民國97年 第3梯次 11500 儀表電子甲級 學科考古題與答案

民國97年 第3梯次 11500 儀表電子甲級 學科歷屆試題與答案,共 80 題可線上瀏覽,適合查詢考古題、題庫與解答。

題目與答案

第1題

有一金屬球半徑為1 公尺,其上之電荷為10 庫倫,則此球中心點及距球中心點  0 . 5 公尺處 的電場強度各為多少? 1. 0 牛頓/ 庫倫、9 牛頓/ 庫倫 2. 36 牛頓/ 庫倫、0 牛頓/ 庫倫 3. 0 牛頓/ 庫倫、0 牛頓/ 庫倫 4. 9 牛頓/ 庫倫、0 牛頓/ 庫倫。

答案:(3) 0 牛頓/ 庫倫、0 牛頓/ 庫倫

解析:半徑1公尺的金屬球帶電10庫倫,屬於導體。靜電平衡時,導體內部電場為零,電荷全部分布在表面,因此球心及距球心0.5公尺處(都在半徑1公尺的球內)電場強度均為0牛頓/庫倫。球表面電場為 E=kQ/R²=9×10⁹×10/1²=9×10¹⁰牛頓/庫倫,選項中出現的「9牛頓/庫倫」在數值上並不正確。

第2題

如下圖電路中,若R、C 值未知,則不可能為下列何者? 1. 積分電路 2. 低通電路 3. 交連電路 4. 超前網路。

答案:(4) 超前網路

第3題

一只六位數的頻率計數器,其參考時基的準確度為± 10 p p m ,今以10 秒的時基量測一信號為 10 k H z 的頻率,則其讀數的誤差為何? 1. ± 0 . 001 % 2. ± 0 . 002 % 3. ± 0 . 011 % 4. ± 0 . 02 % 。

答案:(2) ± 0 . 002 %

解析:讀數誤差由時基誤差與計數誤差合成。時基準確度±10 ppm=±10×10⁻⁶=±0.001%。以10秒閘門量測10 kHz,計數值為10⁴×10=10⁵個脈波,±1計數的量化誤差為1/10⁵=±0.001%。兩項相加得±(0.001%+0.001%)=±0.002%,故選±0.02%以外的±0.002%。

第4題

如下圖電路所示,其輸出電壓V =? 1. 8 V 2. 10 V 3. 12 V 4. 14 V 。

答案:(2) 10 V

第5題

螺絲直接鎖定在已攻牙之非金屬板上時,非金屬板厚度a 與螺絲直徑d 之間的關係,下列何 者為正確? 1. a ≒0 . 8 d ~1 . 2 d 2. a ≒1 . 2 d ~1 . 5 d 3. a ≒1 . 5 d ~2 . 0 d 4. a ≒2 . 0 d 以上。

答案:(3) a ≒1 . 5 d ~2 . 0 d

解析:非金屬板(塑膠、電木、木材等)材質較軟,攻牙後螺牙的承受力不如金屬,若板厚不足,鎖緊時容易滑牙或被拉脫。為獲得足夠的嚙合長度,板厚通常取螺絲直徑的1.5至2.0倍,即 a ≒ 1.5d~2.0d;金屬板因強度高,約0.8d~1.2d即可。故選 a ≒ 1.5d~2.0d。

第6題

儀器放大器優於一般差動放大器之處,為下列何者? 1. 輸入阻抗較低 2. 實務上改變增益時較不影響C M R R 3. 價格低 4. 電路較簡單。

答案:(2) 實務上改變增益時較不影響C M R R

解析:儀器放大器一般由三個運算放大器組成,輸入級採同相緩衝架構,因此輸入阻抗極高;其增益只由外部一顆電阻 Rg 設定,調整增益時前兩級的共模增益與差模增益同步改變,CMRR 幾乎不受影響,這是它優於一般差動放大器之處。一般差動放大器靠電阻比值決定增益,改變增益常破壞電阻匹配,使 CMRR 明顯下降。至於價格低、電路簡單、輸入阻抗較低,都是一般差動放大器的特點,不是儀器放大器的優點。

第7題

下列I C 包裝,何者並非表面黏著元件( S M D ) 型式? 1. P L C C 2. B G A 3. Q F P 4. P G A 。

答案:(4) P G A

解析:PGA(Pin Grid Array,針腳陣列)底面為插入式針腳,必須插入插座或穿孔焊接,屬於穿孔式(THT)封裝,不是表面黏著。PLCC、QFP、BGA 都是直接平貼在電路板表面焊接的 SMD 型式,其中 BGA 以球狀錫球陣列接腳,適合高腳數元件。

第8題

組合語言中,D A A 為B C D 碼調整的指令。在加法指令執行後,A C C = 0 A 1 H、C Y = 0、A C = 1 , 則此時執行D A A 指令後,A C C 的值為何? 1. 07 H 2. 17 H 3. 27 H 4. 37 H 。

答案:(1) 07 H

解析:DAA(Decimal Adjust after Addition)會依累加器的內容與旗標修正結果:若低位元大於 9,或 AC=1,則低位元加 6;若高位元大於 9,或 CY=1,則高位元加 6。本題 ACC=0A1H,低位元 1 且 AC=1,故加 06H;高位元 A 大於 9,故再加 60H。合計 0A1H+66H=107H,因此 ACC=07H、CY=1。故本題應選1。

第9題

下列何種定理或定律可以應用來解非線性網路? 1. 重疊定理 2. 戴維寧定理 3. 諾頓定理 4. 克希荷夫電壓、電流定律。

答案:(4) 克希荷夫電壓、電流定律

解析:克希荷夫電壓定律(KVL)與電流定律(KCL)係基於能量與電荷守恆,對線性與非線性網路皆成立。重疊定理、戴維寧定理、諾頓定理均建立在線性疊加原理上,僅適用於線性網路,無法直接用於含二極體、電晶體等非線性元件的電路。故解非線性網路須依賴克希荷夫定律列式求解。

第10題

如下圖電路所示,當開關S 自A 點扳至B 點,一秒鐘以後返回A 點時,則Q 之狀態為何? 1. 由原來的l o w 變為h i g h 後再變為l o w 2. 由原來的h i g h 變為l o w 後再變為h i g h 3. 由原來的l o w 變為永久的h i g h 4. 由原來的h i g h 變為永久的l o w 。

答案:(2) 由原來的h i g h 變為l o w 後再變為h i g h

第11題

有關蕭特基二極體( S c h o t t k y D i o d e ) 的敘述,下列何者錯誤? 1. 又稱熱載子二極體 2. N 型材料邊為其陰極,而金屬邊為其陽極 3. 不用少數載子,而僅以多數載子來工作 4. 可做快速切換, 用於高頻。

答案:(2) N 型材料邊為其陰極,而金屬邊為其陽極

解析:蕭特基二極體是在N型半導體表面蒸鍍金屬(如鉑、鎢、鉬)所形成的金屬-半導體接面,金屬側為陽極、N型側為陰極;順偏時電子由半導體越過障壁進入金屬。由於導電完全靠多數載子,沒有少數載子儲存效應,逆向恢復極快,可作高頻切換與整流,因此又稱熱載子二極體。選項2把陽極、陰極所對應的材料寫反,與實際結構不符。

第12題

為防止螺絲因震動而鬆脫,下列何者為正確的施工方式? 1. 螺絲鎖緊後將其銲牢 2. 加裝彈簧墊圈 3. 先套一墊圈再加裝彈簧墊圈 4. 用束線帶綁緊。

答案:(3) 先套一墊圈再加裝彈簧墊圈

第13題

壓電型超音波感測器,其工作頻率約在下列何種範圍? 1. 10 k H z 2. 40 k H z 3. 200 k H z 4.

答案

  • 2

第14題

利用李沙育( L i s s a j o u s ),若示波器出現一直線,則水平與垂直相位差下列何者為正確? 1. 45 ° 2. 90 ° 3. 135 ° 4. 180 ° 。

答案:(4) 180 °

解析:李沙育圖形由水平與垂直兩訊號的頻率比及相位差共同決定。當兩訊號頻率相同,且相位差為 0° 或 180° 時,任一時刻的合成瞬時值都維持固定比例,螢幕上會呈現一直線(0° 為正斜率、180° 為負斜率)。若相位差為 90°,圖形為正圓或軸對稱的橢圓;45° 與 135° 則是傾斜的橢圓。因此示波器出現一直線,代表水平與垂直訊號的相位差為 180°。

第15題

對R L C 並聯諧振電路而言,R 愈大則下列敘述何者正確? 1. Q 值愈小、B W 愈小 2. Q 值愈小、 B W 愈大 3. Q 值愈大、B W 愈小 4. Q 值愈大、B W 愈大。

答案:(3) Q 值愈大、B W 愈小

解析:RLC 並聯諧振電路中,電阻 R 與 L、C 並聯,品質因數 Q = R√(C/L),與 R 成正比;頻寬 BW = f0/Q。因此 R 愈大,Q 值愈大,BW 愈小,諧振曲線愈尖銳、頻率選擇性愈好。反之 R 變小會使 Q 下降、BW 變寬。四個選項中,只有「Q 值愈大、BW 愈小」符合上述關係,其餘組合皆與 Q 和 BW 成反比的關係不符。

第16題

A B C 為三個開集極式數位電路之輸出端,當連接在一起後並且接一個電阻器到+ 5 V 電源,其 輸出應為何? 1. Y = A + B + C 2. 3. 4. Y = A B C 。

答案

  • 4

第17題

已知相鎖迴路裡的除頻倍率為10,且參考頻率為10 M H z,試問頻率合成器輸出的信號頻率為 多少? 1. 1 M H z 2. 10 M H z 3. 100 M H z 4. 1000 M H z 。

答案:(3) 100 M H z

解析:相鎖迴路(PLL)頻率合成器中,輸出頻率 f_out = N × f_ref,N 為除頻倍率(回授分頻比),f_ref 為參考頻率。已知 N=10、f_ref=10 MHz,代入得 f_out = 10 × 10 MHz = 100 MHz。選項1為1 MHz(若誤用除頻而非倍頻)、選項2為10 MHz(忽略倍率)、選項4為1000 MHz(誤用 N=100)。故選項3正確。

第18題

如果A D C 0804 的V r e f / 2 接腳電位由原本的2 . 5 V 變至2 . 4 V 時,A D C 0804 的轉換輸出值將 如何? 1. 變小 2. 不變 3. 變大 4. 忽大忽小的跳動。

答案:(3) 變大

解析:ADC0804 的類比輸入全刻度為 2×V(ref/2),輸出碼 D = 256×Vin ÷ (2×V(ref/2))。當 V(ref/2) 由 2.5 V 降為 2.4 V 時,全刻度由 5 V 降為 4.8 V。同一個輸入電壓 Vin 相對於較小的參考刻度所占的比例變大,換算出的輸出碼就跟著變大(約增加 4%)。因此轉換輸出值會變大,而不是變小或不變。

第19題

關於移位暫存器的敘述下列何者有誤? 1. 可將串列資料轉換為並列 2. 可將並列資料轉換為串列 3. 可當解碼器使用 4. 可延遲串列式的資料。

答案:(3) 可當解碼器使用

解析:移位暫存器由正反器串接而成,主要功能有:串列資料轉並列、並列資料轉串列、以移位方式延遲串列資料,以及搭配回授構成序列產生器。解碼器(如 74LS138)屬於組合邏輯電路,依輸入位址直接產生對應的輸出線,不需要時脈逐位移位,因此「可當解碼器使用」並不是移位暫存器的功能,本題應選此項。

第20題

通過電流高於臨界值的雷射二極體,所發出的光為何? 1. 單色聚合光 2. 混合色聚合光 3. 單色非聚合光 4. 混合色非聚合光。

答案:(1) 單色聚合光

解析:雷射二極體在注入電流超過臨界值後,共振腔內的增益大於損耗,受激放射成為主要的發光機制,輸出的光具有同調性(聚合、coherent),且波長集中單一,因此是單色聚合光。當電流低於臨界值時,則以自發放射為主,行為接近 LED,屬於非同調的混合光。所以超過臨界值後發出的是單色聚合光。

第21題

下列何者不是I C E ( i n - c i r c u i t - e m u l a t o r ) 的主要功能? 1. 可單步執行( s i n g l e s t e p ) 2. 可設定斷點( b r e a k p o i n t ) 3. 可查看記憶體內容( m e m o r y d u m p ) 4. 可查看C P U 讀、寫週期的時序圖 ( t i m i n g c h a r t ) 。

答案:(4) 可查看C P U 讀、寫週期的時序圖 ( t i m i n g c h a r t )

解析:ICE(線上模擬器)透過微處理器本身的匯流排與控制訊號運作,主要功能包括單步執行、設定硬體斷點、讀寫記憶體與暫存器內容(memory dump),以及即時追蹤程式流程。至於 CPU 讀、寫週期的時序圖,需觀察位址、資料與控制訊號之間的細部時序關係,必須借助邏輯分析儀長時間取樣才能呈現,並非 ICE 的主要功能。

第22題

布林代數 化簡後應為何? 1. A B + C 2. A C + B 3. B C + A 4. 。

答案

  • 1

第23題

設計印刷電路板時,銲點的直徑為60 m i l,且兩者相隔100 m i l,若要在中間穿過兩條寬11 m i l 的銅箔線,則彼此間的距離為多少? 1. 3 m i l 2. 6 m i l 3. 16 m i l 4. 26 m i l 。

答案:(2) 6 m i l

解析:兩銲點中心距100mil,直徑各60mil,故半徑30mil。兩銲點邊緣間距=100−30−30=40mil。中間穿過兩條寬11mil銅箔線,兩線總寬=22mil,剩餘間隙=40−22=18mil。將此18mil平均分為三個等距間隔(第一線前、兩線之間、第二線後):18÷3=6mil。故兩條銅箔線彼此間的距離為6mil(選項2)。此計算為PCB佈線間距的基本幾何分配,確保線與線、線與銲點皆保持6mil安全間距。

第24題

如下圖電路所示,輸出端V 可表示為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

  • 4

第25題

低電介質常數型的陶瓷電容器,可與下列何種電容器組合,做成溫度係數為零的超精密電容 器? 1. 塑膠電容器 2. 紙質電容器 3. 雲母電容器 4. 電解電容器。

答案:(3) 雲母電容器

解析:低介電常數型陶瓷電容器(Ⅰ型,如NP0/C0G)溫度係數小且為負值,適用於溫度補償;雲母電容器溫度穩定性極佳、介質損耗低、溫度係數亦很小。兩者組合可互補,做成溫度係數接近零的超精密電容器。紙質、塑膠、電解電容器之溫度穩定性與精度均不及雲母,不宜用於此精密補償目的,故選3。

第26題

如下圖電路所示,則E 之電壓值應為多少? 1. 87 V 2. 77 V 3. 67 V 4. 57 V 。

答案:(2) 77 V

第27題

在組合語言中,若欲處理陣列的資料,則採用下列何種定址模式最方便? 1. 立即定址 2. 直接定址 3. 暫存器定址 4. 間接定址。

答案:(4) 間接定址

解析:陣列資料在記憶體中連續排列,採用間接(索引)定址時,暫存器存放陣列的起始位址,再以索引值或位移量指向第 n 個元素,只要改變指標或索引值就能巡訪整個陣列,最為方便。立即定址的運算元固定寫在指令中,直接定址只能存取單一固定位址,暫存器定址可用的暫存器數量有限,皆不適合處理大量且連續的陣列資料。

第28題

下列何者不是數位訊號處理器( D S P ) 的優點? 1. 可進行複雜的數學運算 2. 具有強大的I / O 能力 3. 內含數位濾波器 4. 適用影像及聲音處理。

答案:(2) 具有強大的I / O 能力

解析:DSP 的核心優勢在於內建硬體乘法器、管線化架構與單週期乘加(MAC)指令,並具備特殊定址模式,因此能快速完成濾波、卷積、FFT 等複雜數學運算;它內含數位濾波器演算法與週邊,特別適合影像與語音處理。至於 I/O 能力,DSP 通常只提供基本串列埠與並列埠,需要外接週邊晶片擴充,並非其強項,所以「具有強大的 I/O 能力」不能算優點。故本題應選2。

第29題

微電腦系統中c o u n t e r 和t i m e r 的應用敘述,何者為正確? 1. c o u n t e r 計數系統振盪的脈波, t i m e r 計數外部輸入的脈波 2. c o u n t e r 計數外部輸入的脈波,t i m e r 計數系統振盪的脈波 3. c o u n t e r 和t i m e r 皆計數外部輸入的脈波 4. c o u n t e r 和t i m e r 皆計數系統振盪的脈波。

答案:(2) c o u n t e r 計數外部輸入的脈波,t i m e r 計數系統振盪的脈波

解析:計數器(counter)的功能是計數「外部」送進來的脈波或事件次數,例如感測器輸出、編碼器脈波等;計時器(timer)則以系統時鐘(振盪器)產生的固定週期脈波為基準,透過計數已知週期的時脈來達成延時、計時或產生時間基準。兩者內部同為計數電路,差別在於計數的脈波來源:counter 數外部脈波,timer 數系統振盪脈波,故選 2。

第30題

當溫度每升高1 °C時,M O S F E T 之V 值的變化下列何者為正確? 1. -2 ~-5 m V 2. +2 ~+ 5 m V 3. -6 ~-10 m V 4. +6 ~+

答案:(1) -2 ~-5 m V

解析:MOSFET 的臨界電壓 Vth 具有負溫度係數。溫度升高時,載子濃度與表面電位改變,使元件達到強反轉所需的閘極電壓下降,典型變化量約為每升高 1 °C 下降 2~5 mV,也就是 -2~-5 mV,因此選 1。正值選項表示溫度越高越難導通,方向與實際相反;-6~-10 mV 的幅度則大於一般元件的溫度係數。

第31題

在雙載體接面電晶體( B J T ) 電路中,何者是因歐萊效應( E u r l y e f f e c t ) 所發生的? 1. 穿透崩潰 2. 累增崩潰 3. 射極寬度變大 4. I 產生了飽和。

答案:(1) 穿透崩潰

第32題

傳統示波器中下列何者與水平鋸齒波的產生無關? 1. S L O P E 2. T R I G L E V E L 3. T R I G S O U R C E 4. F O C U S 。

答案:(4) F O C U S

解析:傳統示波器的水平鋸齒波由掃描(時基)電路產生,觸發電路決定掃描何時啟動。SLOPE(觸發斜率)設定在信號上升或下降緣觸發;TRIG LEVEL(觸發準位)設定觸發發生的電壓位準;TRIG SOURCE(觸發源)選擇內部、外部或電源作為觸發信號,三者都與鋸齒波的啟動與同步有關。FOCUS(聚焦)則是調整陰極射線管用靜電透鏡使電子束聚焦、讓畫面清晰,與波形產生完全無關。故選 4。其他選項 1、2、3 皆屬觸發控制,參與掃描動作,非本題所求。

第33題

白金測溫元件P t 100 測溫時,以下列何種測定法的精確度較高? 1. 二線式 2. 三線式( 定電壓驅動) 3. 三線式( 定電流驅動) 4. 四線式。

答案:(4) 四線式

解析:Pt100為電阻式溫度計,導線電阻會造成誤差。二線式將導線電阻併入測量,誧差最大;三線式(定電流驅動)藉補償線路降低誤差;四線式(柯爾文連接)以獨立電流線與電壓線完全排除導線電阻影響,精確度最高,常用於精密量測與標準校正。

第34題

量測電感器的電感量,具有較高準確度的為下列何者? 1. 馬克士威電橋( M a x w e l l b r i d g e ) 2. 海氏電橋( H a y b r i d g e ) 3. 史林電橋( S c h e r i n g b r i d g e ) 4. 歐文電橋( O w e n b r i d g e ) 。

答案:(4) 歐文電橋( O w e n b r i d g e )

第35題

下列有關U S B 介面裝置的敘述何者為錯誤? 1. 為串列方式傳輸資料 2. 為1 M b p s 以上的傳輸介面 3. U S B 介面可提供掃瞄器( s c a n n e r ) 與電腦相接 4. 不可於電腦開機後,將裝置直接插入於 U S B 介面或拔除。

答案:(4) 不可於電腦開機後,將裝置直接插入於 U S B 介面或拔除

解析:USB 支援熱插拔與隨插即用,電腦開機後可直接插入或拔除滑鼠、隨身碟等裝置,主機會自動偵測並完成列舉,所以「不可於開機後直接插拔」的敘述錯誤,答案為 4。USB 採串列差動方式傳輸;USB 1.1 全速可達 12 Mbps,遠高於 1 Mbps;掃描器、印表機等週邊也都能透過 USB 與電腦連接,故 1、2、3 均為正確敘述。

第36題

7447 輸出所推動的L E D 七段顯示器,若只有" 0 " 無法顯示,則其可能的故障為何? 1. B I 接地 2. R B I 接地 3. L T 接地 4. R B O 接地。

答案:(2) R B I 接地

解析:7447 是 BCD 對七段解碼驅動器,輸出為低電位動作。RBI 為漣波遮沒輸入,接地(低電位)時,若輸入碼為 0000(即要顯示 0),輸出會被遮沒而全部熄滅,因此只有「0」顯示不出來,答案 2。BI 接地會使所有數字都熄滅;LT 接地則進入燈測試,七段全亮;RBO 是漣波遮沒輸出,接地並不影響本級顯示。

第37題

相同容量的D R A M 和S R A M 相比較,下列何者為錯誤? 1. D R A M 體積較小 2. D R A M 存取速度較慢 3. D R A M 工作電路較複雜 4. D R A M 單位位元的價格較高。

答案:(4) D R A M 單位位元的價格較高

解析:同容量下,DRAM 每個記憶胞只需一個電晶體加一個電容,密度高、體積小;但電容會漏電,必須週期性刷新,周邊電路較複雜,存取速度也比 SRAM 慢。DRAM 位元密度高、製程較簡單,單位位元價格通常比 SRAM 低,因此「單位位元價格較高」錯誤,故選 4。

第38題

一般製作多層印刷電路板時,最應注意事項為 1. 面積愈小愈好 2. 跳線愈少愈好 3. 整齊美觀 4. 每層之點需對齊。

答案:(4) 每層之點需對齊

解析:多層印刷電路板由內層線路、膠片與銅箔逐層壓合而成,各層的導通孔(通孔、盲孔、埋孔)必須精準對齊,否則壓合後無法導通,甚至造成偏移短路,因此「每層之點需對齊」最為關鍵,答案 4。面積縮小、跳線減少與整齊美觀屬於佈局設計與外觀考量,並非多層板製作時的首要條件。

第39題

兩個八位元有號數相加,下列哪一組會產生溢位? 1. 2. 3. 4. 。

答案

  • 3

第40題

應在離地面為下列何種高度範圍內測定有害氣體? 1. 0 ~10 c m 2. 10 ~50 c m 3. 50 ~150 c m 4. 150 ~400 c m 。

答案:(3) 50 ~150 c m

解析:有害氣體的測定應在作業人員呼吸帶高度採樣,一般以離地面 50~150 cm 為原則,才能反映實際吸入的濃度,答案 3。0~10 cm 與 10~50 cm 都太接近地面,代表性不足;150~400 cm 則高於一般站立作業者的呼吸範圍,量測結果無法代表人員實際暴露情形。

第41題

何種場效電晶體之閘- 源極電壓可在正、零、負電壓間動作? 1. N 型J F E T 2. P 型J F E T 3. 增強型M O S F E T 4. 空乏型M O S F E T 。

答案:(4) 空乏型M O S F E T

解析:空乏型(depletion)MOSFET 在製造時通道已存在,閘源極電壓為零時即有汲極電流;加正電壓會吸引更多載子使通道增厚(增強),加負電壓則排擠載子使通道變窄(空乏),故 V_GS 可在正、零、負之間工作。增強型 MOSFET 必須 V_GS 超過臨界電壓才導通,零與負壓截止;JFET 的閘源極必須逆偏,N 型只能加負壓、P 型只能加正壓,無法正負皆可。

第42題

I B M 相容個人電腦中的萬用串列界面( U S B ) ,下列何者不是它的特色? 1. 可提供印表機及滑鼠 2. 傳輸速率可達100 k b p s 以上 3. 可減少週邊設備的接線 4. 祇能以星狀( s t a r ) 方式連接。

答案:(4) 祇能以星狀( s t a r ) 方式連接

解析:USB 採階層式(tiered)星狀架構,可透過集線器逐層擴充,最多連接 127 個裝置,並非「祇能」以單一星狀方式連接,故此敘述不正確,答案 4。USB 可連接印表機、滑鼠等週邊,並以單一匯流排減少纜線數量;其低速與全速傳輸率分別為 1.5 Mbps 與 12 Mbps,皆在 100 kbps 以上,所以 1、2、3 都是它的特色。

第43題

在溫度為25 °C、η =1 時,二極體的熱電壓( t h e r m a l v o l t a g e ) 當量V 之值約為下列何者? 1. 20 m V 2. 25 m V 3. 30 m V 4. 35 m V 。

答案:(2) 25 m V

解析:熱電壓公式 V_T=kT/q,其中 k=1.38×10⁻²³ J/K、q=1.6×10⁻¹⁹ C,絕對溫度 T=273+25=298 K。代入得 V_T=(1.38×10⁻²³×298)÷(1.6×10⁻¹⁹)≈2.57×10⁻² V,即約 25.7 mV。η=1 代表理想因子為 1,不再乘上任何修正倍率。常溫下一般以 26 mV 記憶,本題四個選項中以 25 mV 最為接近,故選 2。

第44題

同步示波器中,若調整垂直振幅衰減器( V OL T S / D I V ) 時,掃描線會上下移動,則需調整: 1. v e r t i c a l p o s i t i o n 2. t r i g g e r l e v e l 3. D C b a l a n c e 4. h o l d o f f 。

答案:(3) D C b a l a n c e

解析:調整 VOLTS/DIV 衰減器時掃描線上下移動,代表垂直放大器的直流工作點不平衡,切換衰減量即改變了直流準位,須調整 DC balance(直流平衡)使軌跡回到固定位置。vertical position 只是把整個波形上下平移,屬正常顯示調整,與切換衰減器造成的偏移無關;trigger level 決定波形開始掃描的電壓準位,影響波形水平起點;holdoff 控制兩次掃描間的等待時間,影響複雜波形能否穩定顯示。故選 DC balance。

第45題

止血帶要每分鐘鬆開多少時間? 1. 1 秒 2. 5 秒 3. 15 秒 4. 20 秒。

答案:(3) 15 秒

解析:使用止血帶時必須記錄綁紮時間,並每隔約 15 分鐘鬆開 15 秒,讓血液短暫流通,避免肢體長時間缺血而壞死,因此鬆開時間以 15 秒為準,答案 3。1 秒與 5 秒過短,無法有效恢復血流;20 秒雖較長,但並非標準的放鬆時間,急救處置仍以 15 秒為原則。

第46題

利用8086 來執行8051 的程式,以利程式偵錯,則此軟體系統為何? 1. 軟體模擬 2. 硬體模擬 3. 實體模擬 4. 韌體模擬。

答案:(1) 軟體模擬

解析:以 8086 微處理器執行 8051 的程式,是在個人電腦上以軟體重現 8051 的指令集、暫存器與記憶體行為,稱為軟體模擬(simulator),常用於程式開發初期的偵錯,答案 1。硬體模擬(ICE)是以實際 8051 晶片或專用電路取代目標 MCU 來執行;實體模擬、韌體模擬並非用另一種 CPU 執行他種指令集的作法。

第47題

+ X Y = + Y 是應用下列哪一定律? 1. 分配律 2. 結合律 3. 交換律 4. 吸收律。

答案:(4) 吸收律

解析:吸收律的代數式為 X + XY = X。其物理意義是:當變數 X 與「X 和 Y 的 AND 項」作 OR 時,因 X 已包含 XY 的所有可能狀態,故 X 會「吸收」XY,結果仍為 X。題目所示 X + XY = X 即為吸收律。分配律為 A(B+C)=AB+AC;結合律為 (A+B)+C=A+(B+C);交換律為 A+B=B+A 或 AB=BA,皆不符合本式。故選吸收律。

第48題

有一脈波信號的脈波重複率( p u l s e r e p e t i t i o n r a t e ) 為2 k H z ,脈波寬度為62 . 5 μ s ,則其工作 週期( d u t y c y c l e ) 為何? 1. 0 . 125 2. 0 . 25 3. 0 . 3125 4. 0 . 625 。

答案:(1) 0 . 125

解析:脈波重複率 2 kHz 表示週期 T=1/f=1÷2000=5×10⁻⁴ s=500 μs。工作週期定義為脈波寬度除以週期:Duty cycle=62.5 μs÷500 μs=0.125,即 12.5%。若誤用 62.5÷250 或把週期算成 200 μs,就會得到 0.25 等錯誤數值,因此正確選項為 1。

第49題

下列敘述何者為不正確? 1. 8255 是並列( p a r a l l e l ) 之I / O 介面I C 2. 8254 是串列( s e r i a l ) 之 I / O 介面I C 3. 8253 是計數( c o u n t e r ) 之I / O 介面I C 4. 8279 是鍵盤( k e y b o a r d ) 之I / O 介面I C。

答案:(2) 8254 是串列( s e r i a l ) 之 I / O 介面I C

解析:題目問「不正確」之敘述。8255 為可程式化周邊介面(PPI),屬並列(parallel)I/O 介面 IC,敘述 1 正確。8254 為可程式化間隔計時/計數器(timer/counter),並非串列 I/O 介面;串列通訊控制 IC 為 8251(USART),故敘述 2 錯誤。8253 同為計數/計時 IC,敘述 3 正確。8279 為鍵盤與顯示控制器,敘述 4 正確。因此不正確者為選項 2。

第50題

使用三用電表的歐姆表測試矽二極體順向特性時,若測得L V 為0 . 8 V ,L I 為20 m A ,則二極 體內阻為何? 1. 10 Ω 2. 20 Ω 3. 30 Ω 4. 40 Ω 。

答案:(4) 40 Ω

解析:二極體順向偏壓下,歐姆表所測得者為其順向動態電阻,由歐姆定律 R = V / I 計算。代入題給數據:V = 0.8 V,I = 20 mA = 0.02 A,故 R = 0.8 / 0.02 = 40 Ω,選項 4 正確。驗證他項:若 R = 10 Ω 需 I = 80 mA;R = 20 Ω 需 40 mA;R = 30 Ω 需約 26.7 mA,均不符題給 20 mA 之條件。

第51題

下列有關數位頻率表敘述何者為錯誤? 1. 脈波整形器為一單穩態多諧振盪器 2. 控制閘可為或閘 3. 計數電路的功能是計算在T 時間內通過控制電路的脈波數 4. 顯示電路是將計數電路中的數據N 除以時間T 的結果轉換為數字。

答案:(1) 脈波整形器為一單穩態多諧振盪器

解析:數位頻率表中,脈波整形器的作用是將輸入波形整形成標準方波,一般採用「史密特觸發電路(Schmitt trigger)」,利用其遲滯特性消除雜訊並產生方波,故敘述 1 所稱「單穩態多諧振盪器」錯誤。計數電路確實計算在閘門時間 T 內通過控制電路之脈波數 N(敘述 3 正確);顯示電路將頻率 f = N/T 之結果轉為數字顯示(敘述 4 正確)。因此錯誤者為選項 1。

第52題

設計印刷電路板時,若要防止高頻向外輻散,電路板必須以下列何者標準來設計? 1. E M A 2. E M C 3. E M D 4. E M I 。

答案:(2) E M C

第53題

如下圖電路所示R = 1 k Ω ,+ 5 V 代表邏輯" 1 " ,0 V 代表邏輯" 0 " ,當S S S S = 0001 時,則 輸出電壓V 為何? 1. 5 V 2. - 5 V 3. - 2 . 5 V 4. - 1 . 25 V 。

答案:(4) - 1 . 25 V

第54題

下圖交流等效電路,若h = 50 ,h = 1 k Ω ,則Z 為多少? 1. 51 k Ω 2. 52 k Ω 3. 53 k Ω 4. 54 k Ω 。

答案:(2) 52 k Ω

第55題

若ㄧ微電腦系統具有24 條位址線,則此電腦最大具有多少b y t e 的記憶容量? 1. 16 M 2. 8 M 3. 4 M 4. 2 M 。

答案:(1) 16 M

解析:微電腦每條位址線可表達 0 或 1 兩種狀態,n 條位址線可定址 2^n 個位置;本題 n = 24,故最大記憶容量 = 2^24 byte = 16,777,216 byte ≈ 16 M byte(1 M = 2^20 = 1,048,576)。因此選 1(16 M)。若誤算成 2^23 會得 8 M、2^22 得 4 M,均為干擾項;24 條線即 2 的 24 次方,直接對應 16 M。

第56題

有一差動放大器,C M R R = 1000,A = 200,有兩電壓100 μ V 和50 μ V 輸入,則輸出電壓V 為: 1. 100 μ V 2. 10 m V 3. 10 . 025 m V 4. 10 . 015 m V 。

答案:(4) 10 . 015 m V

解析:差動放大器輸出 Vout = Ad·Vd + Acm·Vc。差模輸入 Vd = V1 − V2 = 100 − 50 = 50 μV;共模輸入 Vc = (V1 + V2) / 2 = (100 + 50) / 2 = 75 μV。差模增益 Ad = A = 200。由 CMRR = Ad / Acm = 1000,得 Acm = 200 / 1000 = 0.2。代入:Vout = 200 × 50 μV + 0.2 × 75 μV = 10000 μV + 15 μV = 10015 μV = 10.015 mV。故選項 4 正確。

第57題

如下圖電路所示為一多範圍電壓表,若使用滿刻度電流I = 40 μ A 的可動裝置,倍率電阻器 R = 199 k Ω 、R = 800 k Ω ,則並聯於可動裝置之分流電阻器R p 之大小為何? 1. 1 k Ω 2. 1 . 25 k Ω 3. 4 k Ω 4. 5 k Ω 。

答案:(4) 5 k Ω

第58題

編號27512 的E P R O M ,共有幾條位址線? 1. 13 2. 14 3. 15 4. 16 。

答案:(4) 16

解析:EPROM編號規則:27代表EPROM系列,後三位「512」表示容量為512 Kbit(512×1024=524288 bit)。以8位元(1 byte)為資料寬度換算,524288÷8=65536 byte=64 Kbyte。位址線數目n滿足2^n=記憶體字數,故2^n=65536=2^16,得n=16。因此27512需16條位址線(A0~A15),搭配8條資料線。答案為選項4(16條)。

第59題

自動量測系統中那一條信號線,不是由控制者所發出的? 1. A T N 2. I F C 3. S R Q 4. R E N 。

答案:(3) S R Q

解析:IEEE-488(GPIB)匯流排中,ATN(Attention)、IFC(Interface Clear)與 REN(Remote Enable)都是由控制者主動送出的控制線,用來命令或初始化裝置。SRQ(Service Request)則是由裝置端拉低,向控制者提出服務請求,方向是由被控裝置送往控制者,因此不是控制者發出的信號。

第60題

當一U S B 的裝置剛接上U S B 匯流排時,P C 對此裝置所要求的第一個描述元( D e s c r i p t o r ) 為 何? 1. 裝置描述元 2. 配置描述元 3. 介面描述元 4. 端點描述元。

答案:(1) 裝置描述元

解析:USB 裝置插入匯流排後,主機(PC)會執行列舉(enumeration)程序以辨識裝置。過程中主機首先送出「Get Descriptor」要求「裝置描述元(Device Descriptor)」,讀取廠商 ID、產品 ID、裝置類別與端點數等基礎資訊;確認後才依次要求配置描述元、介面描述元與端點描述元。故第一個被要求者為裝置描述元,選項 1 正確。

第61題

以同瓦特數的電阻器相比較,下列何者成本最高? 1. 金屬皮膜電阻器 2. 炭膜電阻器 3. 表面黏著元件( S M D ) 電阻器 4. 線繞電阻器。

答案:(3) 表面黏著元件( S M D ) 電阻器

第62題

下列何者不是串列傳輸界面R S - 485 之特點? 1. 傳輸距離可達1 . 2 公里 2. 傳輸速度可達 100 k b p s 3. 以B U S 線方式傳輸,兩側尾端須加終端電阻 4. 祇能連接1 個驅動器及32 個接收器。

答案:(4) 祇能連接1 個驅動器及32 個接收器

解析:RS-485為差分平衡式串列介面,特點包括:傳輸距離最遠約1200m(1.2公里,低速時)(1)正確;匯流排(BUS)拓撲兩端須加終端電阻以消除反射(3)正確;可達數Mbps,100kbps在其能力內(2)正確。錯誤的是(4):RS-485為多點(multi-drop)標準,允許多個驅動器共存於同一匯流排(最多32個單位負載,可為驅動器或接收器混合),並非「祇能1個驅動器及32個接收器」。故選(4)。

第63題

使用熱偶型電子電壓表量測V = 20 V 的方波,則電表指示的讀數為何? 1. 20 V 2. 14 . 14 V 3. 10 V 4. 7 . 07 V 。

答案:(3) 10 V

第64題

如下圖電路所示,若V ≒V >>V ,i >>i ,加上負回援後之電流增益 ,則此電路加上負回援後之電壓增益 約為若干? 1. 2. 3. 4. 。

答案

  • 1

第65題

組合語言中,運算元為資料時,其定址模式為何? 1. 資料定址法 2. 直接定址法 3. 立即定址法 4. 間接定址法。

答案:(3) 立即定址法

解析:立即定址法的運算元本身就是資料(常數),直接寫在指令中,例如 MOV A,#30H,其中的 #30H 就是資料值。直接定址法的運算元是資料所在的記憶體位址;間接定址法的運算元則是「存放位址的位址」,需再讀取一次記憶體才取得資料;「資料定址法」並非組合語言標準的定址模式名稱。因此當運算元為資料時,屬於立即定址法。

第66題

通過雷射二極體的電流高於臨界值時,下列敘述何者錯誤? 1. 產生之光子,每個能階都相同 2. 產生之光子,每個相位都相同 3. 產生之光子,每個頻率都相同 4. 產生之光為非聚合光。

答案:(4) 產生之光為非聚合光

解析:雷射二極體在注入電流超過臨界值後進入受激放射為主的工作區,射出光子的能量相同,因此頻率與波長一致;相位一致,因此同調性高;行進方向一致,因此指向性佳、光束集中。這種同調、同相、同頻且方向集中的光屬於聚合光(相干光),所以「產生之光為非聚合光」的敘述錯誤。臨界值以下則以自發放射為主,才是非相干光。

第67題

下列何者不是一般性急救的方法? 1. 應保持傷患安靜及舒適,以靜候醫護人員到來 2. 在沒有確定受傷之實情前,應讓傷患平臥,以防止昏厥與休克 3. 如傷患面色發紅,應將其頭部放低 4. 如傷患嘔吐,則應將其頭部轉向一邊。

答案:(3) 如傷患面色發紅,應將其頭部放低

解析:一般急救原則中,傷患面色發紅(例如腦充血、中暑、頭部外傷可能顱內壓升高)時應抬高頭部,使血液回流至下半身,以減輕腦部充血;反之面色蒼白、有昏厥或休克傾向者才採平臥並抬高下肢。讓傷患安靜舒適、未確認傷情前保持平臥以防休克,以及嘔吐時將頭轉向一側避免嗆入呼吸道,都是正確的一般性急救處理,故選項3不是正確方法。

第68題

使用頻譜分析儀( s p e c t r u m a n a l y z e r ) 量測一調幅波,螢光幕上顯示出如下圖所示之波形,載 波功率與旁波帶功率相差6 d B ,則此調幅波之調幅度為何? 1. 1 2. 0 . 6 3. 0 . 5 4. 0 . 167 。

答案:(1) 1

第69題

使用同步示波器觀測信號時,若螢光幕上呈現出不足1 格高度的波形,且不穩定的左右移動 時,應先操作下列何控制旋鈕最為適當? 1. 觸發斜波( s l o p e ) 2. 水平時基( T I M E / D I V ) 3. 觸發準位( l e v e l ) 4. 垂直振幅( V O L T S / D I V ) 。

答案:(4) 垂直振幅( V O L T S / D I V )

解析:波形高度不足1格代表垂直增益太小,信號振幅相對於每格伏特數偏低,此時觸發電路不易取得足夠振幅來穩定觸發,畫面便會左右漂移。正確順序是先調整垂直振幅旋鈕 VOLTS/DIV,讓每格代表的伏特數變小(靈敏度提高),把波形放大到約2~3格以上,再調整觸發準位使波形靜止。若先動觸發準位,信號太小仍難以穩定;斜率與時基也不是解決高度不足的首要項目。

第70題

指針式三用電表A C V 檔位刻度的標示為下列何者? 1. 均方根值 2. 平均值 3. 最大值 4. 峰至峰值。

答案:(1) 均方根值

解析:指針式三用電表的 ACV 檔內部以整流電路取出交流的平均值,再依正弦波的波形因數(有效值/平均值約 1.11)校正刻度,使指針直接指示有效值,即均方根值(RMS)。一般所稱市電 110 V 也是有效值。因此刻度標示的是均方根值,而非平均值、最大值或峰對峰值;最大值為有效值的 1.414 倍,峰對峰值再乘 2。

第71題

下列各種方法中常用來作鍵盤之類的慢速I / O 與C P U 同步者為何? 1. 中斷( i n t e r r u p t ) 2. 直接記憶存取( D M A ) 3. 持住( h o l d ) 4. 交插式記憶體( i n t e r l e a v e m e m o r y ) 。

答案:(1) 中斷( i n t e r r u p t )

解析:鍵盤屬於慢速週邊,按鍵動作間隔遠大於CPU的指令週期。採中斷方式時,CPU平時執行主程式,鍵盤有按鍵資料才送出中斷要求,CPU再暫停目前工作去服務,可避免CPU空等而浪費運算資源。DMA適用於磁碟、螢幕等大量且高速的資料傳輸;HOLD 是週邊要求CPU讓出匯流排供DMA使用的信號;交插式記憶體是讓記憶體分批存取以提升速度,與I/O同步無關。

第72題

R H 60 之銲錫的熔點溫度約為下列何者? 1. 120 °C 2. 180 °C 3. 240 °C 4. 280 °C。

答案:(2) 180 °C

解析:RH60 為松香芯的錫鉛銲錫,成分約為錫 60%、鉛 40%,接近錫鉛共晶組成,固、液相線溫度相當接近,熔點約在 183~190 °C 之間,因此選項中以 180 °C 最接近。120 °C 明顯偏低,錫鉛合金無法在該溫度熔融;240 °C 與 280 °C 則偏高,通常是無鉛銲錫或高錫合金的熔融區間。

第73題

有三級串接之線性放大電路,若各級電壓增益分別為40 、50 及50 ,試問其總分貝電壓增益 約為若干? 1. 60 2. 80 3. 100 4. 120 。

答案:(3) 100

解析:多級串接的總電壓增益為各級增益相乘:Av=40×50×50=100000 倍。以分貝表示:dB=20log(Av)=20log(10⁵)=20×5=100dB。故總分貝電壓增益約為 100。對照其他選項:60dB 僅約 1000 倍、80dB 為 10⁴ 倍、120dB 為 10⁶ 倍,都與 10⁵ 倍不符,因此答案為 3。

第74題

如下圖電路所示,L = 6 H、L = 8 H、M = 2 H,求L 為多少? 1. 1 . 5 H 2. 3 . 4 H 3. 4 . 4 H 4. 5 . 5 H 。

答案:(3) 4 . 4 H

第75題

下列哪一個單位是磁通密度的單位? 1. 高斯 2. 韋伯 3. 庫侖 4. 牛頓。

答案:(1) 高斯

解析:磁通密度B的SI單位為特斯拉(T),在CGS制中單位為高斯(Gauss),二者關係為1T=10⁴G,故高斯為磁通密度單位。韋伯(Weber)是磁通Φ的單位,庫侖(Coulomb)是電荷單位,牛頓(Newton)是力的單位,皆非磁通密度。因此選1高斯。

第76題

若欲傳遞2 k H z 的正弦波信號,則其取樣頻率最低需為多少? 1. 1 k H z 2. 2 k H z 3. 4 k H z 4. 8 k H z 。

答案:(3) 4 k H z

解析:依奈奎斯特—香農取樣定理(Nyquist-Shannon sampling theorem),為能無失真重建類比信號,取樣頻率 f_s 必須大於或等於信號最高頻率 f_max 的兩倍,即 f_s ≥ 2·f_max。本題正弦波頻率 f_max = 2 kHz,故最低取樣頻率 f_s(min) = 2 × 2 kHz = 4 kHz。若取樣頻率低於 4 kHz(如 1 kHz、2 kHz)將發生混疊(aliasing),無法正確還原原信號。選項1、2皆低於需求;選項4雖可行但非題目所問的「最低」。故選3。

第77題

電氣產品使用印刷電路板,無法減少下列何者? 1. 材料費 2. 勞務費 3. 維修時間 4. 管銷成本。

答案:(4) 管銷成本

第78題

使用d B m 表示輸出準位的單位時,其參考準位( 0 d B m ) 是設定於 1. 10 W 2. 10 W 3. 4. 。

答案

  • 1

第79題

下列何種熱敏電阻之溫度對電阻變化的關係呈半對數特性變化? 1. 負溫度係數熱敏電阻 2. 正溫度係數熱敏電阻 3. 正臨界溫度熱敏電阻 4. 負臨界溫度熱敏電阻。

答案:(1) 負溫度係數熱敏電阻

解析:負溫度係數(NTC)熱敏電阻的電阻與溫度關係為 R=R0·exp[B(1/T-1/T0)],兩邊取自然對數得 lnR=lnR0+B(1/T-1/T0),即 lnR 與 1/T 成直線,故在「溫度-電阻」半對數座標上呈線性變化。PTC 在常溫區間電阻隨溫度上升而增加,接近線性;正、負臨界溫度型(CTR)則是在臨界溫度附近電阻才劇烈跳變,不呈半對數直線關係。

第80題

單晶片微電腦中,下列何者內部具有E E P R O M 型的資料記憶體? 1. P I C 16 C 84 2. E M 78447 3. 89 C 2051 4. 80 C 196 K C 。

答案:(1) P I C 16 C 84

解析:PIC16C84 是早期內建 EEPROM 資料記憶體的代表性單晶片,具有可供程式線上讀寫的 EEPROM 程式記憶體及64位元組的 EEPROM 資料記憶體,停電後資料仍可保存,適合存放校正值或設定參數。89C2051 屬8051相容晶片,內部為 Flash 程式記憶體與 RAM,沒有 EEPROM 資料記憶體;EM78447 與80C196KC 亦非以內建 EEPROM 資料記憶體為特徵。