20 條位址線,可定址到多大的記憶體空間? 1. 16 K B y t e s 2. 64K Bytes 3. 1 M B y t e s 4. 16 M B y t e s 。

答案：(3) 1 M B y t e s

解析：記憶體定址空間由位址線數量決定，可定址空間 = 2^位址線數。20 條位址線即 2^20 = 1,048,576 個位址，每個位址對應 1 位元組，故為 1 MB（1 MBytes）。16 條為 64 KB，24 條為 16 MB，均不符。故答案為 1 MBytes。

第9題

下圖電路之輸出波形Vo 為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 2

第10題

B A S I C 語言中的W H I L E - D O 指令係為 1. 循序結構 2. 循環結構 3. 選擇結構 4. 模組化結構。

答案：(2) 循環結構

解析：WHILE-DO 的執行方式是先判斷條件，條件成立就重複執行迴圈本體，條件不成立才跳出，屬於循環（迴路）結構。循序結構是指指令依排列順序逐行執行；選擇結構是以 IF-THEN-ELSE 之類的方式進行分支判斷；模組化結構則是以副程式或函式將程式切割成可重複呼叫的單元。三者都不是 WHILE-DO 的歸類。

第11題

十進制7 . 625 之二進位碼為 1. 111 . 111 2. 111 . 101 3. 101 . 111 4. 101 . 101 。

答案：(2) 111 . 101

解析：整數部分 7＝4＋2＋1，故為 111₂。小數部分用乘 2 取整法：0.625×2＝1.25 取 1；0.25×2＝0.5 取 0；0.5×2＝1.0 取 1，得 0.101₂。合併後為 111.101₂。選項 1 的 111.111 等於 7.875；選項 3、4 的整數部 101₂ 等於 5，與十進位 7 不符，故選 2。

第12題

下列何種閘流體,可利用閘極來控制其導通與截止? 1. S C S 2. S C R 3. T R I A C 4. G T O 。

答案：(4) G T O

解析：GTO（Gate Turn-Off Thyristor，閘極關斷閘流體）為四層三端元件，閘極不僅能觸發導通，還能施加負閘極電流強迫元件截止，因此可用閘極同時控制導通與截止。SCR 與 TRIAC 一旦被閘極觸發導通，閘極便失去控制作用，必須等陽極電流降到保持電流以下或電源換相才能截止。故能利用閘極控制導通與截止者為 GTO。

第13題

在NEMA 所規範的感應電動機設計等級中,何者的啟動轉矩最大,但運轉效率最差? 1. A級 2. B級 3. C級 4. D級。

答案：(4) D級

解析：NEMA 依轉子槽形與轉子電阻區分感應電動機設計等級：A 級與 B 級屬正常啟動轉矩、效率佳；C 級採雙鼠籠式轉子，啟動轉矩較高；D 級轉子電阻最大，具有最高的啟動轉矩與高轉差特性，適合衝擊性負載與頻繁起動，但因轉差大、銅損高，運轉效率最差。故啟動轉矩最大而效率最差者為 D 級。

第14題

某3 ψ、220 V、1 H P 之三相感應電動機,額定線電流3 . 5 A。設有合理之緩衝啟動( S o f t S t a r t i n g ) 功能,則在選用I G B T 之電壓及電流額定時,下列何者較為合理? 1. 200 V 、10A 2. 600V 、 15 A 3. 600 V 、5 A 4. 1000 V 、10 A 。

答案：(2) 600V 、 15 A

解析：220 V 三相電源整流後直流匯流排約 1.35×220 ≈ 297 V，線電壓峰值更達 220×√2 ≈ 311 V，IGBT 耐壓需留約 2 倍餘裕，故選 600 V 等級；200 V 耐壓不足以承受匯流排電壓與切換突波。電流方面額定線電流 3.5 A，考量啟動湧流與過載餘裕，選 15 A 較合理；5 A 與額定值過於接近，容易因湧流或過載而損壞。因此 600 V、15 A 最為合理。

第15題

下列何種功率開關元件為電流驅動型控制方式? 1. M C T 2. I G B T 3. B J T 4. M O S F E T 。

答案：(3) B J T

解析：BJT 的集極電流由基極電流控制，屬於電流驅動型元件，驅動電路必須提供足夠的基極電流。MOSFET 靠閘極電壓形成通道，IGBT 也是閘極電壓控制，MCT 同樣為 MOS 閘極控制，皆屬電壓驅動。選項中僅 BJT 以電流作為控制量，因此答案為 BJT。

第16題

下列何種材質之鐵心較適用於高頻的交換式電源中? 1. 方向性矽鋼片 2. 無方向矽鋼片 3. 鐵氧體( F e r r i t e ) 4. 高導磁合金( P e r m a l l o y ) 。

答案：(3) 鐵氧體( F e r r i t e )

解析：交換式電源的工作頻率通常在數十 kHz 以上，鐵心損耗以磁滯損耗與渦流損耗為主。鐵氧體（Ferrite）電阻率很高，可有效抑制渦流，且高頻損耗小，因此適合高頻變壓器與電感。方向性與無方向矽鋼片雖導磁良好，但電阻率低，較適合 50/60 Hz 低頻場合；高導磁合金（Permalloy）導磁率高，但高頻渦流損耗較大且成本較高，並非本題首選。

第17題

下列那一種正反器具有除二之功能? 1. T 型 2. D 型 3. R S 型 4. J K 型。

答案：(1) T 型

解析：T型正反器在T=1時，每個時脈觸發邊緣都會使輸出狀態翻轉一次；因此輸出波形每兩個輸入時脈才完成一個週期，週期變為兩倍、頻率降為一半，可直接作為除二電路。D型或JK型需外加回授接線才能得到除二效果，並非其基本接法；RS型則以置位與復位控制，不具備此直接功能。

第18題

下圖中F R D 之功用為何? 1. 整流用 2. 鉗位用 3. 電感性負載時,回生電流之回路 4. d v / d t 之保護。

答案：(3) 電感性負載時,回生電流之回路

第19題

C P U 會依下列何種暫存器的內容來依序執行程式? 1. 索引暫存器 2. 狀態暫存器 3. 指令暫存器 4. 程式計數器。

答案：(4) 程式計數器

解析：CPU 採用「取指—解碼—執行」的循環，程式計數器（Program Counter，PC）負責存放「下一條要執行指令的記憶體位址」，每取出一條指令後，PC 便自動遞增，因此程式能依序執行。指令暫存器（IR）只暫存目前正在解碼的那一條指令內容，並不決定執行順序；索引暫存器用於定址計算，狀態暫存器保存旗標，兩者都不負責指出下一條指令的位置。

第20題

A 、B 兩電容器,若充以相同的電荷後,測得A 的電壓為B 的電壓的1/2 ,則A 的靜電容量 為B 的多少倍? 1. 1 / 4 倍 2. 1 / 2 倍 3. 2 倍 4. 4 倍。

答案：(3) 2 倍

解析：電容器基本公式為 Q＝C×V，整理得 C＝Q／V。電荷相同時，電容與電壓成反比：A 的電壓為 B 的 1／2，故 C_A＝Q／(V_B／2)＝2Q／V_B＝2C_B，即 A 的電容為 B 的 2 倍。1／2 倍是把 C 與 V 誤認為正比；1／4 與 4 倍則是誤用平方關係，皆不成立。

第21題

電樞鐵心用薄矽鋼片疊成,其目的是在減少 1. 磁滯損 2. 渦流損 3. 銅損 4. 雜散損。

答案：(2) 渦流損

解析：電樞鐵心在交變磁場下會感應出渦流，渦流在鐵心內流動造成渦流損。將鐵心改用薄矽鋼片疊壓，片與片之間有絕緣層，可阻斷渦流路徑、提高等效電阻，使渦流損大幅降低。磁滯損主要靠矽鋼材料特性改善；銅損發生於繞組；雜散損屬其他漏磁與高頻效應。因此薄矽鋼片疊成的目的在減少渦流損。

第22題

4 又1 / 2 位之數位式電壓表,最大顯示為 1. 1999 2. 3999 3. 39999 4. 19999 。

答案：(4) 19999

解析：四位半（4 1/2位）電壓表表示有四個完整數字位，加上一個只能顯示0或1的半位。四個完整位最大可顯示9999，半位置於最高位時即成為19999，因此最大顯示值為19999。此類表通常以19999作為滿刻度計數；若是三位半，最大顯示通常為1999，兩者位數不同，不可混淆。

第23題

下圖所示之電路中V 為多少? 1. - 4 V 2. 4 V 3. - 8 V 4. 8 V 。

答案：(3) - 8 V

第24題

二進制中之11110001 和01010101 作A N D 運算後可得十六進制數為 1. 4A 2. 51 3. 6 B 4. F 5 。

答案：(2) 51

解析：先將兩數逐位做 AND（同為1才得1）：11110001 AND 01010101 = 01010001。再將結果每4位分一組，0101 對應十六進制 5，0001 對應 1，故為 0x51。選項2正確。此題關鍵在 AND 邏輯與二進制轉十六進制：高4位0101=5、低4位0001=1，合起來即 51H，故選2。

第25題

電壓、電流及電功率之測量時,下列何圖為正確? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 1

第26題

較適合製造高容量記憶體者為 1. S R A M 2. E P R O M 3. E E P R O M 4. D R A M。

答案：(4) D R A M

解析：DRAM 的記憶胞由一個電晶體與一個電容組成，結構簡單、單位面積儲存密度高、每位元成本低，因此最適合製造高容量記憶體；缺點是需要週期性刷新。SRAM 通常由多個電晶體組成，速度快但密度低；EPROM 與 EEPROM 雖具非揮發性，記憶胞結構較複雜，並不以高容量與低成本取勝。

第27題

電源雜訊濾波器的裝設,下列敘述何者錯誤? 1. 需要雜訊濾波器與不需要雜訊濾波器的導線應分開 2. 雜訊濾波器應裝設在電力線進入儀器外殼處 3. 接地線與雜訊濾波器距離應愈遠愈好 4. 雜訊濾波器應裝在金屬表面上,以使金屬表面連接至儀器的地線上。

答案：(3) 接地線與雜訊濾波器距離應愈遠愈好

解析：雜訊濾波器應安裝在電源線進入儀器外殼的入口處，並以短而粗的導線將外殼接地，使高頻雜訊就近流入地，避免沿導線散布。需要與不需要濾波的導線應分開配置；接地線與濾波器距離應越短越好，而非越遠越好，因此第三項敘述錯誤。金屬外殼則可作為屏蔽與接地參考面。

第28題

某阻抗接至E = 100 ∠90 °V 電源時,其電流為20 ∠36 . 8 °A,則此電路之有效功率為多少? 1. 600 W 2. 800 W 3. 1200 W 4. 1600 W 。

答案：(3) 1200 W

解析：有效功率公式為P=VIcosθ，其中θ為電壓與電流的相位差。本題θ=90°−36.8°=53.2°，cos53.2°≈0.6，所以P=100×20×0.6=1200 W。若誤用視在功率VI=2000 W，或把相位差取成36.8°而算成1600 W，都會得到錯誤結果。

第29題

試求下圖之等效電路的 , ,其值為 1. =2 Ω, =6 V 2. =4 Ω, =4V 3. =3 Ω , =8 V 4. =4 Ω , =2 V 。

答案：(1) =2 Ω, =6 V

第30題

E M I 對策通常是由L 和C 組成的 1. 高通濾波器 2. 帶通濾波器 3. 低通濾波器 4. 箝位器。

答案：(3) 低通濾波器

解析：EMI對策常以電感L與電容C組成低通濾波器，讓50/60 Hz的低頻電源順利通過，卻對高頻電磁雜訊呈現高阻抗並將其旁路，抑制雜訊進出設備。高通濾波器會讓高頻雜訊通過，帶通只保留特定頻帶，箝位器則用於限制電壓準位，均非典型電源EMI濾波架構。

第31題

若一電流表滿刻度電流 =50 μ A,且表頭內阻Ri n =2 KΩ ,若用來測量10 V的直流電 壓,應串聯的倍率電阻Rs 為 1. 2 K 2. 20 K 3. 200 K 4. 198 K 。

答案：(4) 198 K

解析：倍率電阻的計算式為Rs=V/Ifs−Rin。滿刻度電流Ifs=50 μA=50×10^-6 A，量測10 V時總電阻R=V/Ifs=10/(50×10^-6)=200 kΩ，因此Rs=200 kΩ−2 kΩ=198 kΩ。串聯198 kΩ後，滿刻度10 V時流過表頭的電流恰為50 μA。

第32題

在高壓電路中,使用何種電容器較適合? 1. 電解電容器 2. 紙質電容器 3. 鉭質電容器 4. 金屬化塑膠薄膜電容器。

答案：(2) 紙質電容器

第33題

下列何種鐵芯的材質最適用於高頻變壓器的設計? 1. 矽鋼片 2. S o f t F e r r i t e 3. M P P ( M o l y P e r m o l l o y P o w d e r ) 4. 鐵粉芯( I r o n P o w d e r ) 。

答案：(2) S o f t F e r r i t e

解析：高頻變壓器需要低磁損與高電阻係數的鐵芯，Soft Ferrite（軟磁鐵氧體）在高頻下渦流損耗小、電阻係數高，最適合高頻切換電源變壓器。矽鋼片雖導磁率高，但高頻渦流損耗大；MPP與鐵粉芯常用於濾波電感或特定功率電感，並非高頻變壓器鐵芯的首選。

第34題

下列何種功率開關元件的驅動電路設計較為困難? 1. M C T 2. I G B T 3. B J T 4. M O S F E T 。

答案：(3) B J T

解析：BJT是電流驅動元件，基極必須持續注入相當大的電流才能維持飽和，且少數載子儲存效應會造成開關延遲，驅動電路須提供精確的基極電流波形與負偏壓，設計最為複雜。MOSFET與IGBT屬電壓驅動，輸入阻抗高、閘極電流極小；MCT也是MOS閘控元件，驅動容易。因此以BJT的驅動電路設計最困難。

第35題

串聯諧振變流器之換流組件與切換元件係與負載串聯以形成 1. 欠阻尼換向 2. 過阻尼換向 3. 臨界阻尼換向 4. 諧振換向。

答案：(4) 諧振換向

解析：串聯諧振變流器（Series Resonant Converter）將換流電感、電容與開關元件、負載串聯構成諧振槽路，利用LC的自然諧振特性，使電流過零而自然換流，此種方式稱為諧振換向（resonant commutation），可實現零電流切換、降低開關損失。題目強調「與負載串聯以形成」，正是諧振換向的架構；欠阻尼、過阻尼、臨界阻尼係指二階暫態響應的阻尼程度，並非此處換流方式的分類。故答案為諧振換向。

第36題

下列何種元件不具有負電阻區特性? 1. D I A C 2. F E T 3. P U T 4. U J T 。

答案：(2) F E T

解析：FET不具負電阻區特性。負電阻區指V-I特性中電壓上升而電流下降的區域，常見於UJT（單接面電晶體）、PUT（可程式單接面電晶體）及DIAC（雙向觸發二極體），其曲線在觸發前後會出現負電阻現象，可做振盪或觸發。FET為場效電晶體，漏極電流隨電壓增加而增加或受閘壓控制，為壓控特性，不存在負電阻區。故選FET。

第37題

下列何種繼電器在繼電器之線圈通電接點動作後,切斷電流卻仍能保持接點狀態? 1. 閂鎖繼電器 2. S S R 3. 磁簧繼電器( R e e d R e l a y ) 4. 小型功率繼電器。

答案：(1) 閂鎖繼電器

解析：閂鎖繼電器（Latching Relay）內部具雙線圈或永久磁鐵機構，線圈通電使接點切換後，即使切斷電源，接點仍靠磁力保持狀態，需反向激磁才能復歸，因此斷電後仍維持。SSR為固態繼電器，斷電即截止；磁簧繼電器與小型功率繼電器均為一般電磁式，線圈失磁後接點靠彈簧復歸，無法保持。故選閂鎖繼電器。

第38題

下圖所示電路中,若v =V s i n ω t ,則 的波形為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 3

第39題

R L C 並聯電路中,當外加頻率大於其諧振頻率時,則該電路呈 1. 電感性 2. 電容性 3. 電阻性 4. 不一定。

答案：(2) 電容性

解析：並聯 RLC 電路的諧振頻率為 f0=1/(2π√(LC))。當外加頻率 f 大於 f0 時，電容的容抗 1/(2πfC) 隨頻率升高而變小，其並聯導納 ωC 大於電感的導納 1/(ωL)，使電容電流大於電感電流，總電流超前電壓，電路呈電容性。反之，當 f 小於 f0 時電感導納較大，電路呈電感性；當 f 等於 f0 時，電容與電感的導納相互抵消，電路呈電阻性。

第40題

下列那一種邏輯閘為完全閘? 1. N O T 2. A N D 3. N O R 4. O R 。

答案：(3) N O R

解析：完全閘（通用閘）是指只使用同一種邏輯閘，就能組合出 NOT、AND、OR 等基本邏輯功能，進而實現任何布林函數。NOR 可將輸入接在一起當作 NOT，再組合出 OR 與 AND，因此屬於完全閘；單獨使用 NOT、AND 或 OR 都無法完成全部邏輯功能。

第41題

在攻螺絲孔時,通常將板手轉一圈後,再反方向轉1 / 4 圈,其作用為 1. 使切屑斷裂 2. 使潤滑油進入 3. 使螺紋加深 4. 使螺孔光度增加。

答案：(1) 使切屑斷裂

解析：攻牙時每正轉一圈就反轉約 1/4 圈，主要作用是讓連續的切屑被折斷，避免長切屑纏繞在絲攻的溝槽上。切屑一旦纏繞，會使排屑不良、扭矩驟增，容易造成螺紋崩牙或絲攻折斷；斷屑後切屑可順利排出，切削液也較易滲入。反轉並非為了加深螺紋，也不以增加螺孔光度為目的，故選「使切屑斷裂」。

第42題

下圖三個相同電阻器R,接於三相四線式,380 / 220 V 電源系統,其消耗總功率為15 K W,則 電阻R 之值為多少? 1. 28 . 9 Ω 2. 31 . 4 Ω 3. 41 . 0 Ω 4. 53 . 4 Ω 。

答案：(1) 28 . 9 Ω

第43題

有10 歐姆之電感與10 歐姆之電容並聯,其總電抗為多少歐姆? 1. 0 Ω 2. 10 Ω 3. 20 Ω 4. ∞Ω。

答案：(4) ∞Ω

解析：電感電抗XL=10Ω，電容電抗XC=10Ω，兩者並聯。以導納計算：Y=1/(jXL)＋1/(−jXC)=−j/XL＋j/XC=j(1/XC−1/XL)。代入XL=XC=10，得1/10−1/10=0，故Y=0，等效阻抗Z=1/Y=∞，即總電抗為無限大（開路），此即並聯諧振狀態。故選∞Ω。

第44題

在布林代數中,若A=B =C=D=1 時,則下列何者為錯誤? 1. A B+CD =1 2. + = 0 3. =1 4. =0 。

答案：(3) =1

解析：已知 A=B=C=D=1，則各變數本身為 1、其補數均為 0。AB+CD =（1×1）+（1×1）= 1+1 = 1，符合布林代數的 OR 運算，故該式正確；而補數之間的相加或相乘結果都是 0，所以凡是把補數的乘積寫成等於 1 的敘述，都與實際計算結果 0 不符，即為錯誤者。判斷此類題目時，先將各變數與其補數分別代入 1 與 0，再依 AND 為乘、OR 為加逐項化簡即可。

第45題

關於結構化程式設計,下列敘述何者錯誤? 1. 使用由下而上之設計方式 2. 程式維護方便 3. 應避免使用G O T O 指令 4. 採用模組化設計。

答案：(1) 使用由下而上之設計方式

解析：結構化程式設計強調由上而下（top-down）逐步細分問題、模組化設計、避免使用 GOTO，並使程式流程只有循序、選擇、重複三種結構，因此程式較易閱讀與維護。「由下而上」並非結構化程式設計的主要設計方式，故本敘述錯誤。

第46題

不需要運算元的定址法為下列何者? 1. 隱含式定址法 2. 直接定址法 3. 立即定址法 4. 相對定址法。

答案：(1) 隱含式定址法

解析：隱含式定址法（Implied Addressing）的指令本身已內含運算元，例如清除旗標或堆疊、累加器相關指令，不需在指令碼後附加運算元位址或資料，故不需運算元。直接定址需給定位址；立即定址需給常數；相對定址需給位移量以計算目的地位址，均須運算元。故選隱含式定址法。

第47題

下圖所示為一D C / D C 電源轉換器,有關變壓器T2 之敘述列何者不正確? 1. 具有隔離變壓器功能 2. 用於驅動功率開關之切換動作 3. 二次測兩繞組輸出應為同相訊號 4. 應使用漏感小之磁性元件。

答案：(3) 二次測兩繞組輸出應為同相訊號

第48題

放射性物質的儲放室或容器一般使用那一種顏色標示? 1. 紅色 2. 綠色 3. 藍色 4. 紫色。

答案：(4) 紫色

解析：放射性物質的儲放室或容器依游離輻射防護相關規範，標示採用輻射示警標誌，其組合以三葉形圖案呈現，圖案顏色為紫色（品紅）；題目選項中與放射性標示關聯者為紫色。紅色多為禁止或消防、綠色為安全、藍色為強制，均非放射性物質標示之用。故選紫色。

第49題

一般關於變頻器容量及牽引馬達容量之匹配為何? 1. 變頻器額定容量大於馬達額定容量 2. 變頻器額定容量等於馬達額定容量 3. 變頻器額定容量小於馬達額定容量 4. 變頻器容量與馬達容量無關。

答案：(1) 變頻器額定容量大於馬達額定容量

解析：變頻器額定容量通常應大於馬達額定容量，至少不得小於，以補償馬達效率、功率因數、諧波電流及啟動轉矩需求，避免變頻器過載跳脫或馬達出力不足。若容量小於馬達，長時間運轉易過電流；容量與馬達並非無關，故選變頻器容量大於馬達容量。

第50題

下圖所示電路中,I 為多少安培? 1. 2 A 2. 6 A 3. 8 A 4. 12 A 。

答案：(2) 6 A