民國101年 第4梯次 11500 儀表電子甲級 學科歷屆試題與答案，共 80 題可線上瀏覽，適合查詢考古題、題庫與解答。
使用類比式三用電表的交流電壓檔,量測一振幅為± 1 V 的方波時,電表的讀數為何? 1. 1 . 11 V 2. 2 V 3. 2 . 22 V 4. 1 V 。
答案：(1) 1 . 11 V
解析：類比式三用電表的交流電壓檔內部為整流電路，係依正弦波之波形因數校正，使讀數顯示正弦波有效值。其校正倍率為 1.11（正弦波波形因數 = π/(2√2) ≈ 1.11）。本題方波振幅 ±1V，全波整流後平均值為 1V（方波絕對值恆為 1V），電表依校正倍率顯示 1V × 1.11 ≈ 1.11V，故讀數約 1.11V。注意類比電表以正弦波為基準校正，量非正弦波時讀數為等效正弦有效值，並非方波真正有效值（方波真正有效值為 1V）。選項 4 為方波實際有效值但非電表讀數；選項 2、3 數值無對應依據。
勞力密集產業西移至大陸或東南亞是為了節省下列哪一種費用? 1. 管銷費用 2. 勞務費用 3. 材料費用 4. 製造費用。
答案：(2) 勞務費用
解析：勞力密集產業將產線西移至大陸或東南亞,主要目的在於利用當地較低廉之人力成本,以節省勞務費用(工資)。管銷費用、材料費用、製造費用並非此類產業外移之主要節省對象。故選項2(勞務費用)為正確答案。
記憶體I C 中,以" 元/ b i t " 來計算,何者價格最高? 1. S R A M 2. E E P R O M 3. D R A M 4. E P R O M 。
答案：(2) E E P R O M
如下圖電路所示,為一射極隨耦器,其中Q 之靜態電流為200 m A,靜態輸出電壓V = 0 V,R = 50 Ω ,試求Q 之靜態功率消耗為何? 1. 5 W 2. 3 W 3. 9 W 4. 7 W 。
答案：(2) 3 W
已知三用電表之直流電壓靈敏度為20 k Ω / V,則表頭的滿刻度電流為何? 1. 2 . 5 μ A 2. 5 μ A 3. 50 μ A 4. 25 μ A 。
答案：(3) 50 μ A
解析：直流電壓靈敏度 S 定義為每伏特所需內阻，單位 Ω/V，且與表頭滿刻度電流 Ifs 成反比：S = 1/Ifs（Ifs 以安培計）。已知 S = 20 kΩ/V = 20×10³ Ω/V，故 Ifs = 1/S = 1/(20×10³) = 5×10⁻⁵ A = 50 μA。亦可理解為滿刻度時每伏特串接 20 kΩ，流過電流 I = V/R = 1V / 20kΩ = 50 μA。因此表頭滿刻度電流為 50 μA，對應選項 3。若取 25 μA 會得到 40 kΩ/V，5 μA 得 200 kΩ/V，均不符合題給靈敏度。
組合語言中,D A A 為B C D 碼調整的指令。在加法指令執行後,A C C = 0 A 1 H 、C Y = 0 、A C = 1 ,則此時執行D A A 指令後,A C C 的值為何? 1. 27 H 2. 17 H 3. 07 H 4. 37 H 。
答案：(3) 07 H
解析：DAA 為 BCD 調整指令，依條件加 06H 或 60H。已知 ACC＝0A1H、CY＝0、AC＝1。步驟一：低4位為1不大於9，但 AC＝1，故 ACC 加 06H → 0A1H＋06H＝0A7H，低4位成7、AC 清為0。步驟二：高4位為 A（10）＞9，故加 60H → 0A7H＋60H＝107H，8位結果為 07H，並產生 CY＝1。故執行 DAA 後 ACC＝07H，答案為選項3。
下列何者不是串列通訊中所造成的錯誤? 1. f r a m i n g e r r o r 2. o v e r f l o w e r r o r 3. o v e r r u n e r r o r 4. p a r i t y e r r o r 。
答案：(2) o v e r f l o w e r r o r
解析：串列通訊（如 UART）常見錯誤包含：framing error（框架錯誤，停止位元未正確接收）、parity error（同位檢查錯誤）、overrun error（超限錯誤，新資料抵達時前筆資料尚未讀取致緩衝區被覆蓋）。overflow error（溢位錯誤）一般係指算術運算或緩衝區超出範圍之通用錯誤，並非串列通訊協定中標準定義之傳輸錯誤類別。故四者中 framing、parity、overrun 均屬串列通訊錯誤，唯有 overflow error 不屬串列通訊特有錯誤，答案為選項 2。
i ( t ) = i ( t ) + i ( t ) = 80 s i n ( 377 t + 60 ° ) + 60 c o s ( 337 t + 60 ° ) 安培,其電流的有效值約為多少? 1. 71 A 2. 100 A 3. 283 A 4. 141 A 。
答案：(1) 71 A
解析：此電流為兩不同頻率正弦波之和：i₁=80 sin(377t+60°)、i₂=60 cos(337t+60°)，二者角頻率 377 與 337 rad/s 不同，屬不相關信號。不同頻率正弦波疊加時總有效值為各分量有效值之方和開根號（功率相加）：Irms = √(Irms1² + Irms2²)。各分量有效值 Irms1 = 80/√2 ≈ 56.57 A，Irms2 = 60/√2 ≈ 42.43 A。代回 Irms = √(56.57² + 42.43²) = √(3200+1800) = √5000 ≈ 70.71 A ≈ 71 A。故答案為選項 1。若誤視為同頻直接相加 80+60 再取有效值會得錯誤值。
下列何者不是針對誤食化學藥物的急救方法? 1. 若食入非腐蝕性的毒物,應先催吐 2. 若昏迷、抽蓄者應禁止催吐,並視其心肺功能實施急救 3. 趕快將誤食的化學藥物丟棄,並將誤食者儘速送醫 4. 若食入腐蝕性的毒物,患者尚能吞嚥可給予少量飲水。
答案：(3) 趕快將誤食的化學藥物丟棄,並將誤食者儘速送醫
解析：誤食化學藥物之急救正確觀念：保留誤食藥物容器或標籤供醫師辨識成分以利解毒；昏迷或抽搐者禁止催吐以免吸入性肺炎，應維持呼吸道並視狀況施以心肺急救；腐蝕性毒物若尚能吞嚥可給少量水稀釋。選項 3 稱「趕快將誤食的化學藥物丟棄」為錯誤做法，因丟棄後喪失辨識毒物之線索，反延誤救治，正確應保留檢體並盡速送醫。故將化學藥物丟棄並非正確急救方法，答案為選項 3。選項 1、2、4 均符合急救原則。
三階巴特沃( B u t t e r w o r t h ) 低通濾波器在頻率高於臨界頻率時,其振幅對頻率的下降率為下列 何者? 1. -60 d B /d e c a d e 2. -80 d B /d e c a d e 3. -20 d B /d e c a d e 4. -40 d B /d e c a d e 。
答案：(1) -60 d B /d e c a d e
解析：巴特沃斯（Butterworth）濾波器在截止頻率（臨界頻率）以外的衰減斜率與階數 n 成正比，每階（每極點）為 -20 dB/decade（十倍頻）。公式：衰減率 = -20 × n dB/decade。三階（n=3）巴特沃斯低通濾波器，頻率高於臨界頻率時振幅下降率為 -20 × 3 = -60 dB/decade，亦相當於 -6 × 3 = -18 dB/octave。故答案為選項 1（-60 dB/decade）。一階為 -20、二階為 -40、四階為 -80 dB/decade，可據階數對應判斷。
為防止螺絲因震動而鬆脫,下列何者為正確的施工方式? 1. 用束線帶綁緊 2. 先套一墊圈再加裝彈簧墊圈 3. 螺絲鎖緊後將其銲牢 4. 加裝彈簧墊圈。
答案：(2) 先套一墊圈再加裝彈簧墊圈
有關數位多用電表( D M M ) 之優點敘述,下列那一項是錯誤? 1. 精密度可大為提高 2. 不受環境之影響,可靠性提高 3. 可增加顯示位數而增加解析度 4. 無視差之缺點。
答案：(2) 不受環境之影響,可靠性提高
解析：數位多用電表（DMM）先以 A/D 轉換器把類比量數位化，再以數字顯示，因此沒有指針表頭因視線角度造成的視差；顯示位數可做到 3½、4½ 位以上，位數越多解析度越高；內部採用精密參考電壓與分壓電阻網路，精密度與準確度均優於傳統類比表。不過 DMM 內含參考電壓源、分壓電阻與 A/D 轉換器，其讀值仍會隨溫度、濕度、電源電壓與電磁干擾而漂移，須定期校正，並非「不受環境影響」。故第 2 項敘述錯誤。
如左圖零件符號所示,其等效電路為何? 1. 2. 3. 4. 。
如下圖電路所示R = 1 k Ω ,+ 5 V 代表邏輯" 1 " ,0 V 代表邏輯" 0 " ,當S S S S = 0001 時,則 輸出電壓V 為何? 1. - 5 V 2. - 2 . 5 V 3. 5 V 4. - 1 . 25 V 。
答案：(4) - 1 . 25 V
下列何者不是I / O 的介面協定? 1. I E E E - 1394 2. I E E E - 802 3. I E E E - 488 4. I E E E - 754 。
答案：(4) I E E E - 754
解析：I/O 介面協定是指設備與設備之間傳輸資料的規範。IEEE-1394（FireWire）是高速串列傳輸介面；IEEE-488 即 GPIB 儀器匯流排，常用於控制量測儀器；IEEE-802 是區域網路（乙太網路、無線網路等）的協定系列，也屬於通訊介面。IEEE-754 則是浮點數的表示法與運算標準，例如單精度為 32 位元、雙精度為 64 位元，規範的是數值格式而非資料傳輸，與 I/O 介面無關，故選第 4 項。
量測得到流過電阻值為4 . 25 k Ω 的電流為1 . 2 m A,則電阻器兩端的電壓值應為何? 1. 5 . 1 V 2. 5 . 191 V 3. 5 V 4. 5 . 19 V 。
答案：(1) 5 . 1 V
解析：依歐姆定律 V = I × R，代入 I = 1.2 mA = 1.2 × 10⁻³ A、R = 4.25 kΩ = 4.25 × 10³ Ω，得 V = 1.2 × 10⁻³ × 4.25 × 10³ = 5.1 V。因電流值 1.2 mA 只有兩位有效數字，結果應表示為 5.1 V。5.191 V 是未依有效位數取捨的計算值，5.19 V 多保留一位，5 V 則過度取整而喪失精度，均不符量測結果的表示原則。
設計鋪銅的印刷電路板時,銲點到防銲層及銲點到鋪銅之間的距離關係為何? 1. 到防銲層距離須大於到鋪銅的距離 2. 到防銲層及到鋪銅的距離須相等 3. 到防銲層距離須小於到鋪銅的距離 4. 距離大小無關。
答案：(3) 到防銲層距離須小於到鋪銅的距離
解析：鋪銅（大面積銅箔）設計時，防銲層開窗只需比銲墊單邊大約 0.05～0.1 mm，確保銲錫能完整潤濕銲墊；但銲墊到鋪銅必須留較大的間隙，一般為 0.2～0.5 mm 以上，以降低銲接時熱量被大銅面迅速帶走而造成的冷銲，並避免錫橋短路與組裝干涉。因此銲點到防銲層的距離應小於到鋪銅的距離。若兩者相等或前者較大，不是開窗不足造成沾錫不良，就是間隙太小而增加短路風險。
如下圖電路,為下列何者? 1. 低通主動濾波器 2. 帶拒主動濾波器 3. 高通主動濾波器 4. 帶通主動濾波器。
答案：(1) 低通主動濾波器
如下圖電路所示, 若電壓增益V / V 為-4 . 5,則以密勒定理( M i l l e r ' s t h e o r e m ) 求其輸入電阻 值為多少? 1. 750 k Ω 2. 650 k Ω 3. 950 k Ω 4. 850 k Ω 。
答案：(4) 850 k Ω
下列那一項屬於製造費用? 1. 工廠廠房的折舊 2. 製造手機之鋁鎂合金外殼的成本 3. 銷貨運輸所需要的費用 4. 業務部經理的薪資。
答案：(1) 工廠廠房的折舊
解析：製造費用（製造間接成本）是指與生產有關、但無法直接歸屬到某一特定產品的間接成本，例如廠房與機器設備折舊、廠務及品管人員薪資、廠房水電與修繕等。手機鋁鎂合金外殼可直接追溯至產品，屬直接材料成本；銷貨運輸費用屬於銷售（推銷）費用；業務部經理的薪資屬於管理或推銷費用，皆不列入製造費用。故只有廠房折舊屬於製造費用。
頻譜分析儀不可做下列何種測試: 1. 諧波成份 2. 頻帶寬度 3. 雜音 4. 波形中所包含的頻率信號之能量分佈情形。
答案：(4) 波形中所包含的頻率信號之能量分佈情形
C P L D 和F P G A 的特性下列何者是錯誤的? 1. 具有燒錄並列E E P R O M 的功能 2. 可用繪電路圖法設計 3. 可用V H D L 語言設計 4. 可用波形法設計。
答案：(1) 具有燒錄並列E E P R O M 的功能
解析：CPLD 與 FPGA 的設計輸入方式包括電路圖（schematic）輸入、硬體描述語言（VHDL、Verilog）以及波形或狀態圖輸入，再經合成、布局佈線產生燒錄檔。但兩者的組態記憶體多為 SRAM（FPGA 每次上電須由外部配置 ROM 重新載入）或 EEPROM／Flash（CPLD），燒錄是透過 JTAG 等串列方式完成，並非「燒錄並列 EEPROM」。因此第 1 項敘述錯誤，其餘三項都是常見的設計輸入法。
如下圖電路所示,當t = 0 時開關S 閉合,則閉合之瞬時電源電流及穩態電源電流分別為多少? 1. 10 A 、5 A 2. 10 A 、10 A 3. 5 A 、5 A 4. 5 A 、10 A 。
答案：(2) 10 A 、10 A
使用三用電表的歐姆表測試矽二極體順向特性時,若測得L V 為0 . 8 V,L I 為20 m A,則二極 體內阻為何? 1. 20 Ω 2. 10 Ω 3. 40 Ω 4. 30 Ω 。
答案：(3) 40 Ω
解析：以三用電表歐姆檔量測時，表內電池提供順向電流使二極體導通，此工作點的等效內阻（順向電阻）為電壓與電流之比：R = V / I = 0.8 V / 20 mA = 0.8 / 0.02 = 40 Ω。20 Ω 與 10 Ω 小於實際計算值，30 Ω 亦不符比值關係，故選 40 Ω。須注意此值隨測試電流大小而變，矽二極體順向特性呈指數曲線，並非固定電阻。
下列何者並非為預防游離輻射危害之原則? 1. 時間 2. 距離 3. 屏蔽 4. 速度。
答案：(4) 速度
解析：游離輻射防護的三原則為時間、距離與屏蔽：縮短曝露時間以降低累積劑量；加大與射源的距離，因劑量率與距離平方成反比；在射源與人員之間加裝鉛板、混凝土等屏蔽以衰減輻射。速度與人員所受劑量無關，並非防護原則，故選4。
於中低溫( 0 °C~100 °C) 測量時,應採用在25 °C時之電阻值為下列何者之負溫度係數熱敏電 阻? 1. 100 k Ω ~500 k Ω 2. 2 k Ω ~5 k Ω 3. 100 Ω ~1 k Ω 4. 20 k Ω ~75 k Ω 。
答案：(2) 2 k Ω ~5 k Ω
解析：負溫度係數（NTC）熱敏電阻的電阻值隨溫度升高而下降。0～100°C 屬中低溫範圍，25°C 標稱電阻取數 kΩ 級（2kΩ～5kΩ）較合適：0°C 時電阻上升至十幾 kΩ 仍可量測，100°C 時降至數百 Ω 仍遠大於導線與接觸電阻，且不易因自熱而產生誤差。100Ω～1kΩ 偏低，較適合高溫段；20kΩ 以上則適合更低溫的場合，故選2。
當溫度每升高1 °C時,M O S F E T 之V 值的變化下列何者為正確? 1. -2 ~-5 m V 2. +6 ~+10 m V 3. -6 ~-10 m V 4. +2 ~+5 m V 。
答案：(1) -2 ~-5 m V
解析：MOSFET 的臨界電壓 Vth 具有負溫度係數，溫度每升高 1°C，Vth 約下降 2～5 mV。原因是溫度上升時載子濃度與費米能階變化，使形成反轉層所需閘極電壓降低。因此選項1的 -2～-5 mV 正確；選項2、4 為正值，方向錯誤；選項3 的 -6～-10 mV 變化量過大，不符一般元件的規格。
設有四個輸入變數的布林函數式f ( A , B , C , D ) ,若要使用多工器來實現此函數時,則選用下列 何者為最佳? 1. 4 對一 2. 32 對一 3. 16 對一 4. 8 對一。
答案：(4) 8 對一
解析：以多工器實現 n 個變數的布林函數時，最佳選擇是 2^(n-1) 對一多工器，即把 n-1 個變數接到選擇線，剩下一個變數當資料輸入。本題 n=4，故選 8 對一：A、B、C 接三條選擇線，依真值表把 D 端的資料設為 0、1、D 或 D'，即可實現 f(A,B,C,D)。16 對一、32 對一會浪費資料輸入並增加接線；4 對一只有兩條選擇線，不足以只用單一資料變數完成。
有一金屬球半徑為1 公尺,其上之電荷為10 庫倫,則此球中心點及距球中心點0 . 5 公尺處 的電場強度各為多少? 1. 0 牛頓/ 庫倫、9 牛頓/ 庫倫 2. 36 牛頓/ 庫倫、0 牛頓/ 庫倫 3. 0 牛頓/ 庫倫、0 牛頓/ 庫倫 4. 9 牛頓/ 庫倫、0 牛頓/ 庫倫。
答案：(3) 0 牛頓/ 庫倫、0 牛頓/ 庫倫
解析：金屬球為導體，靜電平衡時電荷全部分佈於球表面，導體內部電場為零。球心與距球心 0.5 公尺處都在半徑 1 公尺的球內，因此兩處電場強度均為 0 牛頓/庫倫。球外的電場才需用 E=kQ/r² 計算，例如球面處 E=9×10⁹×10/1²=9×10¹⁰ N/C。故選3；選項4把球外電場誤植為 9 N/C，數值不正確。
如下圖電路所示,為衰減20 d B 的π 型衰減器,其特性電阻為何? 1. 600 Ω 2. 700 Ω 3. 366 Ω 4. 732 Ω 。
答案：(1) 600 Ω
大寫字母" Z " 的A S C I I 碼應為何? 1. 5 A H 2. 59 H 3. 58 H 4. 57 H 。
答案：(1) 5 A H
解析：ASCII 碼中 'A' 為十進位 65，即 41H；英文字母依序遞增，'Z' 為 'A' 之後第 25 個字母，故 65+25=90，換算十六進位為 5AH（5×16+10=90），因此選1。59H=89 對應 'Y'，58H=88 對應 'X'，57H=87 對應 'W'，皆非 'Z'。
下列何組16 進制資料用來作R A M 的測試最好? 1. 5 A 、A 5 2. 55 、A A 3. 00 、F F 4. 0 F 、F 0 。
答案：(2) 55 、A A
螺絲直接鎖定在已攻牙之金屬板上時,金屬板厚度a 與螺絲直徑d 之間的關係,下列何者為 正確? 1. a ≒2 . 0 d 以上 2. a ≒0 . 8 d ~1 . 2 d 3. a ≒1 . 2 d ~1 . 5 d 4. a ≒1 . 5 d ~2 . 0 d 。
答案：(2) a ≒0 . 8 d ~1 . 2 d
下列何者不是串列通訊所必需協調的位元? 1. d a t a b i t 2. s t a r t b i t 3. s t o p b i t 4. p a r i t y b i t 。
答案：(2) s t a r t b i t
下列何者為設計印刷電路板時,補淚滴的目的? 1. 便於設計 2. 方便 3. 加強銲點與走線的連接 4. 美觀。
答案：(3) 加強銲點與走線的連接
解析：補淚滴（teardrop）是在走線與銲墊連接處，加一段由窄漸寬的過渡銅箔，使線寬不會突然變化。這樣可以降低應力集中，避免鑽孔或熱脹冷縮時走線自銲墊剝離，也能在銲接時增加附著面積、提升銲點可靠度。它的主要作用是加強銲點與走線的機械與電氣連接，並非為了設計便利、操作方便或單純美觀。
通過電流高於臨界值的雷射二極體,所發出的光為何? 1. 混合色非聚合光 2. 單色非聚合光 3. 單色聚合光 4. 混合色聚合光。
答案：(3) 單色聚合光
解析：雷射二極體屬受激放射元件，當注入電流超過臨界值（threshold current）後，增益大於損耗而形成雷射振盪，輸出光具同調性（coherent，即聚合光）、單波長（單色）與高指向性。臨界值以下僅為自發放射的LED式寬頻非同調光；超過臨界值後才轉為單色聚合光，故混合色或非聚合光皆不正確。
如下圖電路中,O P A 未加回授前,輸出阻抗為Z o,增益為A,則 為何? 1. Z o /A 2. Z o / / [ R f .A /( 1 + A ) ] 3. Z o + [ R f .A /( 1 + A ) ] 4. Z o .R f /R i 。
答案：(2) Z o / / [ R f .A /( 1 + A ) ]
信號電壓V 加到串聯諧振電路,在諧振時跨於電感或電容上之電壓為下列何者? 1. V 2. V‧Q 3. V / Q 4. V ‧ L 。
答案：(2) V‧Q
解析：串聯諧振時電感與電容的阻抗大小相等、方向相反，彼此抵消，電路電流 I＝V/R。品質因數 Q＝ω₀L/R＝(1/R)√(L/C)，而電感或電容上的電壓為 I×X＝(V/R)×ω₀L＝V·Q。因此諧振時跨於L或C的電壓可達電源電壓的Q倍，即 V·Q，而非 V、V/Q 或 V·L。
永磁動圈式表頭的偏轉是依據下列何種線圈電流的大小而動作的? 1. 峰至峰值 2. 最大值 3. 均方根值 4. 平均值。
答案：(4) 平均值
解析：永磁動圈式（達松發爾）表頭的轉矩來自固定磁場與動圈電流的交互作用，轉矩瞬間與電流成正比。因動圈具慣性，指針實際反映的是線圈電流的平均值；量測交流時若加上整流器，即成為平均値響應式表頭，刻度再依正弦波有效值校正。故偏轉取決於平均值，而非峰對峰值、最大值或均方根值。
利用李沙育( L i s s a j o u s ) ,若示波器出現一直線,則水平與垂直相位差下列何者為正確? 1. 135 ° 2. 45 ° 3. 90 ° 4. 180 ° 。
答案：(4) 180 °
解析：李沙育圖形由水平與垂直兩正弦信號合成，相位差 φ 決定圖形形狀。當 φ＝0° 或 180° 時，兩信號同時為零或同時達極值，合成軌跡退化為一直線（斜率為正或負）；φ＝90° 時呈正圓或橢圓，其他角度則為斜橢圓。題目出現一直線，相位差為 180°（或0°），選項中以180°正確。
低電介質常數型的陶瓷電容器,可與下列何種電容器組合,做成溫度係數為零的超精密電容 器? 1. 電解電容器 2. 塑膠電容器 3. 雲母電容器 4. 紙質電容器。
答案：(3) 雲母電容器
解析：陶瓷電容的溫度係數多為負值或較大正負變動，而雲母電容穩定性高、損耗小、溫度係數可做得很小且線性。將低電介質常數型陶瓷電容與雲母電容並聯組合，可使兩者溫度係數正負互補而接近零，得到溫度係數為零的超精密電容器。電解、塑膠與紙質電容的穩定性與溫度特性不足以達成此目的。
某差動放大器,其共模增益A =0 . 2 ,差模增益A =2000 ,則C M R R 為多少d B ? 1. 90 2. 70 3. 80 4. 60 。
答案：(3) 80
解析：共模拒斥比 CMRR 定義為差模增益與共模增益之比值，以分貝表示時 CMRR(dB)＝20 log(A_d/A_c)。代入 A_d＝2000、A_c＝0.2，得 A_d/A_c＝2000/0.2＝10000，故 CMRR＝20 log 10000＝20×4＝80 dB。選項中僅 80 符合計算結果，其餘數值均與此式不符。
設以V 表可程式單接面電晶體( P U T ) 的閘陰極電壓、V 表電源電壓,則下列何者為P U T 峰值 電壓V 之正確表示式? 1. V = V - 0 . 6 V 2. V = V + 0 . 6 V 3. V = V - V - 0 . 6 V 4. V = V - V 。
答案：(2) V = V + 0 . 6 V
解析：PUT 的峰值電壓 VP 由閘陰極偏壓決定：當陽極電壓上升到比閘極電壓 VG 高出一個 PN 接面順向壓降（約 0.6 V）時，閘極-陽極接面導通，元件由截止轉入導通，因此 VP＝VG＋0.6 V。0.6 V 是順向壓降，必須相加；若相減或再扣掉閘極電壓，都不符合觸發條件。
B A S I C 語言需經過何種程式處理過後才能執行? 1. 編輯程式 2. 作業系統 3. 直譯程式 4. 組譯程式。
答案：(3) 直譯程式
解析：BASIC 是高階語言，CPU 無法直接執行原始碼，必須由直譯程式（interpreter）逐行翻譯成機器碼並立即執行。編輯程式只負責輸入、修改程式碼；作業系統掌管硬體與資源；組譯程式是把組合語言翻成機器碼，並非處理 BASIC，因此選直譯程式。
E P R O M 的資料係儲存於何處? 1. 汲極 2. 選擇閘極 3. 源極 4. 浮接閘極。
答案：(4) 浮接閘極
解析：EPROM 的資料儲存在浮接閘極（floating gate）。程式化時對浮接閘極注入電子，以電荷量代表 0 與 1；氧化層將電荷包圍，斷電後仍能保存。紫外光照射可使電荷逸出而抹除。汲極、源極與選擇閘極主要擔任讀寫與控制，不是電荷儲存位置。
十進制的( 47 . 5 ) 等於下列何者? 1. B C D 碼的( 10111 . 01 ) 2. 八進制的( 57 . 4 ) 3. 十六進制的( 2 A . 6 ) 4. 二進制的( 10111 .
答案：(2) 八進制的( 57 . 4 )
解析：整數部分 47÷8＝5 餘 7，小數部分 0.5×8＝4，所以 (47.5)10＝(57.4)8。BCD 的 47.5 應為 0100 0111.0101；十六進位 47.5＝2F.8；二進位 47.5＝101111.1，整數 47 並非 10111（23），故只有八進位正確。
有關光二極体( P h o t o D i o d e ) 的敘述,下列何者錯誤? 1. 使用時是加上逆向偏壓 2. 照度愈強其導通電流愈大 3. 開路時經光照射兩端將產生電壓 4. 應用時是接受光線的照射,而非產生光線。
答案：(3) 開路時經光照射兩端將產生電壓
下列對熱敏電阻與P t 100 之比較說明,何者為正確? 1. 熱敏電阻適用的溫度範圍較窄 2. 熱敏電阻對溫度較靈敏 3. 熱敏電阻的互換性沒有問題 4. 熱敏電阻為非線性的輸出。
答案：(3) 熱敏電阻的互換性沒有問題
如下圖電路所示,若測得V = 2 V、V = 1 . 6 V、V = 10 V,則下列何者為可能的故障原因? 1. R 開路 2. R 短路 3. 電晶體B - C 接面短路 4. R 短路。
答案：(1) R 開路
關於數位濾波器的敘述,下列何者是錯誤的? 1. 只由數位電路所組成的 2. 可取代一般類比濾波器 3. 可用軟體來消除雜音及製作合成音樂 4. 可設定低通或高通工作頻率。
答案：(1) 只由數位電路所組成的
解析：數位濾波器可用數位硬體（加法器、乘法器、延遲暫存器）實現，也可用軟體程式完成，並非「只由數位電路組成」；軟體可消除雜訊、合成音樂，數位濾波器也能設定低通或高通響應，並可取代類比濾波器。因此選項 1 的「只由」說法錯誤。
矽控整流器( S C R ) 的閘極觸發脈波寬度若小於下列何者時,將無法觸發矽控整流器進入導通 狀態? 1. 1 m s 2. 100 μ s 3. 10 μ s 4. 1 μ s 。
答案：(4) 1 μ s
信號線與交流電源線在配線過程中,下列何種處置為正確? 1. 信號線與交流電源線分開各用束線帶紮成一束 2. 全部集中用束線帶紮成一束 3. 信號線與交流電源線分開各用單蕊線紮成一束 4. 全部集中用單蕊線紮成一束。
答案：(1) 信號線與交流電源線分開各用束線帶紮成一束
解析：交流電源線流的是 110/220V、60Hz 的大電流，會在其周圍產生交變磁場；若與信號線綁在同一束，磁場便會透過電磁感應與雜散電容耦合，在信號線上感應出哼聲（hum）與雜訊，嚴重時還可能因絕緣不良而把市電串入低電壓電路。正確做法是信號線與電源線分開走線、各自用束線帶紮成一束，並儘量保持距離、必要時交叉成 90 度以降低耦合。單蕊線本身是裸銅或薄絕緣的硬線，用來綑綁導線容易刮傷絕緣層造成短路，也不具備束線帶的固定與絕緣效果，因此選項 3、4 並不妥當；選項 2 把兩類線混在一起，正是最典型的干擾來源。
某8 位元的類比/ 數位轉換器的最高類比電壓輸入為5 V,當類比電壓輸入為2 V 時,其數位輸 出為多少? 1. 88 H 2. 66 H 3. 77 H 4. 55 H 。
答案：(2) 66 H
解析：8 位元 ADC 的輸出共有 2^8＝256 個準位，量化刻度為 0～255，採線性換算：數位輸出＝(輸入電壓／滿刻度電壓)×255。代入 (2 V／5 V)×255＝0.4×255＝102。將 102 換成十六進位：102÷16＝6 餘 6，所以是 66H。若採 (V／Vref)×256 的算法會得到 102.4，取整仍是 102（66H），結果一致。88H＝136、77H＝119、55H＝85，換算回類比電壓分別約為 2.67 V、2.33 V、1.67 V，都與 2 V 不符，故選 66H。
如要採用64 k × 8 之靜態記憶體來構成1 M b y t e 的記憶空間,需要解碼幾條位址線才可產生足 夠晶片致能( c h i p e n a b l e ) 信號? 1. 5 條 2. 4 條 3. 6 條 4. 7 條。
答案：(2) 4 條
解析：1 MByte＝1024 kByte，每顆 SRAM 為 64 k×8＝64 kByte，故需要的晶片數＝1024／64＝16 顆。16 顆晶片要產生 16 個互斥的晶片致能（chip enable）信號，解碼器輸入需滿足 2^n＝16，得 n＝4，即 4 條位址線（A16～A19）接到 4 對 16 解碼器即可。低 16 條位址線 A0～A15 則並聯接到每顆晶片的位址腳，負責晶片內部 64 k 個位置的定址。5 條可解出 32 個輸出、6 條 64 個、7 條 128 個，均超過實際所需而浪費位址空間。
下列何者不屬於R I S C ( r e d u c e d i n s t r u c t i o n s e t c o m p u t e r ) 處理器的基本特性? 1. 暫存器對暫存器的運算模式 2. 較短的程式碼長度 3. 簡單而且單一語句的指令格式 4. 只有少數簡單的定址方式。
答案：(2) 較短的程式碼長度
解析：RISC 的設計哲學是「指令少、格式簡單、管線化」，其基本特性包括：以暫存器對暫存器（load-store 架構）方式運算，只有 load/store 指令存取記憶體；指令長度固定、格式簡單且單一，便於解碼與管線排程；定址模式只有少數幾種簡單形式。由於每項工作需以多條簡單指令組合完成，相同功能的程式碼通常比 CISC 長，編譯後程式碼體積較大，所以「較短的程式碼長度」並非 RISC 特性，反而是 CISC 可變長度、複雜指令的優勢。選項 1、3、4 都是 RISC 的典型特徵。
當電晶體之集射極互換後,下列敘述何者為錯誤? 1. 崩潰電壓下降 2. 失真度不變 3. 放大率下降 4. 開關速度變慢。
答案：(2) 失真度不變
解析：電晶體的射極與集極在結構上並不對稱：射極摻雜濃度高、面積小，集極摻雜低、面積大，才能有效發射載子並承受較高電壓。若把 C、E 互換使用（反向工作區），射極注入效率變差，電流增益 hFE 大幅下降，放大率隨之降低；接面崩潰電壓也明顯下降；載子渡越時間變長，開關速度變慢。由於工作點與特性曲線都改變，非線性失真必然增加，不可能維持不變，因此「失真度不變」是錯誤的敘述，本題應選此項。
下列哪一個單位是磁通密度的單位? 1. 牛頓 2. 庫侖 3. 韋伯 4. 高斯。
答案：(4) 高斯
解析：磁通密度 B 在國際單位制（SI）的單位是特斯拉（T），1 T＝1 Wb/m²；在 CGS 制則是高斯（G），1 T＝10^4 G，因此高斯是磁通密度的單位。韋伯（Wb）是磁通量 Φ 的單位（Φ＝B×A）；牛頓（N）是力的單位；庫侖（C）是電荷量的單位，三者皆與磁通密度無關。解題時要分清「磁通量」與「磁通密度」：前者描述通過某一面積的磁力線總數，後者描述單位面積上的磁力線密度，兩者相差一個面積因子。
如下圖電路所示,若電阻器R 開路,則會產生下列何種情況? 1. 電晶體作線性放大工作 2. 電晶體截止 3. 電晶體飽和 4. 電晶體燒毀。
答案：(2) 電晶體截止
下列何者不是表示環境狀況的主要特徵? 1. 聲音 2. 文字、外形 3. 符號或圖案 4. 顏色。
答案：(1) 聲音
下列敘述何者為不正確? 1. 8254 是串列( s e r i a l ) 之I / O 介面I C 2. 8253 是計數( c o u n t e r ) 之I / O 介面I C 3. 8255 是並列( p a r a l l e l ) 之I / O 介面I C 4. 8279 是鍵盤( k e y b o a r d ) 之I / O 介面I C 。
答案：(1) 8254 是串列( s e r i a l ) 之I / O 介面I C
解析：8254與8253均為可程式計時／計數器（programmable timer/counter）介面IC，內部含多個16位元計數器，可產生延遲、計數與方波，並非串列（serial）I/O介面，因此選項1的敘述不正確。8255為可程式並列（parallel）I/O介面IC，提供多組8位元輸出入埠；8279為鍵盤／顯示器（keyboard/display）介面IC，可自動掃描鍵盤並驅動七段顯示器。本題問不正確者，故選1。
凱耳文雙電橋適合下列那一個元件的量測? 1. 小電阻 2. 小電容 3. 小功率晶體 4. 小電感。
答案：(1) 小電阻
解析：凱耳文雙電橋（Kelvin double bridge）是為消除接線電阻與接觸電阻誤差而設計，適合量測 1 Ω 以下的小電阻，例如馬達繞組、匯流排接點、分流器與電纜導體電阻。其作法是增設一組比例臂，使待測電阻的電壓端子以電壓接法量測，電流端子以大電流注入，讓接觸電阻只落在電流迴路而不影響壓降讀值。小電容、小電感一般以交流電橋（如 Schering 電橋、Maxwell 電橋）或 LCR 錶量測；小功率晶體則屬元件特性測試，並非電橋的用途。
如下圖電路所示,若電晶體工作於主動( a c t i v e ) 區時,V 與V 間為何種關係之函數? 1. 線性 2. 自然對數 3. 立方律 4. 平方律。
答案：(2) 自然對數
同步示波器的觸發源若置於" L I N E " 位置,則表示輸入的觸發信號為何? 1. 線上的輸入信號 2. 交流電源信號 3. 垂直軸的輸入信號 4. 外部輸入信號。
答案：(2) 交流電源信號
解析：同步示波器的觸發源選擇開關（Trigger Source）置於 "LINE" 位置時，觸發信號取自儀器內部的電源線（交流電源，通常為市電頻率 60 Hz 或 50 Hz），而非由垂直輸入或外部端子取得。此功能適用於觀測與市電頻率同步之信號（如電源相關電路），可避免波形橫向漂移。選項1「線上的輸入信號」指一般訊號線，非此意；選項3為垂直軸輸入（VERT/INT）；選項4為外部觸發（EXT）。故正解為交流電源信號。
如下圖電路所示,L = 6 H 、L = 8 H 、M = 2 H ,求L 為多少? 1. 1 . 5 H 2. 4 . 4 H 3. 3 . 4 H 4. 5 . 5 H 。
答案：(2) 4 . 4 H
有一41 / 2 位數直流電壓表其精確度標示為0 . 5 % + 2 ,若以其20 V 檔位量測一實際電壓為6 V 的電壓時,下列何者為其可能誤差值? 1. 0 . 031 2. 0 . 042 3. -0 . 044 4. -0 . 054 。
答案：(1) 0 . 031
解析：4½ 位數電表在 20V 檔的最大顯示為 19.999，解析度（1 個字）為 0.001V。誤差規格 0.5%+2 表示讀值百分比誤差再加兩個字的量化誤差：0.5%×6V＝0.03V，2×0.001V＝0.002V，合計 ±0.032V。可能誤差須落在此範圍內，選項中僅 0.031V 未超過 ±0.032V；0.042、-0.044、-0.054 的絕對值都已超出容許範圍。
若載波功率為100 W ,調幅百分比為75 % ,則上旁波帶的功率最接近下列何者? 1. 37 W 2. 75 W 3. 25 W 4. 14 W 。
答案：(4) 14 W
解析：調幅（AM）中，載波功率 Pc 與邊帶功率關係為：總邊帶功率 Ps = (m²/2)·Pc，且上、下旁波帶各平分，故單一上旁波帶功率 PUSB = (m²/4)·Pc。題目 m = 75% = 0.75，Pc = 100 W。代入：PUSB = (0.75²/4)×100 = (0.5625/4)×100 = 0.140625×100 = 14.0625 W ≈ 14 W。亦可先算總邊帶 = (0.5625/2)×100 = 28.125 W，再除2得 14.06 W。因此最接近者為 14 W。選項1（37W）、2（75W）、3（25W）均明顯偏大或不符公式。
有一差動放大器,C M R R = 1000,A = 200,有兩電壓100 μ V 和50 μ V 輸入,則輸出電壓V 為: 1. 10 m V 2. 100 μ V 3. 10 . 025 m V 4. 10 . 015 m V 。
答案：(4) 10 . 015 m V
解析：差動放大器輸出 Vout = Ad·Vid + Acm·Vic。差模輸入 Vid = V1−V2 = 100−50 = 50 μV；共模輸入 Vic = (V1+V2)/2 = (100+50)/2 = 75 μV；差模增益 Ad = A = 200。由 CMRR = Ad/Acm = 1000 得 Acm = Ad/1000 = 0.2。代入：Vout = 200×50 μV + 0.2×75 μV = 10000 μV + 15 μV = 10015 μV = 10.015 mV。故答案為 10.015 mV。選項1（10mV）忽略共模分量；選項3（10.025mV）與選項2（100μV）計算有誤。
如下列C 語言程式所示,所設定R S - 232 的傳輸格式,何者為正確? 1. C O M 1 、9600 b p s 、8 b i t、奇同位元 2. C O M 2、9600 b p s、8 b i t、無同位元 3. C O M 1、4800 b p s、8 b i t、偶同位元 4. C O M 2 、4800 b p s 、8 b i t 、奇同位元。
答案：(2) C O M 2、9600 b p s、8 b i t、無同位元
目前國際標準單位系統( i n t e r n a t i o n a l s y s t e m o f u n i t s ,S I ) 中,電阻標準之維持是採用: 1. 精密電阻器( 1 k Ω ,一組約10 個) 2. 量子霍爾電阻( q u a n t i z e d H a l l r e s i s t a n c e ) 3. 繞線式標準電阻器( 1 Ω ,一組約10 個) 4. 約瑟芬效應( J o s e p h s o n e f f e c t ) 電阻。
答案：(2) 量子霍爾電阻( q u a n t i z e d H a l l r e s i s t a n c e )
解析：在國際單位系統（SI）中，電氣標準已邁向量子化。電壓標準以約瑟芬效應（Josephson effect）維持；而電阻標準自 1990 年起採用量子霍爾效應（Quantum Hall Effect）所定義的「量子霍爾電阻」，其值為 h/(e²) 的整數分之一（馮克里青常數 RK ≈ 25812.8 Ω），具極高再現性與穩定性，取代傳統繞線式標準電阻器。故電阻標準之維持採用量子霍爾電阻。選項4約瑟芬效應屬電壓標準；選項1、3為傳統實物標準，已非現行維持方式。
以電橋測量電容器之消耗因數( D 值) 時,須指定信號源的何種參數? 1. 功率因數 2. 內阻 3. 頻率 4. 相角。
答案：(3) 頻率
解析：電容器的消耗因數 D（Dissipation Factor）= 串聯等效電阻 ESR 與容抗之比，即 D = 2πf·R·C = tan δ，其值隨測試頻率 f 而變。以電橋（如西林電橋、LCR 電橋）測量 D 值時，必須指定信號源頻率，量測結果方具意義，一般規格書多標示於 1 kHz（電解電容）或 120 Hz 等特定頻率。故須指定頻率。選項1功率因數、選項2內阻、選項4相角並非電橋測 D 值所須指定之信號源參數。
下列何種檔案結構儲存時,磁碟片的空間利用率最低? 1. 索引檔 2. 隨機檔 3. 索引循序檔 4. 循序檔。
答案：(2) 隨機檔
解析：各檔案結構之磁碟空間利用率：循序檔依序緊密存放、利用率最高；索引循序檔（ISAM）資料區連續、利用率佳；索引檔雖另須索引區但資料可密集配置；隨機檔（直接存取檔）為支援隨機定址，須依鍵值預留固定位置或雜湊桶，且記錄常採固定長度並預先配置空間，未使用的槽位與填補均造成閒置，內部碎裂與空槽最多。故隨機檔儲存時空間利用率最低。選項1、3、4之利用率均優於隨機檔。
如下圖電路所示,A 為理想運算放大器,R = 5 k Ω ,R = 10 k Ω ,Z D 1 及Z D 2 分別為5 . 1 V 及 8 . 2 V 的稽納二極體( Z e n e r d i o d e ) ,其順向導通之壓降約為0 . 7 V ,如果V = 0 V ,V 分別為 -6 V 、+ 5 V 的直流電壓時,則相對應的V 最接近下列何者? 1. +15 V 、-15 V 2. – 5 . 8 V 、 +8 . 9 V 3. +5 . 8 V 、-8 . 9 V 4. +8 . 9 V 、-5 . 8 V 。
答案：(3) +5 . 8 V 、-8 . 9 V
下列8088 指令執行後,何者的結果與其它三個指令不同? 1. X O R A X,A X 2. O R A X,0 3. M O V A X ,0 4. S U B A X ,A X 。
答案：(2) O R A X,0
解析：逐一分析：XOR AX,AX 使 AX 與自身互斥或，結果必為 0；SUB AX,AX 使 AX 減自身，結果 0；MOV AX,0 直接令 AX=0；三者皆將 AX 強制清為 0。而 OR AX,0 之結果為 AX | 0 = AX，僅影響旗標（使 CF、OF 清除），並不改變 AX 原有內容，若 AX 原本非 0，則結果與前三者不同。故與其他三個指令結果不同的是 OR AX,0。選項1、3、4皆達成清零 AX 之效果。
下列何者不是R S - 232 C 接收資料的錯誤狀態? 1. 同位元檢查( p a r i t y ) 錯誤 2. 資料框( f r a m e ) 錯誤 3. 進位( c a r r y ) 錯誤 4. 過載( o v e r - r u n ) 錯誤。
答案：(3) 進位( c a r r y ) 錯誤
解析：RS-232C 非同步接收常見的錯誤有三類：同位元檢查錯誤（parity error，資料位元中 1 的個數與設定不符）、資料框錯誤（framing error，起始位元或停止位元的時序不對）、過載錯誤（overrun，接收暫存器還沒被讀走，新資料又進來而造成覆蓋）。進位（carry）是 CPU 算術邏輯單元做加減運算時產生的旗標，屬於處理器內部的狀態，和串列資料傳輸的錯誤偵測無關，因此它不是接收資料的錯誤狀態。
欲將8088 C P U 內暫存器A X 之內容設定為5,來源運算元( s o u r c e o p e r a n d ) 須使用那一種定 址法較恰當? 1. 立即定址法( i m m e d i a t e a d d r e s s i n g m o d e ) 2. 記憶體直接定址法( m e m o r y d i r e c t a d d r e s s i n g m o d e ) 3. 基底定址法( b a s e d a d d r e s s i n g m o d e ) 4. 暫存器間接定址法( r e g i s t e r i n d i r e c t a d d r e s s i n g m o d e ) 。
答案：(1) 立即定址法( i m m e d i a t e a d d r e s s i n g m o d e )
解析：要把常數 5 放進 AX，可寫成 MOV AX, 5，運算元直接跟在指令碼後面，屬於立即定址法；這種方式指令長度短，執行時不必再存取記憶體，最為恰當。記憶體直接定址必須先把 5 存放在記憶體，再依位址取出；基底定址要用 BX 或 BP 加上位移量算出位址；暫存器間接定址則以暫存器內容當位址。這三種都要多一次記憶體存取，用來設定常數並不適合。
組合語言中,運算元為資料時,其定址模式為何? 1. 間接定址法 2. 直接定址法 3. 資料定址法 4. 立即定址法。
答案：(4) 立即定址法
解析：運算元本身就是資料值（常數）者稱為立即定址法，例如 MOV AX, 5 中的 5 直接寫在指令裡，不必再查位址。間接定址是以暫存器或記憶體的內容所指的位址取得運算元；直接定址是在運算元欄位直接給出記憶體位址；「資料定址法」不是標準的定址模式名稱。故選立即定址法。
一個信號產生器在1 k H z 輸出正弦波為10 V r m s,輸出阻抗為600 Ω,則該信號產生器輸出為 何? ( 取近似值,且l o g 2 = 0 . 3 ,l o g 3 = 0 . 45 ,l o g 4 = 0 . 6 ,l o g 6 = 0 . 78 ) : 1. 33 . 3 d B 2. 17 . 7 d B 3. 10 d B 4. 22 . 2 d B 。
答案：(4) 22 . 2 d B
解析：音頻信號產生器以 600Ω 為基準阻抗，10 Vrms 送至 600Ω 負載時，功率 P = V²/R = 10²/600 = 0.1667 W = 166.7 mW。以 1 mW 為 0 dBm：dBm = 10 log(166.7) = 10[log(1000/6)] = 10(3 − 0.78) = 22.2 dBm，故約 22.2 dB。33.3 dB 約對應 2.1 W、17.7 dB 約 59 mW、10 dB 僅 10 mW，都與本題的計算結果不符。
全減法器的輸入為A 、B 且借位輸入為C i ,設此全減法器為A - B ,則其借位輸出C o 的布林 函數為何? 1. 2. 3. 4. 。
下列元件何者可做為小電力轉換大電力之用? 1. 矽控整流器 2. 水泥電阻 3. 輸出變壓器 4. 鋁質電解電容器。
答案：(1) 矽控整流器
解析：矽控整流器（SCR）屬於閘流體，只要在閘極施加小功率的觸發信號，就能控制陽極與陰極之間大電流的導通，常用於功率調節、馬達與加熱控制，正是以小電力控制大電力的元件。水泥電阻只作功率消耗與限流；輸出變壓器作阻抗匹配與電壓轉換，本身不產生功率；鋁質電解電容器作濾波與儲能。這三者都不能當作主動的功率控制元件。
如下圖電路所示,其輸出端為" 1 " 的情況有幾種組合? 1. 3 2. 4 3. 1 4. 6 。
答案：(2) 4