民國105年 第1梯次 11700 數位電子甲級 學科歷屆試題與答案，共 80 題可線上瀏覽，適合查詢考古題、題庫與解答。
在V . 32 數據機( M o d e m ) 規範中,下列哪一項是屬於資料壓縮規範? 1. M N P 2 2. M N P 5 3. M N P 4 4. M N P 3 。
答案：(2) M N P 5
解析：MNP 是數據機常用的錯誤控制與壓縮協定族。MNP4 主要提供錯誤偵測與重傳，屬於錯誤修正，並不負責資料壓縮；MNP5 則在 MNP4 的基礎上加入即時資料壓縮，可提高有效傳輸率。V.32 數據機常支援 MNP5，因此題目問資料壓縮規範時應選 MNP5。其餘 MNP 等級主要處理錯誤控制或較早期的傳輸機制，並非以壓縮為主要功能。
如下圖為一矽電晶體放大器,求其集極電流約為 1. 10 m A 2. 500 m A 3. 50 m A 4. 1000 m A 。
答案：(1) 10 m A
如下圖所示為N E 555 所構成的c l o c k 電路,其輸出振盪頻率約為何? 1. 28 . 8 K H z 2. 28 . 8 H z 3. 2 . 88 K H z 4. 288 H z 。
答案：(2) 28 . 8 H z
一般市面上所謂的“ 綠色電腦” 是指: 1. 具省電裝置且可回收再利用之電腦 2. 週邊設備是綠色的 3. 螢幕顯示是綠色的 4. 電腦螢幕是綠色的。
答案：(1) 具省電裝置且可回收再利用之電腦
解析：綠色電腦的核心概念是環境友善，包括省電設計、低污染製程、低噪音、減少有害物質、可回收與易拆解等。選項1同時涵蓋省電裝置與回收再利用，最符合綠色電腦的定義。周邊或螢幕外觀是綠色，只是顏色，與環保節能無關；螢幕顯示綠色也不是綠色電腦的判準。因此答案為1。
D R A M 的正常讀取週期中C A S 與R A S 的時序關係是 1. 只有C A S 動作R A S 不動作 2. C A S 先於R A S 3. R A S 先於C A S 4. C A S 與R A S 同時動作。
答案：(3) R A S 先於C A S
解析：DRAM 的列位址與行位址多工共用接腳。正常讀取時先送列位址並使 RAS 有效，將整列資料鎖存到感測放大器，再送行位址並使 CAS 有效，選出該列中的行資料輸出。因此時序關係是 RAS 先於 CAS。若 CAS 先於 RAS，列位址尚未建立，無法正確存取；兩者同時動作也不符合多工定址流程。答案為3。
當P C 個人電腦無法由A 及C 磁碟正常開機時,下列對於檢修方法敘述何者為錯? 1. 可以藉喇叭的嗶聲數來判斷故障原因 2. 可以藉由診斷軟體來檢修 3. C M O S S E T U P 有可能設定錯誤 4. 若電源風扇不轉動,可能是主機板有短路現象。
答案：(2) 可以藉由診斷軟體來檢修
解析：電腦無法由 A、C 磁碟開機時，作業系統與診斷軟體都尚未載入，因此不能靠診斷軟體進行檢修；此時應利用開機自我測試的嗶聲碼、檢查 CMOS 設定是否正確，並觀察電源風扇與主機板是否有短路等硬體問題。選項4所稱風扇不轉可能與主機板短路有關，屬於可能的硬體檢查方向。故錯誤者為2。
N 通道空乏型M O S F E T ,其閘源極間加上一負電壓( V G S <0 ) 時,則通道寬度 1. 不一定 2. 減少 3. 沒有變化 4. 加大。
答案：(2) 減少
解析：N 通道空乏型 MOSFET 在 VGS＝0 時已存在通道，屬於常開型；當閘源極加負電壓（VGS＜0）時，閘極電場會排斥通道中的電子，使通道載子減少、通道寬度變窄，導通電流下降；負壓越大，通道越窄，直到截止。若加正電壓才會吸引電子、使通道加寬。因此答案為2。
下列何種顯示器採用主動式顯示技術 1. S T N 2. D S T N 3. T F T 4. C R T 。
答案：(3) T F T
解析：TFT 是有源矩陣液晶顯示器，每個像素都配置薄膜電晶體作為開關，屬於主動式驅動，可提升對比、反應速度與視角。STN 與 DSTN 都是被動矩陣驅動，靠掃描電壓選通像素，反應較慢；CRT 是陰極射線管，並非液晶主動式顯示技術。因此採用主動式顯示技術者為 TFT，答案3。
下列何者對步進馬達的特點描述錯誤? 1. 步進馬達主軸所旋轉的角度和輸入的脈波數 ( p u l s e ) 成正比 2. 步進馬達內部會轉動的部分( r o t o r ) 為磁性材料構成 3. 步進馬達只要電源加上後,就會自己有保持力( h o l d i n g t o r q u e ) 4. 步進馬達沒有累積誤差,所以控制回路上需要回授( f e e d b a c k ) 。
答案：(4) 步進馬達沒有累積誤差,所以控制回路上需要回授( f e e d b a c k )
解析：步進馬達的轉角與輸入脈波數成正比，轉子由磁性材料構成，通電後可產生保持轉矩；它採開迴路控制，理論上不會累積誤差。正因為沒有累積誤差，一般不需要位置回授，若再加編碼器回授則屬閉迴路控制。選項4把「沒有累積誤差」推論成「需要回授」，前後矛盾，因此錯誤者為4。
於個人電腦P C 系統中,“ 31 / 2 吋” 的2 H D 的磁片,其規格應為 1. 2. 48 T P I / 40 T r a c k s 3. 135 T P I / 80 T r a c k s 4. 96 T P I / 80 T r a c k s 。
下列何者不是組成U S B 匯流排主要層( l a y e r ) 1. 鏈結層( l i n k l a y e r ) 2. 實體層( p h y s i c a l l a y e r ) 3. 傳輸層( t r a n s a c t i o n l a y e r ) 4. 網路層( n e t w o r k ) 。
答案：(4) 網路層( n e t w o r k )
解析：USB 匯流排的主要階層包括實體層、鏈結層與傳輸層：實體層負責電氣訊號與連接，鏈結層處理封包傳遞與錯誤偵測，傳輸層管理交易（transaction）。網路層是 OSI 或 TCP/IP 架構中的概念，並非 USB 匯流排的主要層級。因此不是 USB 主要層的是網路層，答案4。
有關C E 、C B 、C C 電路特色的比較,下面的敘述哪一個不正確? 1. C C 電路的輸入阻抗最大 2. C C 電路的電壓增益最小 3. C B 電流的增益最小 4. C E 電路的電壓增益比C B 大。
答案：(4) C E 電路的電壓增益比C B 大
解析：三種組態的典型特性：CC（共集極）的輸入阻抗最大，約為 rπ+(1+β)RE；電壓增益最小，約等於 1 且與輸入同相。CB（共基極）的電流增益為 α=hfb，小於 1，是三種組態中最小。CE（共射極）與 CB 的電壓增益大小其實相當，都約為 gm·RC（CE 反相、CB 同相），因此不能說 CE 的電壓增益一定比 CB 大，故第 4 項敘述不正確。
下面哪一種不是多媒體電腦的硬體基本配備要求? 1. 快速的C P U 執行速度 2. 光碟機 3. U N I X 的作業系統 4. 大容量的R A M (例如8 M B 或以上)。
答案：(3) U N I X 的作業系統
解析：多媒體電腦的硬體基本要求包括：執行速度快的 CPU、大容量 RAM（早期要求 8 MB 以上）、光碟機、音效卡與足夠的儲存空間等，才能處理聲音、影像與動畫等大量資料。作業系統屬於軟體，可採用 Windows、Linux 或 UNIX 等，並非硬體配備項目，也不是多媒體功能的必要條件，故選 UNIX 作業系統。
交流矽控閘流體( T R I A C ) 的相移觸發電路常採用 1. R L 2. R C 3. L C 4. R L C 組件。
答案：(2) R C
解析：TRIAC 的相移觸發電路常採用 RC 相移電路：利用可變電阻 R 與電容 C 構成的充電時間常數 τ=RC，調整電容電壓落後電源電壓的相角；當電容電壓上升到觸發準位（常經 DIAC）時，TRIAC 導通，改變導通角即可調節負載功率。RL 相移較常見於單向 SCR 的觸發，LC 諧振與 RLC 組合在此並非常用的相移方式。
有關電場與磁場之描述,下列何者不正確? 1. 電力線愈密,則電場強度愈強 2. 電場與磁場同屬於超距力 3. 電力線由正電荷出發,進入負電荷,再由負電荷回到正電荷,形成一閉合環路 4. 單位電荷所受之靜電力稱為電場強度。
答案：(3) 電力線由正電荷出發,進入負電荷,再由負電荷回到正電荷,形成一閉合環路
解析：電力線由正電荷出發、終止於負電荷，並非封閉環路；真正會閉合成環的是磁力線，因為磁場沒有起點與終點。電力線愈密代表電場強度愈強；單位正電荷所受的靜電力定義為電場強度；電場與磁場都不需接觸即能作用，同屬超距力。因此第 1、2、4 項正確，第 3 項敘述錯誤。
如下圖所示,A 、B 兩端之間的等效電阻為多少?(圖中電阻的單位均為Ω ) 1. (3 / 2 )+ / 2 Ω 2. 2 + / 2 Ω 3. 2 + / 2 Ω 4. 1 + Ω 。
答案：(4) 1 + Ω
頻率在30 M H z ~300 M H z 之電磁波是屬於下列何者之範圍? 1. 微波 2. U H F 3. V H F 4. S H F 。
答案：(3) V H F
解析：電磁波頻段劃分：VHF（特高頻）為 30 MHz～300 MHz，對應波長 1～10 m；UHF（超高頻）為 300 MHz～3 GHz；SHF（極高頻）為 3～30 GHz；微波一般指 1 GHz 以上的頻段。因此 30 MHz～300 MHz 正好落在 VHF 範圍，故選 VHF。
分電盤的開關操作順序應為? 1. 先切換總開關,再切換分路開關 2. 只需切換總開關 3. 先切分路開關,再切總開關 4. 不需切換任何開關。
答案：(3) 先切分路開關,再切總開關
解析：停電或切離負載時，應先切分路開關、再切總開關，讓各分路負載先各自斷電，避免用總開關一次切斷全部負載電流而產生大電弧、燒損接點；送電時順序相反，先合總開關，再依序合上各分路開關。故本題所指的操作順序為先切分路開關、再切總開關。
基本邏輯閘中何種閘具有“ 所有輸入都是0 時,輸出才為1 ” 的特性 1. O R 閘 2. N A N D 閘 3. A N D 閘 4. N O R 閘。
答案：(4) N O R 閘
解析：NOR 閘是 OR 閘再加反相器：只要任一輸入為 1，OR 輸出為 1，NOR 輸出即為 0；唯有所有輸入皆為 0 時，OR 輸出 0，NOR 才輸出 1，符合題意。AND 閘是全部輸入為 1 才輸出 1；NAND 閘是全部輸入為 1 才輸出 0；OR 閘是任一輸入為 1 即輸出 1。
微電腦每一個微運算( M i c r o - o p e r a t i o n ) 之執行,其控制信號是由控制器與下面何者輸出 1. 順序器 2. 程式計數器 3. 位址暫存器 4. 指令暫存器。
答案：(1) 順序器
解析：微運算的執行由控制單元產生控制信號，控制單元包含指令解碼器與順序器（時序電路），順序器依時序脈波與運算步驟產生各步微運算所需的控制信號。程式計數器提供下一道指令的位址，位址暫存器存放記憶體位址，指令暫存器存放待解碼的指令，三者本身都不輸出控制信號。
若二極體兩端電壓為V d ,通過之電流為I d ,而I o 為其逆向飽和電流,另外η 為材質常 數,k 為波茲曼常數,T 為接合面之絕對溫度,e 為自然對數的底,V t 為溫度的伏特當量, 則下列敘述何者正確? 1. I d =I o × ( e / ( e ) -1 ),V t =k T / q 2. I d =I o +V d / V t,V t =q k T 3. I d =I o × e / ( e ) ,V t =q k T 4. I d =η × e / V t × ( I o -1 ) ,V t =k T / q 。
答案：(1) I d =I o × ( e / ( e ) -1 ),V t =k T / q
解析：二極體的特性方程式為 Id = Io × [e^(Vd/(ηVt)) − 1]，其中 Io 為逆向飽和電流、η 為材質常數（理想因子）、Vt 為溫度電壓當量。由熱電壓定義可知 Vt = kT/q，q 為電子電荷；在室溫 300 K 時約為 26 mV。選項1的 Vt = kT/q 在量綱與物理意義上都正確，且 Id 以 Io 乘以指數項再減 1 的形式表示，符合二極體在順偏、逆偏的邊界行為。選項2、3把 Vt 寫成 qkT，電荷量綱多乘一次，數值與單位都不對；選項4的 η×e/Vt×(Io−1) 也不符方程式結構。
若以示波器做李賽育氏圖形觀測時,其顯示圖形如下圖所示,已知水平輸入信號為f h = 5 s i n ( ω t ),則垂直輸入信號應為f v = 1. 5 s i n ( ω t + 90 ° ) 2. 5 s i n ( ω t ) 3. 5 s i n ( 2 ω t + 90 ° ) 4. 5 s i n ( 2 ω t ) 。
答案：(3) 5 s i n ( 2 ω t + 90 ° )
下面那一項因素不會影響P C 主機系統的功能? 1. C P U 所提供的指令集 2. C P U C l o c k 的頻率 3. 印表機和磁碟機的數量 4. C P U 主記憶體的容量。
答案：(3) 印表機和磁碟機的數量
解析：PC 主機的系統功能與效能主要由核心硬體決定：CPU 指令集決定可執行的指令種類與軟體相容性；CPU 時脈頻率影響每秒執行週期數；主記憶體容量影響可同時載入的程式與資料量，三者都會直接改變系統的處理能力。印表機、磁碟機屬於周邊設備，增減其數量只是擴充周邊連接，並不會改變主機本身的運算功能與架構，因此對系統功能影響最小。
下列何者不是M P E G ( m o v i n g p i c t u r e e x p e r t s g r o u p ) ) 的影像輸入信號 1. I 影像 2. Y 信號 3. P 影像 4. B 影像。
答案：(2) Y 信號
解析：MPEG 視訊壓縮利用畫面間的時間相關性，把影像分成 I 影像（intra，幀內編碼，可獨立解碼）、P 影像（predictive，向前預測）與 B 影像（bidirectional，雙向預測）三種圖框型態，三者構成 GOP 結構。Y 信號則是亮度（luminance）分量，與 Cb、Cr 色差信號同屬色彩空間的取樣分量，並不是 MPEG 的影像圖框種類，因此不屬於影像輸入信號的分類。
在烙鐵頭之尖端鍍錫,應於烙鐵頭的溫度為下列何種溫度時進行? 1. 不須鍍錫 2. 最高時 3. 銲錫熔點時之溫度 4. 任何溫度。
答案：(3) 銲錫熔點時之溫度
解析：烙鐵頭尖端鍍錫的目的是防止銅頭氧化並保持沾錫性。操作時應先把烙鐵加熱到足以讓銲錫熔化的溫度（即銲錫熔點附近）再上錫，此時錫能附著成薄層而不至於燒焦。若在最高溫時才鍍錫，烙鐵頭表面會快速氧化變黑，錫不易附著，且高溫也會加速頭部腐蝕與助焊劑碳化；完全不鍍錫則失去保護作用。因此選在銲錫熔點溫度時進行最恰当。
微處理機指令中的p u s h ,p o p ,n o p ,h l t 等是屬於 1. 二位指令 2. 零位指令 3. 多位指令 4. 一位指令。
答案：(2) 零位指令
解析：指令依所需運算元（operand）數目可分為零位、一位、二位等格式。push、pop 的運算元隱含在堆疊指標所指位置，nop 不做任何運算，hlt 停止處理器，四者皆不需在指令中明列運算元，因此歸類為零位指令（zero-address instruction）。一位指令如 INC A、二位指令如 MOV A,B 才需在指令碼中指定運算元，與本題指令性質不同。
有一白金材料做的電阻性溫度偵測器( R T D ) 其電阻係數( α ) = 0 . 004 ,在0°C時的電阻為150 Ω ,可推算出在100 °C時,其電阻為 1. 180 Ω 2. 210 Ω 3. 200 Ω 4. 190 Ω 。
答案：(2) 210 Ω
解析：白金 RTD 的電阻與溫度關係式為 R = R0 × (1 + αΔT)，其中 R0 = 150 Ω、α = 0.004 /°C、ΔT = 100 − 0 = 100 °C。代入得 R = 150 × (1 + 0.004 × 100) = 150 × 1.4 = 210 Ω。此結果也可理解為每升溫 1 °C 增加 0.4 %，100 °C 共增加 40 %，即 150 × 0.4 = 60 Ω，150 + 60 = 210 Ω，與選項2相符。
如下圖為一交流電橋,當電橋平衡時,己知R 1 = 2 Ω,R 2 = 100 Ω,R 3 = 40 Ω,C = 20 μ F , 試求R 及L 1. 200 Ω ,8 H 2. 250 Ω ,0 . 08 H 3. 2000 Ω ,0 . 08 H 4. 8 Ω ,20 H 。
答案：(3) 2000 Ω ,0 . 08 H
太陽能電池係利用下列何種效應而產生? 1. 光電放射效應 2. 光耦合效應 3. 光電伏打效應 4. 熱電效應。
答案：(3) 光電伏打效應
解析：太陽能電池是以半導體 PN 接面吸收光子後產生電子電洞對，接面內建電場把電荷分離，於兩端形成電位差並可對外供電，此即光電伏打效應（photovoltaic effect），又稱太陽能電池效應。光電放射效應是光照射金屬表面放出電子（光電效應）；光耦合效應是藉光傳遞信號達成電氣隔離；熱電效應是溫差產生電動勢，三者皆非太陽能電池的發電原理。
佛來銘右手定則中,大姆指代表 1. 電流 2. 導線 3. 磁場 4. 感應電動勢的運動方向。
答案：(2) 導線
一個輸出10 W 的功率放大器,工作於10 H z 至30 K H z 的頻率範圍,吾人欲測其頻率響應 特性,以V T V M 再配合使用下列何種儀表為宜? 1. R F 信號產生器 2. 脈波信號產生器 3. 掃瞄信號產生器 4. 音頻信號產生器。
答案：(4) 音頻信號產生器
解析：功率放大器工作頻率10Hz～30kHz屬音頻範圍。測頻率響應時以VTVM測量各頻率點的輸出電壓，需搭配能產生此頻段連續正弦信號的儀器。音頻信號產生器（AF generator）專門輸出音頻正弦測試信號，配合VTVM逐點量測輸出電壓即可繪出頻率響應曲線。RF信號產生器輸出射頻過高不適用；脈波產生器產生數位脈波，不宜量測連續正弦響應；掃瞄信號產生器多用於高頻/視頻電路掃頻，音頻段仍以音頻信號產生器為宜。
如下圖所示電路,有一6 V 之電源電壓,內阻為0 . 1 Ω,跨接於A、D 兩端上,求此電路吸 收最大功率之R 值,並求其電源吸收的最大功率為 1. 5 Ω ,60 W 2. 2 Ω ,50 W 3. 1 Ω ,40 W 4. 0 . 1 Ω ,90 W 。
答案：(4) 0 . 1 Ω ,90 W
布林代數( A + B ) ( A + C ) 的最簡式為 1. A + B 2. B + A C 3. A + B C 4. A ( B + C ) 。
答案：(3) A + B C
解析：利用布林代數分配律與吸收律展開：(A+B)(A+C)=A·A+A·C+B·A+B·C。因A·A=A，得A+AC+AB+BC；提出A：A(1+C+B)+BC。在OR運算中1+X=1，故A·1=A，化簡結果為A+BC。亦可從重疊定理理解：兩個AND項有共同變數A，結果為A加上其餘項之積BC。選項1、2、4均未含BC項，不完整，正確為選項3。
堆疊器的操作特性是 1. F I L O 2. L I L O 3. L I F O 4. F I F O 。
答案：(1) F I L O
如下圖電路發生故障,使用三用電表量測電晶體各極的電壓,V = 12 V,V = 0 V ,V = 3 . 75 V ,若確定電阻器均為正常,則其故障原因可能為電晶體 1. B E 短路 2. C E 斷路 3. C E 短路 4. B E 斷路。
答案：(4) B E 斷路
如下圖所示為單穩態電路,則其時間常數約為 1. 1 . 1 秒 2. 0 . 5 秒 3. 0 . 1 秒 4.
一個12 位元的數位類比轉換器( D A C ) 中,其解析度為何? 1. 0 . 0244 % 2. 0 . 0122 % 3. 0 . 4095 % 4. 0 . 1024 % 。
答案：(1) 0 . 0244 %
解析：n位元DAC的解析度定義為最小可分辨階梯（1 LSB）相對於滿刻度（FS）的百分比。公式：解析度＝1/(2ⁿ−1)×100%。本題n=12，2¹²=4096，故解析度=1/4095×100%≈0.02442%，約0.0244%。若以1/2ⁿ估算亦為1/4096≈0.02441%，四捨五入同為0.0244%。選項2、3、4數值均不符，正確為選項1。
下面哪一項不包括在D M A 的結構中? 1. 位址暫存器 2. 字數計數器 3. 累積器 4. 資料緩衝暫存器。
答案：(3) 累積器
解析：DMA（直接記憶體存取）控制器內部主要包含：位址暫存器（存放記憶體位址）、字數計數器（記錄傳輸筆數）、資料緩衝暫存器（暫存傳輸資料），以及控制/狀態暫存器，用於CPU釋出匯流排時自行搬移資料。累積器（accumulator）是CPU內部的算術邏輯運算暫存器，不屬於DMA硬體結構，故選項3不包括在內。
在C + + 程式語言與C 語言中,下列何者不為C 語言所具備的關鍵字? 1. r e t u r n 2. c l a s s 3. w h i l e 4. s t r u c t 。
答案：(2) c l a s s
解析：C語言的關鍵字包含return（函式回傳）、while（迴圈）、struct（結構）等。class是用於定義類別的關鍵字，屬C++（物件導向）所新增，標準C語言並不具備class關鍵字；在C中定義群集資料使用struct而非class。因此選項2不為C語言所具備，符合題意所問「不為C語言所具備的關鍵字」。
氣泡式排序法( B u b b l e s o r t ) 對N 筆資料,其時間複雜度最多要花 1. N 2. N l o g N 3. N 4. l o g N 。
答案：(1) N
B A S I C 語言中,執行下列程式其印出結果為X = 1. 9 2. 12 3. 3 4. 6 。
答案：(3) 3
在運算放大器零位檢知電路中,輸入信號在下列哪一種情況下會使輸出電壓轉態? 1. 零交叉點時 2. 改變率為零時 3. 正值時 4. 負值時。
答案：(1) 零交叉點時
解析：零位檢知電路即零交越偵測器（zero crossing detector），由運算放大器構成開迴路比較器，參考電壓設為 0V。當輸入信號由正變負或由負變正穿過 0V 的瞬間（零交叉點），放大器因極高開迴路增益，輸出立即由正飽和翻轉為負飽和（或相反），產生轉態。選項2「改變率為零」對應波峰或波谷，雖斜率為零但電壓未過零，不觸發；選項3、4僅表示電壓為正或負，只要未達過零點便不會轉態，故唯有零交叉點才正確。
V H D L 語言中,s i g n a l s 函數的屬性( c l k ' E V E N T A N D c l k = ' 1 ' ) 代表c l k 1. 下降邊緣 2. 上升邊緣 3. 一直處於低電位 4. 一直處於高電位。
答案：(2) 上升邊緣
解析：VHDL 中 clk'EVENT 表示 clk 信號在此模擬時間點發生變化（有事件），clk='1' 表示變化後 clk 的值為邏輯 1。兩條件同時成立代表 clk 由先前的 '0' 變為 '1'，即上升邊緣（rising edge）觸發，是常見的邊緣偵測寫法。若為下降邊緣應寫成 clk'EVENT AND clk='0'。選項3、4描述的是準位狀態而非「變化事件」，clk'EVENT 強調的是邊緣跳變而非維持在某電位，故不符，正確為上升邊緣。
若使用直流電壓檔S = 20 K Ω / V 之三用電表測試如下圖之電路時,會因為電表的內阻而影響 電壓值較大的是以下哪種情況? 1. D C 3 V 檔量測電晶體基極電壓 2. D C 30 V 檔量測+B 電壓 3. D C 3 V 檔量測電晶體射極電壓 4. D C
答案：(1) D C 3 V 檔量測電晶體基極電壓
己知-U J T 馳張振盪器,理論上若將U J T 的B 1 與B 2 腳對調則 1. U J T 將被燒毀 2. 振盪頻率不變 3. 各點之輸出波形變成負電壓 4. η 值會被改變。
答案：(4) η 值會被改變
解析：UJT（單接面電晶體）兩基極間可分為 RB1（基極1至射極通道）與 RB2，本質隔離比 η＝RB1／（RB1＋RB2）。B1、B2 在結構上不對稱，RB1≠RB2。將 B1 與 B2 腳對調後，電路等效的 RB1、RB2 互換，η 值因而改變，振盪頻率 f≈1／（RC·ln(1／(1−η))）也隨之改變。UJT 僅為電阻性端子，對調不會燒毀；波形極性視接法而定，非必然變負，故選4正確。
B A S I C 語言中,執行下列程式其印出結果為X + Y + Z = 1. 132 2. 96 3. 46 4. 64 。
答案：(1) 132
下圖為何種感測器之電路符號? 1. 光耦合器 2. 光遮斷器 3. 光反射器 4. 光電晶體。
答案：(2) 光遮斷器
如下圖所示電路之截止( C r i t i c a l ) 頻率為 1. 512 H z 2. 159 H z 3. 1 , 024 H z 4. 318 H z 。
答案：(4) 318 H z
保存C P U 目前狀態的暫存器通稱為 1. A C C 2. S P 3. P C 4. P S W 。
答案：(4) P S W
解析：在微處理器架構中，PSW（Program Status Word，程式狀態字組）用以保存 CPU 目前的運作狀態，包含進位（CY）、零（Z）、符號（S）、輔助進位（AC）、奇偶（P）等旗號，以及中斷允許等控制位元。ACC 為累加器，存放運算主要操作數；SP 為堆疊指標，指向堆疊頂端位址；PC 為程式計數器，存放下一指令位址。三者皆非保存整體狀態之暫存器，故保存目前狀態者為 PSW。
開集極( O p e n C o l l e c t o r ) T T L 1. 輸入端要接電阻到電源最低電壓 2. 輸出端要接電阻到電源最高電壓 3. 輸入端要接電阻到電源最高電壓 4. 輸出端要接電阻到電源最低電壓。
答案：(2) 輸出端要接電阻到電源最高電壓
解析：開集極（Open Collector）TTL 的輸出級電晶體集極未接內部提升電阻，輸出端呈浮接狀態，必須外接提升電阻（pull-up resistor）連接至電源最高電壓 VCC，才能在高態時將輸出拉高，低態時由電晶體導通接地。輸入端依 TTL 規範處理，不需外接到 VCC；若將電阻接至電源最低電壓（接地）則無法產生高準位輸出。故正確為輸出端接電阻到電源最高電壓，選2。
在組合語言程式中,下列何者會影響到堆疊的狀態 1. A D D A , R 0 2. M O V R 0 , # 30 H 3. R E T 4. L J M P L A B E L 1 。
答案：(3) R E T
解析：堆疊指標 SP 所指的堆疊內容，只有在 PUSH、POP、CALL、RET 及中斷／返回等指令執行時才會變動。RET 會從堆疊頂端彈出先前 CALL 存入的返回位址並載入 PC，同時使 SP 復原，堆疊狀態確實改變。ADD A,R0 只影響累加器與旗標；MOV R0,#30H 是立即值搬入暫存器；LJMP 只把目標位址載入 PC，三者皆未存取堆疊。
如下圖所示電路,電晶體Q 1 的作用為何? 1. Q 1 可以提升電路的輸入阻抗 2. Q 1 與Q 2 形成串級放大 3. Q 1 作為溫度補償 4. Q 1 與Q 2 形成達靈頓電路。
答案：(3) Q 1 作為溫度補償
如下圖所示電路,當電容器充滿後,其電容器儲存電荷為 1. 100 微庫倫 2. 60 微庫倫 3. 50 微庫倫 4. 80 微庫倫。
答案：(3) 50 微庫倫
檢修類比電路時,使用下列何種儀器較適合 1. I C E 2. 頻率計數器 3. 邏輯分析儀 4. 示波器。
答案：(4) 示波器
解析：類比電路處理連續變化的電壓、電流信號，檢修時須觀察波形、振幅、失真、雜訊與時域特性，示波器（oscilloscope）最能直接顯示此類連續信號資訊。邏輯分析儀與 ICE（線上電路模擬器）主要針對數位邏輯位準與微處理器匯流排時序；頻率計數器僅能量測頻率，無法呈現波形細節。故類比電路檢修以示波器最為適合，選4。
執行下列組合語言程式後,“ 零” 旗號及“ 進位” 旗號各將被設置為 1. 0 及0 2. 1 及0 3. 1 及1 4. 0 及1 。
答案：(2) 1 及0
電腦在處理資料時,發現除數為零時,所要求的中斷是由下列何者所提出 1. 控制單元 2. 運算單元 3. 記憶單元 4. 週邊單元。
答案：(2) 運算單元
解析：除以零是 CPU 在執行除法指令時發現的運算異常，由運算單元（ALU）判斷除數為 0 後向控制單元提出中斷請求，因此中斷來源是運算單元。控制單元負責指令解碼與協調各單元，並不實際執行算術判斷；記憶單元只管資料存取，週邊單元則處理輸出入，都不會偵測除數為零。
二進制的1 . 011 等於十進制的 1. 1 . 125 2. 1 . 325 3. 1 . 175 4. 1 . 375 。
答案：(4) 1 . 375
解析：二進位小數的位權由小數點後依序為 2⁻¹＝0.5、2⁻²＝0.25、2⁻³＝0.125。將 1.011 展開：1×2⁰＋0×2⁻¹＋1×2⁻²＋1×2⁻³＝1＋0＋0.25＋0.125＝1.375，所以等於十進制的 1.375。
示波器的測試棒標示為10:1,若螢光幕上顯示為10 K H z 之正弦波,則實際頻率為 1. 10 K H z 2. 100 K H z 3. 1 K H z 4. 1000 K H z 。
答案：(1) 10 K H z
解析：10:1 測試棒是將輸入訊號電壓衰減為原本的十分之一再送入示波器，只改變振幅，不改變頻率。示波器時基顯示 10 kHz，代表實際訊號頻率仍是 10 kHz。若誤以為比例會影響頻率而換算成 1 kHz 或 100 kHz，是把電壓衰減與頻率混為一談。
個人電腦上所使用的中央處理器( C P U ) ,所內建的記憶體為何 1. E D O - D R A M 2. S R A M 3. S D R A M 4. D D R - R A M 。
答案：(2) S R A M
解析：CPU 內建的是 SRAM，用作暫存器、快取記憶體等，特色是速度快、不需刷新，可與 CPU 時脈配合。EDO-DRAM、SDRAM、DDR-RAM 都屬於動態隨機存取記憶體，需要週期性刷新，通常作為主機板上的主記憶體，而非整合在 CPU 內的核心記憶體。
編號41256 的D R A M 位址線應為多少條? 1. 19 條 2. 8 條 3. 9 條 4. 18 條。
答案：(3) 9 條
若使用混合參數作電晶體小訊號分析,下列敘述何者正確? 1. h r 表示輸入端短路時之逆向電壓增益 2. h i 表示輸出端短路時之輸入阻抗 3. h o 表示輸入端開路時之輸出阻抗 4. h f 表示輸出端短路時之順向電流增益。
答案：(2) h i 表示輸出端短路時之輸入阻抗、(4) h f 表示輸出端短路時之順向電流增益
解析：混合參數定義為：hᵢ 是輸出端短路（V₂＝0）時的輸入阻抗；h_f 是輸出端短路時的順向電流增益；h_r 是輸入端開路（I₁＝0）時的逆向電壓增益；h_o 是輸入端開路時的輸出導納。故第 2、4 項正確。第 1 項應為輸入端開路而非短路；第 3 項 h_o 是導納，不是阻抗。
一般對R A M 與R O M 而言,下列敘述何者正確? 1. R A M 的資料可以改變 2. 停電時,R A M 的資料還在 3. 停電時,R O M 的資料還在 4. F l a s h R O M 的資料不可改變。
答案：(1) R A M 的資料可以改變、(3) 停電時,R O M 的資料還在
解析：RAM 為隨機存取記憶體，正常操作下可讀可寫，資料能隨時更改，因此選項1正確；但它通常屬於揮發性記憶體，停電後資料會消失，選項2錯誤。ROM 為唯讀記憶體，電源移除後內容仍可保存，選項3正確。Flash ROM 屬於可電抹除、可再寫入的非揮發性記憶體，資料並非不可改變，選項4錯誤。故本題正確為1、3。
如下圖所示電路,下列敘述何者正確? 1. I 1 = 0 . 833 m A 2. V 2 節點的克希荷夫電流的方程式為 3. I 4 = 2 m A 4. V 2 = V 。
答案：(2) V 2 節點的克希荷夫電流的方程式為、(4) V 2 = V
關於M S C - 51 之內部架構,下列敘述何者正確? 1. 一個串列通訊界面 2. 三組I / O P o r t 3. 89105 數位電子甲 8 - 7 ( 序001 ) S 51 C P U 內部程式記憶體為4 K B 4. 兩組8 B i t 計時計數器。
答案：(1) 一個串列通訊界面、(3) 89105 數位電子甲 8 - 7 ( 序001 ) S 51 C P U 內部程式記憶體為4 K B
解析：MSC-51（8051 系列）內部有一個串列通訊界面、四組 8 位元 I/O 埠（P0～P3）、兩個 16 位元計時／計數器，而 89S51 內建 4 KB 快閃程式記憶體。因此第 1、3 項正確；第 2 項應為四組而非三組，第 4 項計時器為 16 位元而非 8 位元。
有關工具的使用,下列敘述何者正確? 1. 一般螺絲起子可用來鎖緊或鬆開螺絲及調整線圈電感量 2. 斜口鉗又稱剪線鉗,用來剪斷電線、剝除導線外皮 3. 可用電烙鐵剝除導線外皮 4. 尖嘴鉗夾上零件腳再焊接可防止焊接之零件過熱。
答案：(2) 斜口鉗又稱剪線鉗,用來剪斷電線、剝除導線外皮、(4) 尖嘴鉗夾上零件腳再焊接可防止焊接之零件過熱
解析：斜口鉗又稱剪線鉗，可剪斷導線並剝除絕緣外皮；尖嘴鉗夾住零件腳再焊接，可幫助導熱、避免零件因過熱損壞，故第 2、4 項正確。一般螺絲起子只用於鎖緊或鬆開螺絲，調整線圈電感量須用非金屬調整棒，以免影響電感值；電烙鐵用於加熱焊接，不能用來剝除導線外皮。
有關示波器之敘述,下列何者正確? 1. 示波器能一次擷取及顯示幾百個訊號 2. 邏輯分析儀與示波器皆可以水平狀軸為時間、垂直軸為電壓振幅 3. 示波器使用狀態序列進行觸發,來查看系統中的信號 4. 示波器適合用來查看信號的細微電壓變化。
答案：(2) 邏輯分析儀與示波器皆可以水平狀軸為時間、垂直軸為電壓振幅、(4) 示波器適合用來查看信號的細微電壓變化
解析：示波器一般只有2～4個通道，無法一次擷取數百個信號；能同時顯示大量通道、追蹤匯流排的是邏輯分析儀，故1錯。示波器與邏輯分析儀都以水平軸表示時間，垂直軸表示電壓準位（邏輯分析儀再把電壓判讀成0/1狀態），故2對。狀態序列（state）觸發是邏輯分析儀依時脈取樣、記錄匯流排狀態的功能；示波器多用邊緣、脈波寬度、視訊等觸發，故3錯。示波器垂直檔位可細到mV/div，解析度高，適合觀察漣波、雜訊等細微電壓變化，故4對。
電晶體放大電路中,下列何者是影響低頻響應的主要原因? 1. 極間電容 2. 射極旁路電容 3. 交連電容 4. 雜散電容。
答案：(2) 射極旁路電容、(3) 交連電容
解析：電容的容抗為 Xc＝1/(2πfC)，頻率越低容抗越大。交連（耦合）電容與射極旁路電容的容量較大（通常為 μF 級），在低頻時容抗明顯上升，使訊號在傳遞與旁路上產生衰減與相位移，故為影響低頻響應的主因。極間電容與雜散電容容量極小（pF 級），在低頻時容抗仍非常高，影響輕微，其主要作用是高頻時分流、造成高頻增益下降。故選 2、3。
如下圖所示電路,v ( t ) = 10 s i n ( t ) V 、M = 0 . 5 H ,下列敘述何者正確? 1. 平均功率P = 16 W 2. 視在功率S = 10 V A 3. 電流均方根I = 2 A 4. 功率因數P F = 0 . 8 。
答案：(1) 平均功率P = 16 W、(3) 電流均方根I = 2 A、(4) 功率因數P F = 0 . 8
依據電氣安全規範,下列敘述何者正確? 1. 發現有人觸電時,應先施以急救,再將電源切斷 2. 危險的電器設備應有安全標誌 3. 拔掉電器插頭時,應握住插頭處或握住電線直接拉拔 4. 手足潮濕,不可觸碰或操作電氣設備。
答案：(2) 危險的電器設備應有安全標誌、(4) 手足潮濕,不可觸碰或操作電氣設備
解析：依電氣安全規範，發現有人觸電時必須「先斷電、後急救」：先切斷電源開關，或以絕緣乾燥物體使傷者脫離電源，確認安全後才施以急救，否則施救者也會觸電，故1錯。危險的電器設備（如高壓、帶電端子）應設置明顯的安全標誌與警告，故2對。拔插頭時應握住插頭本體拔出，不可拉扯電線，以免線芯斷裂、接頭鬆動而發熱或短路，故3錯。水會導電，且手足潮濕時人體電阻大幅下降，通過人體的電流變大，故不可觸碰或操作電氣設備，4對。
螺絲鎖緊作業時,下列敘述何者錯誤? 1. 螺絲牙應露出1 牙以內 2. 螺絲牙應露出1 . 5 ~5 牙之間 3. 應平整不可露出 4. 螺絲牙應露出10 牙以上。
答案：(1) 螺絲牙應露出1 牙以內、(3) 應平整不可露出、(4) 螺絲牙應露出10 牙以上
解析：螺絲鎖緊後，螺紋露出的長度一般以1.5～5牙（實務上約2～3牙）為宜：露出太少無法確認螺紋已完全咬合、也容易滑牙；露出太多則會突出傷人、刮傷線路或造成短路、妨礙組裝。選項2的1.5～5牙符合規範，敘述正確。選項1「1牙以內」與選項3「平整不可露出」都太短，無法確認鎖緊程度；選項4「10牙以上」則明顯過長。題目問何者錯誤，故選1、3、4。
下列為C 語言程式片段,當變數v 之數值為0 × 100 ( 表示為v = 0 × 100 ),下列何者正確? 1. * v [ 0 ] [ 0 ] = 0 × 100 2. & v [ 0 ] [ 0 ] = 0 × 100 3. * * v = 1 4. v [ 0 ] [ 0 ] = 0 × 100 。
答案：(2) & v [ 0 ] [ 0 ] = 0 × 100、(3) * * v = 1
解析：v 為二維陣列，陣列名稱會衰減成指向第0列的指標，其值就是第一個元素的位址，所以 &v[0][0] 等於 v，即 0x100，故2正確。*v 代表第0列，再取一次 * 即 **v，等於 v[0][0]；由選項3的結果可知該元素初值為1，故 **v = 1，3正確。v[0][0] 是元素「內容」（1），並非位址，故4錯；*v[0][0] 是對整數值再做指標運算，語法不合法，故1錯。
可變電阻因電阻值分佈不同,可分為A 、B 、C 、D 等四種,其電阻值大小與旋轉角度的關 係,下列的敘述何者正確? 1. B 為對數型 2. A 為線性變化 3. C 為逆對數型 4. D 為對數型。
答案：(3) C 為逆對數型、(4) D 為對數型
有關強生(J o h n s o n )計數器的特性,下列敘述何者正確? 1. 計數狀態中,0 與1 是間續的 2. 狀態數( 模數) 為正反器的2 倍 3. 從最後一級的Q 輸出端,接回到第一個正反器的輸入端 4. 計數器初始值為0 。
答案：(2) 狀態數( 模數) 為正反器的2 倍、(4) 計數器初始值為0
解析：強生計數器（Johnson counter）又稱扭環計數器，由n個正反器串接，並把最後一級的反相輸出 Q̄ 接回第一級的D輸入，故3錯（接Q輸出的是環形計數器）。因採Q̄回授，n個正反器可跑出2n個狀態，模數為正反器數的2倍，2對。計數序列如0000→1000→1100→1110→1111→0111→0011→0001，0與1是連續成串出現，並非交替間續，1錯。電路通常先清除為全0，再由全0開始移位計數，故4對。
下列對溫度感測元件的敘述何者正確? 1. 感溫I C:A D 590,電壓與溫度成正比 2. 感溫半導體:L M 35 ,電流與溫度成正比 3. 白金感溫電阻:P T 100 ,0 °C時電阻等於100 歐姆 4. 熱電偶:電壓與溫度成正比。
答案：(3) 白金感溫電阻:P T 100 ,0 °C時電阻等於100 歐姆、(4) 熱電偶:電壓與溫度成正比
解析：AD590屬電流輸出型感溫IC，輸出電流與絕對溫度成正比（約1 µA/K），並非電壓與溫度成正比，故1錯。LM35屬電壓輸出型，輸出約10 mV/°C，電壓與攝氏溫度成正比，並非電流成正比，故2錯。PT100為白金測溫電阻，0°C時電阻值為100 Ω，具正溫度係數，故3對。熱電偶利用兩種異金屬接點產生熱電動勢（塞貝克效應），其輸出電壓與接點溫差約成正比，故4對。
下列何者為電力調節控制元件? 1. U J T 2. S C R 3. P U T 4. T R A I C 。
答案：(2) S C R、(4) T R A I C
解析：電力調節控制元件需能承受負載電流並控制輸出功率。SCR（矽控整流器）為單向閘流體，改變閘極觸發角即可調整導通期間，常用於直流功率控制；TRIAC（雙向矽控整流器）相當於兩顆SCR反並聯，可在交流正負半週導通，常用於調光、調溫、馬達轉速控制，故2、4正確。UJT（單接面電晶體）與PUT（程式單接面電晶體）都是觸發元件，負責產生弛張振盪的觸發脈波去驅動SCR，本身不承擔負載功率調節，故1、3不屬電力調節控制元件。
如下圖電路,W X Y Z = 1010、C r = 0,下列敘述何者正確? 1. L o a d = 0,C K 輸入時A B C D =1010 2. L o a d = 1,C K 輸入時A B C D =1010 3. L o a d = 0,C K 輸入時A B C D =0000 4. L o a d = 1 , C K 輸入時A B C D =0000 。
答案：(2) L o a d = 1,C K 輸入時A B C D =1010、(3) L o a d = 0,C K 輸入時A B C D =0000
C 語言程式中,變數名稱的命名規則,下列敘述何者正確? 1. 2 d o s 2. _ A M D 3. i n t e l _ 4 x 4. g o t o 。
答案：(2) _ A M D、(3) i n t e l _ 4 x
解析：C 語言識別字的命名規則為：第一個字元必須是英文字母或底線（_），不可為數字；其後的字元可為字母、數字或底線；且不得使用語言保留的關鍵字。選項 1 的「2dos」以數字開頭，編譯器會先把它當成數值常數解析，因此無法通過編譯；選項 4 的「goto」是 C 的關鍵字，已被語言保留，不能拿來當變數名稱。選項 2 的「_AMD」以底線開頭，選項 3 的「intel_4x」以字母開頭，且其後只含字母、數字與底線，兩者都符合規則。因此正確答案為 2、3。
使用M S C - 51 組合語言,若R 0 = 0 A 0 H ,D P T R = 0 A 0 H ,下列敘述何者正確? 1. M O V R 0 , # 10 H 將資料10 H 存入暫存器R 0 2. M O V R 0 , 10 H 將資料10 H 存入R 0 3. M O V X @ D P T R , # 10 H 將資料10 H 存入外部資料記憶體位址為A 0 H 4. M O V @ R 0 , # 10 H 將資料10 H 存入內部資料記憶體位址為A 0 H 。
答案：(1) M O V R 0 , # 10 H 將資料10 H 存入暫存器R 0、(4) M O V @ R 0 , # 10 H 將資料10 H 存入內部資料記憶體位址為A 0 H
解析：選項 1 的「MOV R0,#10H」使用立即定址，運算元前的 # 代表常數，因此會直接把 10H 載入 R0，正確。選項 2 的「MOV R0,10H」屬於直接定址，它會把內部 RAM 位址 10H 的內容載入 R0，而不是載入常數 10H，所以錯誤。選項 3 的「MOVX @DPTR,#10H」語法錯誤，因為 MOVX 不支援立即定址運算元。選項 4 的「MOV @R0,#10H」使用間接定址，此時 R0 的值 0A0H 就是間接位址，因此會把常數 10H 寫入內部資料記憶體的 A0H 位址，正確。故選 1、4。
對89 S 51 / 52 C P U 腳位的功能,下列敘述何者正確? 1. P O R T 0 有兩種功能:外部記憶體擴充時,當作資料匯流排(D 0 ~D7 )及位址匯流排(A 0 ~A7 ),當作一般I / O 使用,外部需要再接提升電阻 2. R S T :需輸入一個大於2 個機械週期( m a c h i n e c y c l e ) 的低電位脈衝, 才可以完成重置動作 3. P S E N:外部程式記憶體的致能脈波,每個機械週期會有2 個脈波 4. :接外部記憶體時,位址栓鎖致能的輸出脈波,脈波頻率為1 / 12 的石英晶體振盪頻率。
答案：(1) P O R T 0 有兩種功能:外部記憶體擴充時,當作資料匯流排(D 0 ~D7 )及位址匯流排(A 0 ~A7 ),當作一般I / O 使用,外部需要再接提升電阻、(3) P S E N:外部程式記憶體的致能脈波,每個機械週期會有2 個脈波
解析：PORT 0 在外部記憶體擴充時採多工方式，同時擔任低位址匯流排 A0～A7 與資料匯流排 D0～D7；當一般 I/O 使用時為開汲極輸出，須外接提升電阻，故 1 正確。RST 為高電位動作，需維持兩個機械週期以上的高電位脈衝才完成重置，2 說低電位是錯的。PSEN 為外部程式記憶體的致能脈波，每個機械週期會送出 2 個脈波，故 3 正確。ALE 為位址栓鎖致能輸出，其頻率為石英振盪頻率的 1/6，4 說 1/12 是錯的。故選 1、3。
當配置訊號線與交流電源線時,下列敘述何者正確? 1. 應將訊號線與交流電源線分開並個別用束線帶紮在一起 2. 訊號線宜採用隔離線並遠離交流電源線 3. 將訊號線與交流電源線分開並個別用單芯線紮在一起 4. 為整齊美觀應用束線帶將其紮在一起。
答案：(1) 應將訊號線與交流電源線分開並個別用束線帶紮在一起、(2) 訊號線宜採用隔離線並遠離交流電源線
解析：交流電源線通過較大電流，會產生電磁干擾與感應雜訊；訊號線若與它平行靠近，容易耦合到雜訊，造成訊號誤動作。因此訊號線宜採用隔離（遮蔽）線，並遠離交流電源線；兩類線路應分開配置，各自用束線帶綁紮，不可混綁在同一束內，以免感應雜訊並防止絕緣劣化造成危險。故 1、2 正確；3 以單芯線綑紮並非正確的施工方式；4 將訊號線與電源線綁在一起，反而會引入雜訊。故選 1、2。